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    Method for forming high selectivity protection layer on semiconductor device
    1.
    发明授权
    Method for forming high selectivity protection layer on semiconductor device 有权
    在半导体器件上形成高选择性保护层的方法

    公开(公告)号：US07316970B2

    公开(公告)日：2008-01-08

    申请号：US10892014

    申请日：2004-07-14

    申请人： Chien-Hao Chen ,  Ju-Wang Hsu ,  Chia-Lin Chen ,  Tze-Liang Lee ,  Shih-Chang Chen

    发明人： Chien-Hao Chen ,  Ju-Wang Hsu ,  Chia-Lin Chen ,  Tze-Liang Lee ,  Shih-Chang Chen

    IPC分类号： H01L21/425

    CPC分类号： H01L21/31111 ,  H01L21/823481 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/78

    摘要： A method for forming a resist protect layer on a semiconductor substrate includes the following steps. An isolation structure is formed on the semiconductor substrate. An original nitride layer having a substantial etch selectivity to the isolation structure is formed over the semiconductor substrate. A photoresist mask is formed for partially covering the original nitride layer. A wet etching is performed to remove the original nitride layer uncovered by the photoresist mask in such a way without causing substantial damage to the isolation structure. As such, the original nitride layer covered by the photoresist mask constitutes the resist protect layer.

    摘要翻译： 在半导体衬底上形成抗蚀剂保护层的方法包括以下步骤。 在半导体衬底上形成隔离结构。 在半导体衬底上形成对隔离结构具有实质蚀刻选择性的原始氮化物层。 形成光致抗蚀剂掩模以部分覆盖原始氮化物层。 执行湿蚀刻以以这样的方式去除由光致抗蚀剂掩模未覆盖的原始氮化物层，而不会对隔离结构造成实质损坏。 因此，由光致抗蚀剂掩模覆盖的原始氮化物层构成抗蚀剂保护层。

    Method for selectively stressing MOSFETs to improve charge carrier mobility
    3.
    发明申请
    Method for selectively stressing MOSFETs to improve charge carrier mobility 审中-公开
    选择性地强迫MOSFET以改善载流子迁移率的方法

    公开(公告)号：US20060223255A1

    公开(公告)日：2006-10-05

    申请号：US11370397

    申请日：2006-03-07

    申请人： Chien-Hao Chen ,  Chia-Lin Chen ,  Ju-Wang Hsu ,  Tze-Liang Lee ,  Shih-Chang Chen

    发明人： Chien-Hao Chen ,  Chia-Lin Chen ,  Ju-Wang Hsu ,  Tze-Liang Lee ,  Shih-Chang Chen

    IPC分类号： H01L21/8238

    CPC分类号： H01L21/823807 ,  H01L29/7843

    摘要： A strained channel MOSFET device with improved charge mobility and method for forming the same, the method including providing a first gate with a first semiconductor conductive type and second gate with a semiconductor conductive type on a substrate; forming a first strained layer with a first type of stress on said first gate; and, forming a second strained layer with a second type of stress on said second gate.

    摘要翻译： 一种具有改善的电荷迁移率的应变通道MOSFET器件及其形成方法，所述方法包括在衬底上提供具有半导体导电类型的第一半导体导电类型的第一栅极和第二栅极; 在所述第一栅极上形成具有第一类型应力的第一应变层; 并且在所述第二浇口上形成具有第二类型应力的第二应变层。

    METHOD FOR SELECTIVELY STRESSING MOSFETS TO IMPROVE CHARGE CARRIER MOBILITY
    4.
    发明申请
    METHOD FOR SELECTIVELY STRESSING MOSFETS TO IMPROVE CHARGE CARRIER MOBILITY 审中-公开
    选择性地压力MOSFET以提高电荷载流子迁移率的方法

    公开(公告)号：US20060183279A1

    公开(公告)日：2006-08-17

    申请号：US11279016

    申请日：2006-04-07

    申请人： Chien-Hao Chen ,  Chia-Lin Chen ,  Ju-Wang Hsu ,  Tze-Liang Lee ,  Shih-Chang Chen

    发明人： Chien-Hao Chen ,  Chia-Lin Chen ,  Ju-Wang Hsu ,  Tze-Liang Lee ,  Shih-Chang Chen

    IPC分类号： H01L21/8238

    CPC分类号： H01L21/823807 ,  H01L29/7843

    摘要： A strained channel MOSFET device with improved charge mobility and method for forming the same, the method including providing a first gate with a first semiconductor conductive type and second gate with a semiconductor conductive type on a substrate; forming a first strained layer with a first type of stress on said first gate; and, forming a second strained layer with a second type of stress on said second gate.

