公开(公告)号：US08508979B2

公开(公告)日：2013-08-13

申请号：US13228040

申请日：2011-09-08

申请人： Daisuke Saida ,  Minoru Amano ,  Junichi Ito ,  Yuichi Ohsawa ,  Saori Kashiwada ,  Chikayoshi Kamata ,  Tadaomi Daibou

发明人： Daisuke Saida ,  Minoru Amano ,  Junichi Ito ,  Yuichi Ohsawa ,  Saori Kashiwada ,  Chikayoshi Kamata ,  Tadaomi Daibou

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11B5/66 ,  G11C11/161 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08

摘要： According to one embodiment, a magnetic recording element includes a stacked body. The stacked body includes a first and a second stacked unit. The first stacked unit includes first and second ferromagnetic layers and a first nonmagnetic layer. The first nonmagnetic layer is provided between the first and second ferromagnetic layers. The second stacked unit is stacked with the first stacked unit and includes third and fourth ferromagnetic layers and a second nonmagnetic layer. The fourth ferromagnetic layer is stacked with the third ferromagnetic layer. The second nonmagnetic layer is provided between the third and fourth ferromagnetic layers. An outer edge of the fourth ferromagnetic layer includes a portion outside an outer edge of the first stacked unit in a plane. A magnetization direction of the second ferromagnetic layer is determined by causing a spin-polarized electron and a rotating magnetic field to act on the second ferromagnetic layer.

摘要翻译： 根据一个实施例，磁记录元件包括堆叠体。 堆叠体包括第一和第二堆叠单元。 第一堆叠单元包括第一和第二铁磁层和第一非磁性层。 第一非磁性层设置在第一和第二铁磁层之间。 第二堆叠单元与第一堆叠单元堆叠并且包括第三和第四铁磁层和第二非磁性层。 第四铁磁层与第三铁磁层层叠。 第二非磁性层设置在第三和第四铁磁层之间。 第四铁磁层的外边缘包括平面内第一堆叠单元的外边缘外侧的部分。 通过使自旋极化电子和旋转磁场作用于第二铁磁层来确定第二铁磁层的磁化方向。

公开(公告)号：US08488375B2

公开(公告)日：2013-07-16

申请号：US13037592

申请日：2011-03-01

申请人： Daisuke Saida ,  Minoru Amano ,  Junichi Ito ,  Yuichi Ohsawa ,  Saori Kashiwada ,  Chikayoshi Kamata ,  Shigeki Takahashi

发明人： Daisuke Saida ,  Minoru Amano ,  Junichi Ito ,  Yuichi Ohsawa ,  Saori Kashiwada ,  Chikayoshi Kamata ,  Shigeki Takahashi

IPC分类号： G11C11/14

CPC分类号： H01L43/08 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  H01L27/228

摘要： According to one embodiment, a magnetic recording element includes a stacked body including a first stacked unit and a second stacked unit. The first stacked unit includes a first ferromagnetic layer, a second ferromagnetic layer and a first nonmagnetic layer. Magnetization of the first ferromagnetic layer is substantially fixed in a first direction being perpendicular to a first ferromagnetic layer surface. The second stacked unit includes a third ferromagnetic layer, a fourth ferromagnetic layer and a second nonmagnetic layer. Magnetization of the fourth ferromagnetic layer is substantially fixed in a second direction being perpendicular to a fourth ferromagnetic layer surface. The first direction is opposite to the second direction.

摘要翻译： 根据一个实施例，磁记录元件包括包括第一堆叠单元和第二堆叠单元的堆叠体。 第一堆叠单元包括第一铁磁层，第二铁磁层和第一非磁性层。 第一铁磁层的磁化在垂直于第一铁磁层表面的第一方向上基本固定。 第二堆叠单元包括第三铁磁层，第四铁磁层和第二非磁性层。 第四铁磁层的磁化在垂直于第四铁磁层表面的第二方向上基本固定。 第一方向与第二方向相反。

公开(公告)号：US20130070523A1

公开(公告)日：2013-03-21

申请号：US13416408

申请日：2012-03-09

申请人： Daisuke Saida ,  Minoru Amano ,  Junichi Ito

发明人： Daisuke Saida ,  Minoru Amano ,  Junichi Ito

IPC分类号： G11C11/15

CPC分类号： G11C11/16 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08

摘要： According to one embodiment, a magnetic memory element includes a stacked body including first and second stacked units. The first stacked unit includes first and second ferromagnetic layers and a first nonmagnetic layer. A magnetization of the first ferromagnetic layer is fixed in a direction perpendicular to the first ferromagnetic layer. A magnetization of the second ferromagnetic layer is variable. The first nonmagnetic layer is provided between the first and second ferromagnetic layers. The second stacked unit stacked with the first stacked unit includes third and fourth ferromagnetic layers and a second nonmagnetic layer. A magnetization of the third ferromagnetic layer is variable. The fourth ferromagnetic layer is stacked with the third ferromagnetic layer. A magnetization of the fourth ferromagnetic layer is fixed in a direction perpendicular to the fourth ferromagnetic layer. The second nonmagnetic layer is provided between the third and fourth ferromagnetic layers.

