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公开(公告)号：US20050041498A1
公开(公告)日：2005-02-24
申请号：US10870694
申请日：2004-06-16
CPC分类号： G11C13/0004 , G11C13/0038 , G11C13/0069 , G11C2013/0078 , G11C2213/79
摘要： A memory device of a phase change type, wherein a memory cell has a memory element of calcogenic material switcheable between at least two phases associated with two different states of the memory cell. A write stage is connected to the memory cell and has a capacitive circuit configured to generate a discharge current having no constant portion and to cause the memory cell to change state.
摘要翻译： 一种相变型存储器件，其中存储器单元具有可在存储器单元的两种不同状态相关联的至少两相之间切换的钙质材料的存储元件。 写入级连接到存储单元，并且具有被配置为产生没有恒定部分的放电电流并使存储器单元改变状态的电容电路。
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公开(公告)号：US07075841B2
公开(公告)日：2006-07-11
申请号：US10870694
申请日：2004-06-16
IPC分类号： G11C7/00
CPC分类号： G11C13/0004 , G11C13/0038 , G11C13/0069 , G11C2013/0078 , G11C2213/79
摘要： A memory device of a phase change type, wherein a memory cell has a memory element of calcogenic material switcheable between at least two phases associated with two different states of the memory cell. A write stage is connected to the memory cell and has a capacitive circuit configured to generate a discharge current having no constant portion and to cause the memory cell to change state.
摘要翻译： 一种相变型存储器件，其中存储器单元具有可在存储器单元的两种不同状态相关联的至少两相之间切换的钙质材料的存储元件。 写入级连接到存储单元，并且具有被配置为产生没有恒定部分的放电电流并使存储器单元改变状态的电容电路。
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公开(公告)号：US07936584B2
公开(公告)日：2011-05-03
申请号：US12354425
申请日：2009-01-15
IPC分类号： G11C11/06
CPC分类号： G11C13/004 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/003 , G11C2013/0045 , G11C2013/0054 , G11C2013/0066 , G11C2213/75 , G11C2213/76
摘要： A read current high enough to threshold a phase change memory element may be used to read the element without thresholding the memory element. The higher current may improve performance in some cases. The memory element does not threshold because the element is read and the current stopped prior to triggering the memory element.
摘要翻译： 可以使用高达阈值相变存储器元件的读取电流来读取元件而不对存储元件进行阈值化。 在某些情况下，较高的电流可能会改善性能。 由于读取元素并且在触发存储器元件之前停止了当前存储器元件，因此存储器元件不会被阈值。
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公开(公告)号：US20060227592A1
公开(公告)日：2006-10-12
申请号：US11093878
申请日：2005-03-30
IPC分类号： G11C11/00
CPC分类号： G11C13/004 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/003 , G11C2013/0045 , G11C2013/0054 , G11C2013/0066 , G11C2213/75 , G11C2213/76
摘要： A read current high enough to threshold a phase change memory element may be used to read the element without thresholding the memory element. The higher current may improve performance in some cases. The memory element does not threshold because the element is read and the current stopped prior to triggering the memory element.
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公开(公告)号：US20110176358A1
公开(公告)日：2011-07-21
申请号：US13072911
申请日：2011-03-28
IPC分类号： G11C11/00
CPC分类号： G11C13/004 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/003 , G11C2013/0045 , G11C2013/0054 , G11C2013/0066 , G11C2213/75 , G11C2213/76
摘要： A read current high enough to threshold a phase change memory element may be used to read the element without thresholding the memory element. The higher current may improve performance in some cases. The memory element does not threshold because the element is read and the current stopped prior to triggering the memory element.
