公开(公告)号：US08522079B2

公开(公告)日：2013-08-27

申请号：US13108942

申请日：2011-05-16

申请人： Che-Yu Liao ,  Kuo-Cheng Lee ,  Po-Han Huang ,  Chi Wu

发明人： Che-Yu Liao ,  Kuo-Cheng Lee ,  Po-Han Huang ,  Chi Wu

IPC分类号： G06F11/00

CPC分类号： G06F11/3632 ,  G06F11/3656 ,  G06F11/3664

摘要： A system and a corresponding method for multi-core synchronous debugging of a multi-core platform including a plurality of cores are provided. The method includes the following steps. Transmit a core debugging instruction to one of the cores selected by a system debugging instruction or store a group setting included in the system debugging instruction according to the type of the system debugging instruction. Control every core in a group to start executing program instructions simultaneously according to another system debugging instruction. The group is a subset of the cores and the group setting indicates which ones of the cores are included in the group. Use a handshaking mechanism to control all cores of the group to enter a debug mode simultaneously when a debug event happens in any core of the group.

摘要翻译： 提供了一种用于包括多个核心的多核平台的多核同步调试的系统和相应的方法。 该方法包括以下步骤。 将核心调试指令发送到由系统调试指令选择的核心之一，或根据系统调试指令的类型存储系统调试指令中包含的组设置。 控制一组中的每个核心，以根据另一个系统调试指令同时开始执行程序指令。 该组是核心的子集，组设置指示组中包含哪些核心。 当组中的任何核心发生调试事件时，使用握手机制来控制组的所有内核同时进入调试模式。

公开(公告)号：US20120210103A1

公开(公告)日：2012-08-16

申请号：US13108942

申请日：2011-05-16

申请人： Che-Yu Liao ,  Kuo-Cheng Lee ,  Po-Han Huang ,  Chi Wu

发明人： Che-Yu Liao ,  Kuo-Cheng Lee ,  Po-Han Huang ,  Chi Wu

IPC分类号： G06F9/30

CPC分类号： G06F11/3632 ,  G06F11/3656 ,  G06F11/3664

摘要： A system and a corresponding method for multi-core synchronous debugging of a multi-core platform including a plurality of cores are provided. The method includes the following steps. Transmit a core debugging instruction to one of the cores selected by a system debugging instruction or store a group setting included in the system debugging instruction according to the type of the system debugging instruction. Control every core in a group to start executing program instructions simultaneously according to another system debugging instruction. The group is a subset of the cores and the group setting indicates which ones of the cores are included in the group. Use a handshaking mechanism to control all cores of the group to enter a debug mode simultaneously when a debug event happens in any core of the group.

摘要翻译： 提供了一种用于包括多个核心的多核平台的多核同步调试的系统和相应的方法。 该方法包括以下步骤。 将核心调试指令发送到由系统调试指令选择的核心之一，或根据系统调试指令的类型存储系统调试指令中包含的组设置。 控制一组中的每个核心，以根据另一个系统调试指令同时开始执行程序指令。 该组是核心的子集，组设置指示组中包含哪些核心。 当组中的任何核心发生调试事件时，使用握手机制来控制组的所有内核同时进入调试模式。

公开(公告)号：US08652868B2

公开(公告)日：2014-02-18

申请号：US13410165

申请日：2012-03-01

申请人： Yu-Shen Shih ,  Ching-Hwanq Su ,  Wei-Ming You ,  Chih-Cherng Jeng ,  Kuo-Cheng Lee ,  Yen-Hsung Ho

发明人： Yu-Shen Shih ,  Ching-Hwanq Su ,  Wei-Ming You ,  Chih-Cherng Jeng ,  Kuo-Cheng Lee ,  Yen-Hsung Ho

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L31/103 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547

摘要： An implanting method for forming a photodiode comprises providing a substrate with a first conductivity, growing an epitaxial layer on the substrate, implanting ions with a second conductivity in the epitaxial layer from a front side of the substrate and implanting ions with the first conductivity in the epitaxial layer from the front side of the substrate to form a photo active region adjacent to the front side and a photo inactive region underneath the photo active region. By employing the implanting method, an average doping density of the photo active region is approximately ten times more than an average doping density of the photo inactive region.