摘要翻译： 根据一个实施例，磁存储元件包括包括第一和第二堆叠单元的堆叠体。 第一堆叠单元包括第一和第二铁磁层和第一非磁性层。 第一铁磁层的磁化在垂直于第一铁磁层的方向固定。 第二铁磁层的磁化是可变的。 第一非磁性层设置在第一和第二铁磁层之间。 与第一堆叠单元堆叠的第二堆叠单元包括第三和第四铁磁层和第二非磁性层。 第三铁磁层的磁化是可变的。 第四铁磁层与第三铁磁层层叠。 第四铁磁层的磁化在垂直于第四铁磁层的方向固定。 第二非磁性层设置在第三和第四铁磁层之间。

公开(公告)号：US20130070522A1

公开(公告)日：2013-03-21

申请号：US13416076

申请日：2012-03-09

申请人： Daisuke Saida ,  Minoru Amano ,  Tazumi Nagasawa ,  Yuichi Ohsawa ,  Junichi Ito

发明人： Daisuke Saida ,  Minoru Amano ,  Tazumi Nagasawa ,  Yuichi Ohsawa ,  Junichi Ito

IPC分类号： G11C11/15

CPC分类号： G11C11/16 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08

摘要： According to one embodiment, a nonvolatile memory device includes a magnetic memory element and a control unit. The magnetic memory element includes a stacked body including first and second stacked units. The first stacked unit includes a first ferromagnetic layer having a magnetization fixed, a second ferromagnetic layer having a magnetization variable and a first nonmagnetic layer provided between the first and second ferromagnetic layers. The second includes a third ferromagnetic layer having a magnetization rorated by a passed current to produce oscillation, a fourth ferromagnetic layer having a magnetization fixed and a second nonmagnetic layer provided between the third and fourth ferromagnetic layers stacked with each other. A frequency of the oscillation changes in accordance with the direction of the magnetization of the second ferromagnetic layer. The control unit includes a reading unit reading out the magnetization of the second ferromagnetic layer.

摘要翻译： 根据一个实施例，非易失性存储器件包括磁存储元件和控制单元。 磁存储元件包括包括第一和第二堆叠单元的堆叠体。 第一堆叠单元包括具有磁化固定的第一铁磁层，具有磁化变化的第二铁磁层和设置在第一和第二铁磁层之间的第一非磁性层。 第二铁磁层具有通过通过的电流产生振荡的磁化的第三铁磁层，具有磁化固定的第四铁磁层和设置在彼此堆叠的第三和第四铁磁层之间的第二非磁性层。 振荡的频率根据第二铁磁层的磁化方向而变化。 控制单元包括读出第二铁磁层的磁化的读取单元。

公开(公告)号：US20130069185A1

公开(公告)日：2013-03-21

申请号：US13416724

申请日：2012-03-09

申请人： Daisuke SAIDA ,  Minoru Amano ,  Yuichi Ohsawa ,  Junichi Ito ,  Hiroaki Yoda

发明人： Daisuke SAIDA ,  Minoru Amano ,  Yuichi Ohsawa ,  Junichi Ito ,  Hiroaki Yoda

IPC分类号： H01L29/82

CPC分类号： H01F10/3286 ,  G11C11/16 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  H01F10/3236 ,  H01F10/329 ,  H01L43/08

摘要： According to one embodiment, a magnetic memory element includes a stacked body including first and second stacked units stacked with each other. The first stacked unit includes first and second ferromagnetic layers and a first nonmagnetic layer provided therebetween. The second stacked unit includes third and fourth ferromagnetic layers and a second nonmagnetic layer provided therebetween. Magnetization of the second and third ferromagnetic layers are variable. Magnetizations of the first and fourth ferromagnetic layers are fixed in a direction perpendicular to the layer surfaces. A cross-sectional area of the third ferromagnetic layer is smaller than a cross-sectional area of the first stacked unit when cut along a plane perpendicular to the stacking direction.

摘要翻译： 根据一个实施例，磁存储元件包括堆叠体，其包括彼此堆叠的第一和第二堆叠单元。 第一堆叠单元包括第一和第二铁磁层和设置在它们之间的第一非磁性层。 第二堆叠单元包括第三和第四铁磁层和设置在它们之间的第二非磁性层。 第二和第三铁磁层的磁化是可变的。 第一和第四铁磁层的磁化在垂直于层表面的方向固定。 当沿垂直于堆叠方向的平面切割时，第三铁磁层的横截面面积小于第一堆叠单元的横截面面积。

公开(公告)号：US08928055B2

公开(公告)日：2015-01-06

申请号：US13601343

申请日：2012-08-31

申请人： Daisuke Saida ,  Minoru Amano ,  Junichi Ito

发明人： Daisuke Saida ,  Minoru Amano ,  Junichi Ito

IPC分类号： H01L27/22 ,  G11C11/15

CPC分类号： H01L43/08 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  H01L27/228 ,  H01L43/12

摘要： According to one embodiment, a magnetic memory element includes a stacked body and a conductive shield. The stacked body includes first and second stacked units. The first stacked unit includes first and second ferromagnetic layers and a first nonmagnetic layer. The first ferromagnetic layer has a fixed magnetization in a first direction. A magnetization direction of the second ferromagnetic layer is variable in a second direction. The first nonmagnetic layer is provided between the first and second ferromagnetic layers. The second stacked unit includes a third ferromagnetic layer stacked with the first stacked unit in a stacking direction of the first stacked unit. A magnetization direction of the third ferromagnetic layer is variable in a third direction. The conductive shield is opposed to at least a part of a side surface of the second stacked unit. An electric potential of the conductive shield is controllable.