    摘要翻译： 一种具有改善的电荷迁移率的应变通道MOSFET器件及其形成方法，所述方法包括在衬底上提供具有半导体导电类型的第一半导体导电类型的第一栅极和第二栅极; 在所述第一栅极上形成具有第一类型应力的第一应变层; 并且在所述第二浇口上形成具有第二类型应力的第二应变层。

    Method for forming a resist protect layer
    6.
    发明申请
    Method for forming a resist protect layer 有权
    形成抗蚀剂保护层的方法

    公开(公告)号：US20060014396A1

    公开(公告)日：2006-01-19

    申请号：US10892014

    申请日：2004-07-14

    申请人： Chien-Hao Chen ,  Ju-Wang Hsu ,  Chia-Lin Chen ,  Tze-Liang Lee ,  Shih-Chang Chen

    发明人： Chien-Hao Chen ,  Ju-Wang Hsu ,  Chia-Lin Chen ,  Tze-Liang Lee ,  Shih-Chang Chen

    IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/31

    CPC分类号： H01L21/31111 ,  H01L21/823481 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/78

    摘要： A method for forming a resist protect layer on a semiconductor substrate includes the following steps. An isolation structure is formed on the semiconductor substrate. An original nitride layer having a substantial etch selectivity to the isolation structure is formed over the semiconductor substrate. A photoresist mask is formed for partially covering the original nitride layer. A wet etching is performed to remove the original nitride layer uncovered by the photoresist mask in such a way without causing substantial damage to the isolation structure. As such, the original nitride layer covered by the photoresist mask constitutes the resist protect layer.

    摘要翻译： 在半导体衬底上形成抗蚀剂保护层的方法包括以下步骤。 在半导体衬底上形成隔离结构。 在半导体衬底上形成对隔离结构具有实质蚀刻选择性的原始氮化物层。 形成光致抗蚀剂掩模以部分覆盖原始氮化物层。 执行湿蚀刻以以这样的方式去除由光致抗蚀剂掩模未覆盖的原始氮化物层，而不会对隔离结构造成实质损坏。 因此，由光致抗蚀剂掩模覆盖的原始氮化物层构成抗蚀剂保护层。

    Double layer polysilicon gate electrode
    8.
    发明申请
    Double layer polysilicon gate electrode 审中-公开
    双层多晶硅栅电极

    公开(公告)号：US20060049470A1

    公开(公告)日：2006-03-09

    申请号：US10936271

    申请日：2004-09-07

    申请人： Chia-Lin Chen ,  Ming-Jie Huang ,  Chien-Hao Chen ,  Tze-Liang Lee ,  Shih-Chang Chen

    发明人： Chia-Lin Chen ,  Ming-Jie Huang ,  Chien-Hao Chen ,  Tze-Liang Lee ,  Shih-Chang Chen

    IPC分类号： H01L29/76

    CPC分类号： H01L29/4925 ,  H01L21/28035 ,  H01L29/665

    摘要： A method for forming a microelectronic product and the microelectronic product resulting from the method both employ a bilayer gate electrode. The bilayer gate electrode employs: (1) a first layer formed of a random oriented polycrystalline silicon material; and (2) a second layer laminated to the first layer and formed of a columnar oriented polycrystalline silicon material. The gate electrode provides enhanced performance to a semiconductor device within which it is formed.

    摘要翻译： 形成微电子产物的方法和由该方法得到的微电子产物都采用双层栅电极。 双层栅极采用：（1）由随机取向的多晶硅材料形成的第一层; 和（2）层压到第一层并由柱状取向的多晶硅材料形成的第二层。 栅电极为其形成的半导体器件提供增强的性能。

    STI liner modification method
    9.
    发明授权
    STI liner modification method 有权
    STI衬垫修改方法

    公开(公告)号：US07361572B2

    公开(公告)日：2008-04-22

    申请号：US11059728

    申请日：2005-02-17

    申请人： Chien-Hao Chen ,  Vincent S. Chang ,  Chia-Lin Chen ,  Tze-Liang Lee ,  Shih-Chang Chen

    发明人： Chien-Hao Chen ,  Vincent S. Chang ,  Chia-Lin Chen ,  Tze-Liang Lee ,  Shih-Chang Chen

    IPC分类号： H01L21/76

    CPC分类号： H01L21/76235

    摘要： A new and improved liner modification method for a liner oxide layer in an STI trench is disclosed. According to the method, an STI trench is etched in a substrate and a liner oxide layer is formed on the trench surfaces by oxidation techniques. The method further includes pre-treatment of the trench surfaces using a nitrogen-containing gas prior to formation of the liner oxide layer, post-formation nitridation of the liner oxide layer, or both pre-treatment of the trench surfaces and post-formation nitridation of the liner oxide layer. The liner modification method of the present invention optimizes the inverse narrow width effect (INWE) and gate oxide integrity (GOI) of STI structures and prevents diffusion of dopant into the liner oxide layer during subsequent processing.

    摘要翻译： 公开了一种用于STI沟槽中的衬垫氧化物层的新的改进的衬垫修改方法。 根据该方法，在衬底中蚀刻STI沟槽，并且通过氧化技术在沟槽表面上形成衬垫氧化物层。 该方法还包括在形成衬垫氧化物层之前使用含氮气体预处理沟槽表面，衬里氧化物层的形成后氮化或沟槽表面的预处理和后形成氮化 的衬里氧化物层。 本发明的衬垫修改方法优化STI结构的反窄窄度效应（INWE）和栅极氧化物完整性（GOI），并防止掺杂剂在随后的处理期间扩散到衬里氧化物层中。