摘要翻译： 用于形成光电二极管的注入方法包括提供具有第一导电性的衬底，在衬底上生长外延层，从衬底的前侧在外延层中注入具有第二导电性的离子，并将第一导电性的离子注入 从衬底的前侧形成外延层以形成与前侧相邻的光有源区和在光有源区下面的光无源区。 通过采用注入方法，光有源区的平均掺杂密度约为光无源区的平均掺杂密度的十倍。

公开(公告)号：US08803271B2

公开(公告)日：2014-08-12

申请号：US13429114

申请日：2012-03-23

申请人： Zhe-Ju Liu ,  Chih-Cherng Jeng ,  Kuo-Cheng Lee ,  Szu-Hung Yang ,  Po-Zen Chen ,  Chi-Chin Hsu

发明人： Zhe-Ju Liu ,  Chih-Cherng Jeng ,  Kuo-Cheng Lee ,  Szu-Hung Yang ,  Po-Zen Chen ,  Chi-Chin Hsu

IPC分类号： H01L31/0232

CPC分类号： H01L27/14623 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464

摘要： A device includes a semiconductor substrate having a front side and a backside. A photo-sensitive device is disposed on the front side of the semiconductor substrate. A dielectric layer is disposed on the backside of the semiconductor substrate, wherein the dielectric layer is over a back surface of the semiconductor substrate. A metal shield is over the dielectric layer and overlapping the photo-sensitive device. A metal plug penetrates through the dielectric layer, wherein the metal plug electrically couples the metal shield to the semiconductor substrate.

摘要翻译： 一种器件包括具有正面和背面的半导体衬底。 光敏装置设置在半导体基板的正面上。 电介质层设置在半导体衬底的背面，其中电介质层在半导体衬底的背面之上。 金属屏蔽层在介电层上方并与光敏器件重叠。 金属插塞穿过电介质层，其中金属插头将金属屏蔽件电耦合到半导体衬底。

公开(公告)号：US20130230941A1

公开(公告)日：2013-09-05

申请号：US13410165

申请日：2012-03-01

申请人： Yu-Shen Shih ,  Ching-Hwanq Su ,  Wei-Ming You ,  Chih-Cherng Jeng ,  Kuo-Cheng Lee ,  Yen-Hsung Ho

发明人： Yu-Shen Shih ,  Ching-Hwanq Su ,  Wei-Ming You ,  Chih-Cherng Jeng ,  Kuo-Cheng Lee ,  Yen-Hsung Ho

IPC分类号： H01L31/18

CPC分类号： H01L31/103 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547

摘要： An implanting method for forming a photodiode comprises providing a substrate with a first conductivity, growing an epitaxial layer on the substrate, implanting ions with a second conductivity in the epitaxial layer from a front side of the substrate and implanting ions with the first conductivity in the epitaxial layer from the front side of the substrate to form a photo active region adjacent to the front side and a photo inactive region underneath the photo active region. By employing the implanting method, an average doping density of the photo active region is approximately ten times more than an average doping density of the photo inactive region.

摘要翻译： 用于形成光电二极管的注入方法包括提供具有第一导电性的衬底，在衬底上生长外延层，从衬底的前侧在外延层中注入具有第二导电性的离子，并将第一导电性的离子注入 从衬底的前侧形成外延层以形成与前侧相邻的光有源区和在光有源区下面的光无源区。 通过采用注入方法，光有源区的平均掺杂密度约为光无源区的平均掺杂密度的十倍。

公开(公告)号：US4371331A

公开(公告)日：1983-02-01

申请号：US177841

申请日：1980-08-14

申请人： Kuo-Cheng Lee

发明人： Kuo-Cheng Lee

IPC分类号： F23Q2/50 ,  F23Q25/00

CPC分类号： F23Q2/50

摘要： A cigarette lighter built with a flip-out windshield having one corner edge hinged to the lighter body. The windshield is normally folded in and concealed in the lighter body when not in use, and is then flipped out to protect the flame from wind when in use.

摘要翻译： 一个带有翻转式挡风玻璃的点烟器，一个角落边缘铰接到打火机身上。 挡风玻璃通常在不使用时折叠并隐藏在较轻的身体中，然后在使用时将其翻转以保护火焰免受风。

公开(公告)号：US20130249040A1

公开(公告)日：2013-09-26

申请号：US13429114

申请日：2012-03-23

申请人： Zhe-Ju Liu ,  Chi-Cherng Jeng ,  Kuo-Cheng Lee ,  Szu-Hung Yang ,  Po-Zen Chen ,  Chi-Chin Hsu

发明人： Zhe-Ju Liu ,  Chi-Cherng Jeng ,  Kuo-Cheng Lee ,  Szu-Hung Yang ,  Po-Zen Chen ,  Chi-Chin Hsu

IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L27/14623 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464

摘要： A device includes a semiconductor substrate having a front side and a backside. A photo-sensitive device is disposed on the front side of the semiconductor substrate. A dielectric layer is disposed on the backside of the semiconductor substrate, wherein the dielectric layer is over a back surface of the semiconductor substrate. A metal shield is over the dielectric layer and overlapping the photo-sensitive device. A metal plug penetrates through the dielectric layer, wherein the metal plug electrically couples the metal shield to the semiconductor substrate.

摘要翻译： 一种器件包括具有正面和背面的半导体衬底。 光敏装置设置在半导体基板的正面上。 电介质层设置在半导体衬底的背面，其中电介质层在半导体衬底的背面之上。 金属屏蔽层在介电层上方并与光敏器件重叠。 金属插塞穿过电介质层，其中金属插头将金属屏蔽件电耦合到半导体衬底。