公开(公告)号：US20120086053A1

公开(公告)日：2012-04-12

申请号：US12900626

申请日：2010-10-08

申请人： Chih-Hung TSENG ,  Da-Wen LIN ,  Chien-Tai CHAN ,  Chia-Pin LIN ,  Li-Wen WENG ,  An-Shen CHANG ,  Chung-Cheng WU

发明人： Chih-Hung TSENG ,  Da-Wen LIN ,  Chien-Tai CHAN ,  Chia-Pin LIN ,  Li-Wen WENG ,  An-Shen CHANG ,  Chung-Cheng WU

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/76

CPC分类号： H01L29/7851 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7853

摘要： A transistor includes a notched fin covered under a shallow trench isolation layer. One or more notch may be used, the size of which may vary along a lateral direction of the fin. In some embodiments, The notch is formed using anisotropic wet etching that is selective according to silicon orientation. Example wet etchants are tetramethylammonium hydroxide (TMAH) or potassium hydroxide (KOH).

摘要翻译： 晶体管包括覆盖在浅沟槽隔离层下面的切口鳍。 可以使用一个或多个凹口，其尺寸可以沿翅片的横向方向变化。 在一些实施例中，使用根据硅取向选择性的各向异性湿蚀刻形成凹口。 实例湿蚀刻剂是氢氧化四甲基铵（TMAH）或氢氧化钾（KOH）。

公开(公告)号：US20130119444A1

公开(公告)日：2013-05-16

申请号：US13296908

申请日：2011-11-15

申请人： Chun-Fai CHENG ,  An-Shen CHANG ,  Hui-Min LIN ,  Tsz-Mei KWOK ,  Hsien-Ching LO

发明人： Chun-Fai CHENG ,  An-Shen CHANG ,  Hui-Min LIN ,  Tsz-Mei KWOK ,  Hsien-Ching LO

IPC分类号： H01L29/772 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/02639 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/30608 ,  H01L21/3065 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7848

摘要： An integrated circuit device and method for manufacturing the integrated circuit device are disclosed. The disclosed method comprises forming a wedge-shaped recess with an initial bottom surface in the substrate; transforming the wedge-shaped recess into an enlarged recess with a height greater than the height of the wedge-shaped recess; and epitaxially growing a strained material in the enlarged recess.

摘要翻译： 公开了一种用于制造集成电路器件的集成电路器件和方法。 所公开的方法包括在衬底中形成具有初始底表面的楔形凹部; 将楔形凹部转变成具有大于楔形凹部的高度的高度的扩大凹部; 并在扩大的凹部中外延生长应变材料。