公开(公告)号：US20160020384A1

公开(公告)日：2016-01-21

申请号：US14656659

申请日：2015-03-12

申请人： Dae-Eun JEONG ,  Sang-Yong KIM ,  Yoon-Jong SONG

发明人： Dae-Eun JEONG ,  Sang-Yong KIM ,  Yoon-Jong SONG

IPC分类号： H01L43/08 ,  G11C11/16 ,  H01L43/02

CPC分类号： H01L43/08 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1675 ,  G11C2013/0083 ,  H01L43/02 ,  H01L43/12

摘要： Provided are a magnetic memory device and a method of forming the same. The magnetic memory device includes a magnetic tunnel junction pattern located on a substrate and including magnetic patterns and a tunnel barrier pattern located between the magnetic patterns, and a first crystallinity conserving pattern located on the magnetic tunnel junction pattern and having a higher crystallization temperature than the magnetic patterns. The first crystallinity conserving pattern is amorphous.

摘要翻译： 提供一种磁存储器件及其形成方法。 磁存储器件包括位于衬底上的磁性隧道结图案，其包括磁性图案和位于磁性图案之间的隧道势垒图案，以及位于磁性隧道结图案上的第一结晶保存图案，并且具有比 磁性图案。 第一个结晶保存图案是无定形的。

公开(公告)号：US20070181150A1

公开(公告)日：2007-08-09

申请号：US11736260

申请日：2007-04-17

申请人： Sang-Yong KIM ,  Sang-Jun Choi ,  Chang-Ki Hong

发明人： Sang-Yong KIM ,  Sang-Jun Choi ,  Chang-Ki Hong

IPC分类号： C23G1/00 ,  B08B7/00 ,  B08B3/00

CPC分类号： C23F1/16 ,  C11D3/042 ,  C11D7/08 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76814

摘要： A cleaning method for removing foreign bodies during the fabrication of semiconductor devices including treating a substrate with a cleaning solution including an oxidizer to form a chemical oxide layer and then removing the chemical oxide layer, thereby removing foreign bodies from a surface of the semiconductor substrate. Accordingly, the foreign bodies can be substantially removed from the surface of the substrate without corroding a metal.

摘要翻译： 一种用于在制造半导体器件期间去除异物的清洁方法，包括用包括氧化剂的清洁溶液处理基底以形成化学氧化物层，然后除去化学氧化物层，从而从半导体衬底的表面去除异物。 因此，异物可以基本上从基板的表面除去而不会腐蚀金属。

公开(公告)号：US20150207064A1

公开(公告)日：2015-07-23

申请号：US14505995

申请日：2014-10-03

申请人： Joon-Myoung LEE ,  Hong-Lae PARK ,  Sang-Yong KIM ,  Woo-Chang LIM

发明人： Joon-Myoung LEE ,  Hong-Lae PARK ,  Sang-Yong KIM ,  Woo-Chang LIM

IPC分类号： H01L43/12 ,  H01L43/10

CPC分类号： H01L43/12 ,  G11C11/161 ,  H01L27/228 ,  H01L43/10

摘要： A MRAM device may include a fixed layer pattern on a substrate, a first tunnel barrier layer pattern on the fixed layer pattern, a free layer pattern on the first tunnel barrier layer pattern, a second tunnel barrier layer pattern on the free layer pattern, the second tunnel barrier layer pattern including a metal oxide, and a capping layer pattern on the second tunnel barrier layer pattern. The capping layer pattern including a metal may have an oxide layer formation energy lower than the oxide layer formation energy of tantalum.

摘要翻译： MRAM器件可以包括衬底上的固定层图案，固定层图案上的第一隧道势垒层图案，第一隧道势垒层图案上的自由层图案，自由层图案上的第二隧道势垒层图案， 包括金属氧化物的第二隧道势垒层图案和在第二隧道势垒层图案上的覆盖层图案。 包含金属的覆盖层图案可以具有比钽的氧化物层形成能低的氧化层形成能。