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    Magnetic domain data storage devices and methods of operating the same
    1.
    发明授权
    Magnetic domain data storage devices and methods of operating the same 有权
    磁畴数据存储设备及其操作方法

    公开(公告)号：US07835167B2

    公开(公告)日：2010-11-16

    申请号：US11980418

    申请日：2007-10-31

    申请人： Chee-kheng Lim ,  In-kyeong Yoo ,  Sung-hoon Choa

    发明人： Chee-kheng Lim ,  In-kyeong Yoo ,  Sung-hoon Choa

    IPC分类号： G11C19/00 ,  G11C11/00 ,  G11C11/14 ,  G11C11/15

    CPC分类号： G11C11/14 ,  G11C19/0808 ,  G11C19/0841 ,  G11C21/00 ,  Y10T428/11

    摘要： Example embodiments may provide data storage devices using movement of a magnetic domain wall and/or a method of operating magnetic domain data storage devices. The data storage device may include a first magnetic layer for writing data having two magnetic domains magnetized in different directions, a second magnetic layer for storing data at a side of the first magnetic layer, a data recording device connected to the first magnetic layer and the second magnetic layer, and a plurality of reading heads configured to read the second magnetic layer. The data storage device may store a larger amount of data without requiring moving mechanical systems.

    摘要翻译： 示例性实施例可以使用磁畴壁的移动和/或操作磁畴数据存储设备的方法来提供数据存储设备。 数据存储装置可以包括用于写入具有不同方向磁化的两个磁畴的数据的第一磁性层，用于在第一磁性层的一侧存储数据的第二磁性层，连接到第一磁性层的数据记录装置和 第二磁性层和被配置为读取第二磁性层的多个读取头。 数据存储设备可以存储更大量的数据，而不需要移动机械系统。

    Magnetic domain data storage devices and methods of operating the same
    2.
    发明申请
    Magnetic domain data storage devices and methods of operating the same 有权
    磁畴数据存储设备及其操作方法

    公开(公告)号：US20080138659A1

    公开(公告)日：2008-06-12

    申请号：US11980418

    申请日：2007-10-31

    申请人： Chee-kheng Lim ,  In-kyeong Yoo ,  Sung-hoon Choa

    发明人： Chee-kheng Lim ,  In-kyeong Yoo ,  Sung-hoon Choa

    IPC分类号： G11B5/127 ,  G11B21/02

    CPC分类号： G11C11/14 ,  G11C19/0808 ,  G11C19/0841 ,  G11C21/00 ,  Y10T428/11

    摘要： Example embodiments may provide data storage devices using movement of a magnetic domain wall and/or a method of operating magnetic domain data storage devices. The data storage device may include a first magnetic layer for writing data having two magnetic domains magnetized in different directions, a second magnetic layer for storing data at a side of the first magnetic layer, a data recording device connected to the first magnetic layer and the second magnetic layer, and a plurality of reading heads configured to read the second magnetic layer. The data storage device may store a larger amount of data without requiring moving mechanical systems.

    摘要翻译： 示例性实施例可以使用磁畴壁的移动和/或操作磁畴数据存储设备的方法来提供数据存储设备。 数据存储装置可以包括用于写入具有不同方向磁化的两个磁畴的数据的第一磁性层，用于在第一磁性层的一侧存储数据的第二磁性层，连接到第一磁性层的数据记录装置和 第二磁性层和被配置为读取第二磁性层的多个读取头。 数据存储设备可以存储更大量的数据，而不需要移动机械系统。

    Magnetic domain information storage device and method of manufacturing the same
    5.
    发明授权
    Magnetic domain information storage device and method of manufacturing the same 有权
    磁畴信息存储装置及其制造方法

    公开(公告)号：US07864556B2

    公开(公告)日：2011-01-04

    申请号：US11987925

    申请日：2007-12-06

    申请人： Chee-kheng Lim ,  Sung-hoon Choa

    发明人： Chee-kheng Lim ,  Sung-hoon Choa

    IPC分类号： G11C19/00

    CPC分类号： G11C19/0808 ,  Y10S977/933

    摘要： Example embodiments may provide magnetic domain information storage devices with trenches and a method of manufacturing the information storage device. Example embodiment information storage devices may include a magnetic layer on a substrate having a plurality of magnetic domains and a power unit for moving magnetic domain walls. Magnetic layers may be parallel to the substrate, and a plurality of trenches in the magnetic layer may be perpendicular to the substrate. Portions of a lower surface of the magnetic layer corresponding to trenches may protrude downward.