摘要翻译： 可以使用高达阈值相变存储器元件的读取电流来读取元件而不对存储元件进行阈值化。 在某些情况下，较高的电流可能会改善性能。 由于读取元素并且在触发存储器元件之前停止了当前存储器元件，因此存储器元件不会被阈值。
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公开(公告)号：US20120113711A1
公开(公告)日：2012-05-10
申请号：US13353531
申请日：2012-01-19
申请人： Tyler Lowrey , Ward D. Parkinson , Ferdinando Bedeschi , Claudio Resta , Roberto Gastaldi , Giulio Casagrande
发明人： Tyler Lowrey , Ward D. Parkinson , Ferdinando Bedeschi , Claudio Resta , Roberto Gastaldi , Giulio Casagrande
CPC分类号： G11C7/14 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/004 , G11C2013/0054
摘要： A voltage derived from accessing a selected bit using one read current may be utilized to read a selected bit of an untriggered phase change memory after the read current is changed. As a result, different reference voltages may be used to sense the state of more resistive versus a less resistive selected cells. The resulting read window or margin may be improved in some embodiments,
摘要翻译： 在读取电流改变之后，可以利用使用一个读取电流访问所选位的电压来读取未触发的相变存储器的选定位。 因此，可以使用不同的参考电压来感测比较阻性的选择的单元更多的电阻的状态。 在一些实施例中，可以改善所得到的读取窗口或边缘，
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公开(公告)号：US08116159B2
公开(公告)日：2012-02-14
申请号：US11093877
申请日：2005-03-30
申请人： Tyler Lowrey , Ward D. Parkinson , Ferdinando Bedeschi , Claudio Resta , Roberto Gastaldi , Giulio Casagrande
发明人： Tyler Lowrey , Ward D. Parkinson , Ferdinando Bedeschi , Claudio Resta , Roberto Gastaldi , Giulio Casagrande
IPC分类号： G11C7/14
CPC分类号： G11C7/14 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/004 , G11C2013/0054
摘要： A voltage derived from accessing a selected bit using one read current may be utilized to read a selected bit of an untriggered phase change memory after the read current is changed. As a result, different reference voltages may be used to sense the state of more resistive versus a less resistive selected cells. The resulting read window or margin may be improved in some embodiments.
摘要翻译： 在读取电流改变之后，可以利用使用一个读取电流访问所选位的电压来读取未触发的相变存储器的选定位。 因此，可以使用不同的参考电压来感测比较阻性的选择的单元更多的电阻的状态。 在一些实施例中，可以改善所得到的读取窗口或边缘。
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公开(公告)号：US08098512B2
公开(公告)日：2012-01-17
申请号：US13072911
申请日：2011-03-28
IPC分类号： G11C11/00
CPC分类号： G11C13/004 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/003 , G11C2013/0045 , G11C2013/0054 , G11C2013/0066 , G11C2213/75 , G11C2213/76
摘要： A read current high enough to threshold a phase change memory element may be used to read the element without thresholding the memory element. The higher current may improve performance in some cases. The memory element does not threshold because the element is read and the current stopped prior to triggering the memory element.
摘要翻译： 可以使用高达阈值相变存储器元件的读取电流来读取元件而不对存储元件进行阈值化。 在某些情况下，较高的电流可能会改善性能。 由于读取元素并且在触发存储器元件之前停止了当前存储器元件，因此存储器元件不会被阈值。
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9.发明授权Method for using a bit specific reference level to read a phase change memory 有权使用位特定参考电平读取相变存储器的方法公开(公告)号：US08705306B2
公开(公告)日：2014-04-22
申请号：US13555346
申请日：2012-07-23
申请人： Tyler Lowrey , Ward D. Parkinson , Ferdinando Bedeschi , Claudio Resta , Roberto Gastaldi , Giulio Casagrande
发明人： Tyler Lowrey , Ward D. Parkinson , Ferdinando Bedeschi , Claudio Resta , Roberto Gastaldi , Giulio Casagrande
IPC分类号： G11C7/14
CPC分类号： G11C7/14 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/004 , G11C2013/0054
摘要： A voltage derived from accessing a selected bit using one read current may be utilized to read a selected bit of an untriggered phase change memory after the read current is changed. As a result, different reference voltages may be used to sense the state of more resistive versus a less resistive selected cells. The resulting read window or margin may be improved in some embodiments.
摘要翻译： 在读取电流改变之后，可以利用使用一个读取电流访问所选位的电压来读取未触发的相变存储器的选定位。 因此，可以使用不同的参考电压来感测比较阻性的选择的单元更多的电阻的状态。 在一些实施例中，可以改善所得到的读取窗口或边缘。
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公开(公告)号：US08259525B2
公开(公告)日：2012-09-04
申请号：US13353531
申请日：2012-01-19
申请人： Tyler Lowrey , Ward D. Parkinson , Ferdinando Bedeschi , Claudio Resta , Roberto Gastaldi , Giulio Casagrande
发明人： Tyler Lowrey , Ward D. Parkinson , Ferdinando Bedeschi , Claudio Resta , Roberto Gastaldi , Giulio Casagrande
IPC分类号： G11C7/14
CPC分类号： G11C7/14 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/004 , G11C2013/0054
摘要： A voltage derived from accessing a selected bit using one read current may be utilized to read a selected bit of an untriggered phase change memory after the read current is changed. As a result, different reference voltages may be used to sense the state of more resistive versus a less resistive selected cells. The resulting read window or margin may be improved in some embodiments.
摘要翻译： 在读取电流改变之后，可以利用使用一个读取电流访问所选位的电压来读取未触发的相变存储器的选定位。 因此，可以使用不同的参考电压来感测比较阻性的选择的单元更多的电阻的状态。 在一些实施例中，可以改善所得到的读取窗口或边缘。
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