公开(公告)号：US20120244704A1

公开(公告)日：2012-09-27

申请号：US13489137

申请日：2012-06-05

申请人： Chien-Teh KAO ,  Jing-Pei(Connie) CHOU ,  Chiukin(Steven) LAI ,  Sal UMOTOY ,  Joel M. HUSTON ,  Son TRINH ,  Mei CHANG ,  Xiaoxiong (John) YUAN ,  Yu CHANG ,  Xinliang LU ,  Wei W. WANG ,  See-Eng PHAN

发明人： Chien-Teh KAO ,  Jing-Pei(Connie) CHOU ,  Chiukin(Steven) LAI ,  Sal UMOTOY ,  Joel M. HUSTON ,  Son TRINH ,  Mei CHANG ,  Xiaoxiong (John) YUAN ,  Yu CHANG ,  Xinliang LU ,  Wei W. WANG ,  See-Eng PHAN

IPC分类号： H01L21/3205

CPC分类号： H01L21/02104 ,  C23C14/022 ,  C23C14/50 ,  C23C14/541 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32862 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67109 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method for removing native oxides from a substrate surface is provided. In one embodiment, the method comprises positioning a substrate having an oxide layer into a processing chamber, exposing the substrate to a gas mixture while forming a volatile film on the substrate and maintaining the substrate at a temperature below 65° C., heating the substrate to a temperature of at least about 75° C. to sublimate the volatile film and remove the oxide layer, and depositing a first layer on the substrate after heating the substrate.

摘要翻译： 提供了从衬底表面去除天然氧化物的方法。 在一个实施例中，该方法包括将具有氧化物层的衬底定位到处理室中，将衬底暴露于气体混合物，同时在衬底上形成挥发性膜并将衬底保持在低于65℃的温度下，加热衬底 达到至少约75℃的温度以使挥发性膜升华并去除氧化物层，并且在加热基材之后在基板上沉积第一层。