    摘要翻译： 示例性实施例可以提供具有沟槽的磁畴信息存储设备和制造信息存储设备的方法。 示例性实施例信息存储设备可以包括在具有多个磁畴的基板上的磁性层和用于移动磁畴壁的功率单元。 磁性层可以平行于衬底，并且磁性层中的多个沟槽可以垂直于衬底。 对应于沟槽的磁性层的下表面的部分可以向下突出。

    Apparatus comprising substrate and conductive layer
    7.
    发明授权
    Apparatus comprising substrate and conductive layer 有权
    装置包括基底和导电层

    公开(公告)号：US08523555B2

    公开(公告)日：2013-09-03

    申请号：US13621204

    申请日：2012-09-15

    申请人： Hae-sung Kim ,  Hyoung-soo Ko ,  Seung-bum Hong ,  Jin-seung Sohn ,  Sung-hoon Choa ,  Chee-kheng Lim

    发明人： Hae-sung Kim ,  Hyoung-soo Ko ,  Seung-bum Hong ,  Jin-seung Sohn ,  Sung-hoon Choa ,  Chee-kheng Lim

    IPC分类号： B29C59/00

    CPC分类号： G03F1/14 ,  B29C59/002 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002 ,  Y10T428/24917

    摘要： A nano imprint master and a method of manufacturing the same are provided. The method includes: implanting conductive metal ions into a substrate including quartz to form a conductive layer inside the quartz substrate; coating a resist on the quartz substrate in which the conductive layer is formed, to form a resist coating layer; exposing the resist coating layer to an electron beam to form micropatterns; etching the quartz substrate by using the resist coating layer, in which the micropatterns are formed, as a mask; and removing the resist coating layer to obtain a master in which micropatterns are formed.

    摘要翻译： 提供了纳米压印母版及其制造方法。 该方法包括：将导电金属离子注入包括石英的衬底中，以在石英衬底内形成导电层; 在其上形成导电层的石英基板上涂覆抗蚀剂，以形成抗蚀剂涂层; 将抗蚀剂涂层暴露于电子束以形成微图案; 通过使用其中形成有微图案的抗蚀剂涂层作为掩模来蚀刻石英基板; 并除去抗蚀剂涂层以获得形成微图案的母版。

    Information storage device using movement of magnetic domain wall, and methods of manufacturing and operating the information storage device
    9.
    发明授权
    Information storage device using movement of magnetic domain wall, and methods of manufacturing and operating the information storage device 失效
    使用磁畴壁移动的信息存储装置，以及制造和操作信息存储装置的方法

    公开(公告)号：US07965470B2

    公开(公告)日：2011-06-21

    申请号：US11781311

    申请日：2007-07-23

    申请人： Chee-kheng Lim ,  Sung-hoon Choa

    发明人： Chee-kheng Lim ,  Sung-hoon Choa

    IPC分类号： G11B5/33

    CPC分类号： G11B5/00 ,  G11B2005/0002 ,  G11C11/14 ,  G11C19/0808 ,  G11C19/0841

    摘要： Provided are an information storage device using movement of a magnetic domain wall, and methods of manufacturing and operating the information storage device. The information storage device includes a storage track having magnetic domains and a writer for recording data to the storage track, wherein the writer comprises: a first magnetic layer and a second magnetic layer that is formed to cover a portion of the first magnetic layer and has a smaller magnetic anisotropic energy than the first magnetic layer.

    摘要翻译： 提供了使用磁畴壁的移动的信息存储装置，以及制造和操作信息存储装置的方法。 信息存储装置包括具有磁畴的存储轨道和用于将数据记录到存储轨道的写入器，其中写入器包括：第一磁性层和第二磁性层，形成为覆盖第一磁性层的一部分并具有 比第一磁性层更小的磁各向异性能量。

    INFORMATION STORAGE DEVICE USING MOVEMENT OF MAGNETIC DOMAIN WALL, AND METHODS OF MANUFACTURING AND OPERATING THE INFORMATION STORAGE DEVICE
    10.
    发明申请
    INFORMATION STORAGE DEVICE USING MOVEMENT OF MAGNETIC DOMAIN WALL, AND METHODS OF MANUFACTURING AND OPERATING THE INFORMATION STORAGE DEVICE 失效
    使用磁畴移动的信息存储装置，以及制造和操作信息存储装置的方法

    公开(公告)号：US20080138661A1

    公开(公告)日：2008-06-12

    申请号：US11781311

    申请日：2007-07-23

    申请人： Chee-kheng LIM ,  Sung-hoon Choa

    发明人： Chee-kheng LIM ,  Sung-hoon Choa

    IPC分类号： G11B5/147 ,  G11B5/66

    CPC分类号： G11B5/00 ,  G11B2005/0002 ,  G11C11/14 ,  G11C19/0808 ,  G11C19/0841

    摘要： Provided are an information storage device using movement of a magnetic domain wall, and methods of manufacturing and operating the information storage device. The information storage device includes a storage track having magnetic domains and a writer for recording data to the storage track, wherein the writer comprises: a first magnetic layer and a second magnetic layer that is formed to cover a portion of the first magnetic layer and has a smaller magnetic anisotropic energy than the first magnetic layer.

    摘要翻译： 提供了使用磁畴壁的移动的信息存储装置，以及制造和操作信息存储装置的方法。 信息存储装置包括具有磁畴的存储轨道和用于将数据记录到存储轨道的写入器，其中写入器包括：第一磁性层和第二磁性层，形成为覆盖第一磁性层的一部分并具有 比第一磁性层更小的磁各向异性能量。