公开(公告)号：US20060286740A1

公开(公告)日：2006-12-21

申请号：US11467980

申请日：2006-08-29

申请人： Chun-Chieh LIN ,  Wen-Chin Lee ,  Yee-Chia Yeo ,  Chuan-Yi Lin ,  Chenming Hu

发明人： Chun-Chieh LIN ,  Wen-Chin Lee ,  Yee-Chia Yeo ,  Chuan-Yi Lin ,  Chenming Hu

IPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L29/76

CPC分类号： H01L21/28052 ,  H01L21/823835 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78648

摘要： Provided is a semiconductor device and a method for its fabrication. The device includes a semiconductor substrate, a first silicide in a first region of the substrate, and a second silicide in a second region of the substrate. The first silicide may differ from the second silicide. The first silicide and the second silicide may be an alloy silicide.

摘要翻译： 提供一种半导体器件及其制造方法。 该器件包括半导体衬底，衬底的第一区域中的第一硅化物和衬底的第二区域中的第二硅化物。 第一硅化物可能与第二硅化物不同。 第一硅化物和第二硅化物可以是合金硅化物。

公开(公告)号：US20130127055A1

公开(公告)日：2013-05-23

申请号：US13434691

申请日：2012-03-29

申请人： Chien-An CHEN ,  Wen-Jiun LIU ,  Chun-Chieh LIN ,  Hung-Wen SU ,  Ming-Hsing TSAI ,  Syun-Ming JANG

发明人： Chien-An CHEN ,  Wen-Jiun LIU ,  Chun-Chieh LIN ,  Hung-Wen SU ,  Ming-Hsing TSAI ,  Syun-Ming JANG

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76877 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76819 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76847 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/7685 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76882 ,  H01L21/76886 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： The mechanisms of forming an interconnect structures described above involves using a reflowed conductive layer. The reflowed conductive layer is thicker in smaller openings than in wider openings. The mechanisms may further involve forming a metal cap layer over the reflow conductive layer, in some embodiments. The interconnect structures formed by the mechanisms described have better electrical and reliability performance.

摘要翻译： 形成上述互连结构的机理涉及使用回流导电层。 较小的开口中的回流导电层比较宽的开口厚。 在一些实施例中，这些机构还可以包括在回流导电层上形成金属盖层。 由所述机构形成的互连结构具有更好的电气和可靠性性能。