公开(公告)号：US20130093026A1

公开(公告)日：2013-04-18

申请号：US13273527

申请日：2011-10-14

申请人： Clement Hsingjen WANN ,  Ling-Yen YEH ,  Chi-Yuan SHIH ,  Yi-Tang LIN ,  Chih-Sheng CHANG ,  Chi-Wen LIU

发明人： Clement Hsingjen WANN ,  Ling-Yen YEH ,  Chi-Yuan SHIH ,  Yi-Tang LIN ,  Chih-Sheng CHANG ,  Chi-Wen LIU

IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L21/762 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L21/823431 ,  H01L21/265 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/845 ,  H01L27/088 ,  H01L27/0924 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/06 ,  H01L29/66818 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7853 ,  H01L29/7854

摘要： A semiconductor apparatus includes fin field-effect transistor (FinFETs) having shaped fins and regular fins. Shaped fins have top portions that may be smaller, larger, thinner, or shorter than top portions of regular fins. The bottom portions of shaped fins and regular fins are the same. FinFETs may have only one or more shaped fins, one or more regular fins, or a mixture of shaped fins and regular fins. A semiconductor manufacturing process to shape one fin includes forming a photolithographic opening of one fin, optionally doping a portion of the fin, and etching a portion of the fin.

摘要翻译： 半导体装置包括具有成形翅片和规则翅片的鳍状场效应晶体管（FinFET）。 成形翅片的顶部可以比普通翅片的顶部更小，更大，更薄或更短。 成形翅片和规则翅片的底部是相同的。 FinFET可以仅具有一个或多个成形翅片，一个或多个规则翅片，或者成形翅片和规则翅片的混合物。 形成一个鳍片的半导体制造工艺包括形成一个鳍片的光刻开口，可选地掺杂鳍片的一部分，以及蚀刻鳍片的一部分。

公开(公告)号：US20130119482A1

公开(公告)日：2013-05-16

申请号：US13293732

申请日：2011-11-10

申请人： Clement Hsingjen WANN ,  Ling-Yen YEH ,  Chi-Yuan SHIH ,  Yi-Tang LIN ,  Chih-Sheng CHANG

发明人： Clement Hsingjen WANN ,  Ling-Yen YEH ,  Chi-Yuan SHIH ,  Yi-Tang LIN ,  Chih-Sheng CHANG

IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/66818 ,  H01L21/2236 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823857 ,  H01L21/823878 ,  H01L21/845 ,  H01L27/0924 ,  H01L27/1211

摘要： The disclosure relates to a Fin field effect transistor (FinFET). An exemplary structure for a FinFET comprises a substrate comprising a top surface; a first fin and a second fin extending above the substrate top surface, wherein each of the fins has a top surface and sidewalls; an insulation layer between the first and second fins extending part way up the fins from the substrate top surface; a first gate dielectric covering the top surface and sidewalls of the first fin having a first thickness and a second gate dielectric covering the top surface and sidewalls of the second fin having a second thickness less than the first thickness; and a conductive gate strip traversing over both the first gate dielectric and second gate dielectric.

摘要翻译： 本发明涉及Fin场效应晶体管（FinFET）。 FinFET的示例性结构包括：包括顶表面的衬底; 在所述基板顶表面上方延伸的第一翅片和第二翅片，其中每个翼片具有顶表面和侧壁; 所述第一和第二翅片之间的绝缘层从所述基板顶表面向上延伸所述翅片; 覆盖第一鳍片的顶表面和第一鳍片的侧壁的第一栅极电介质和覆盖第二鳍片的顶表面和第二鳍片的侧壁的第二栅极电介质具有小于第一厚度的第二厚度; 以及穿过第一栅极电介质和第二栅极电介质两端的导电栅极条。

公开(公告)号：US20130032712A1

公开(公告)日：2013-02-07

申请号：US13196200

申请日：2011-08-02

申请人： Chi-Yuan SHIH ,  I-Hsiung HUANG ,  Heng-Hsin LIU

发明人： Chi-Yuan SHIH ,  I-Hsiung HUANG ,  Heng-Hsin LIU

IPC分类号： G01N23/00 ,  H01L23/544

CPC分类号： G01N23/04 ,  G01N2223/418 ,  G01N2223/611 ,  G03F7/70633

摘要： A method comprises providing a semiconductor substrate having a first layer and a second layer above the first layer. The first layer haw a plurality of first patterns, vias or contacts. The second layer has second patterns corresponding to the first patterns, vias or contacts. The second patterns have a plurality of in-plane offsets relative to the corresponding first patterns, vias or contacts. A scanning electron microscope is used to measure line edge roughness (LER) values of the second patterns. An overlay error is calculated between the first and second layers based on the measured LER values.

摘要翻译： 一种方法包括提供在第一层上方具有第一层和第二层的半导体衬底。 第一层包含多个第一图案，通孔或接触。 第二层具有对应于第一图案，通孔或触点的第二图案。 第二图案相对于对应的第一图案，通孔或触点具有多个面内偏移。 扫描电子显微镜用于测量第二种图案的线条粗糙度（LER）值。 基于测量的LER值，在第一层和第二层之间计算覆盖误差。