摘要翻译： 根据一个实施例，磁存储元件包括堆叠体和导电屏蔽。 堆叠体包括第一和第二堆叠单元。 第一堆叠单元包括第一和第二铁磁层和第一非磁性层。 第一铁磁层在第一方向上具有固定的磁化强度。 第二铁磁层的磁化方向在第二方向上是可变的。 第一非磁性层设置在第一和第二铁磁层之间。 第二堆叠单元包括在第一堆叠单元的层叠方向上与第一堆叠单元堆叠的第三铁磁层。 第三铁磁层的磁化方向在第三方向上是可变的。 导电屏蔽与第二堆叠单元的侧表面的至少一部分相对。 导电屏蔽层的电位是可控的。

公开(公告)号：US08878317B2

公开(公告)日：2014-11-04

申请号：US13210678

申请日：2011-08-16

申请人： Tadaomi Daibou ,  Minoru Amano ,  Daisuke Saida ,  Junichi Ito ,  Yuichi Ohsawa ,  Chikayoshi Kamata ,  Saori Kashiwada ,  Hiroaki Yoda

发明人： Tadaomi Daibou ,  Minoru Amano ,  Daisuke Saida ,  Junichi Ito ,  Yuichi Ohsawa ,  Chikayoshi Kamata ,  Saori Kashiwada ,  Hiroaki Yoda

IPC分类号： H01L29/82 ,  H01L43/10 ,  H01F10/32 ,  H01L43/08 ,  H01L27/22

CPC分类号： H01L43/02 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3272 ,  H01F10/3286 ,  H01F10/329 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

摘要： A magnetoresistive element according to an embodiment includes: a first to third ferromagnetic layers, and a first nonmagnetic layer, the first and second ferromagnetic layers each having an axis of easy magnetization in a direction perpendicular to a film plane, the third ferromagnetic layer including a plurality of ferromagnetic oscillators generating rotating magnetic fields of different oscillation frequencies from one another. Spin-polarized electrons are injected into the first ferromagnetic layer and induce precession movements in the plurality of ferromagnetic oscillators of the third ferromagnetic layer by flowing a current between the first and third ferromagnetic layers, the rotating magnetic fields are generated by the precession movements and are applied to the first ferromagnetic layer, and at least one of the rotating magnetic fields assists a magnetization switching in the first ferromagnetic layer.

摘要翻译： 根据实施例的磁阻元件包括：第一至第三铁磁层和第一非磁性层，第一和第二铁磁层各自在垂直于膜平面的方向上具有容易磁化的轴，所述第三铁磁层包括 多个铁磁振荡器产生彼此不同振荡频率的旋转磁场。 旋转极化电子被注入到第一铁磁层中并通过在第一和第三铁磁层之间流动电流而引起第三铁磁层的多个铁磁振荡器中的进动运动，旋转磁场由进动运动产生，并且是 施加到第一铁磁层，并且至少一个旋转磁场有助于第一铁磁层中的磁化切换。

公开(公告)号：US08737122B2

公开(公告)日：2014-05-27

申请号：US13416076

申请日：2012-03-09

申请人： Daisuke Saida ,  Minoru Amano ,  Tazumi Nagasawa ,  Yuichi Ohsawa ,  Junichi Ito

发明人： Daisuke Saida ,  Minoru Amano ,  Tazumi Nagasawa ,  Yuichi Ohsawa ,  Junichi Ito

IPC分类号： G11C11/15 ,  G11C11/16

CPC分类号： G11C11/16 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08

摘要： According to one embodiment, a nonvolatile memory device includes a magnetic memory element and a control unit. The magnetic memory element includes a stacked body including first and second stacked units. The first stacked unit includes a first ferromagnetic layer having a magnetization fixed, a second ferromagnetic layer having a magnetization variable and a first nonmagnetic layer provided between the first and second ferromagnetic layers. The second includes a third ferromagnetic layer having a magnetization rorated by a passed current to produce oscillation, a fourth ferromagnetic layer having a magnetization fixed and a second nonmagnetic layer provided between the third and fourth ferromagnetic layers stacked with each other. A frequency of the oscillation changes in accordance with the direction of the magnetization of the second ferromagnetic layer. The control unit includes a reading unit reading out the magnetization of the second ferromagnetic layer.

摘要翻译： 根据一个实施例，非易失性存储器件包括磁存储元件和控制单元。 磁存储元件包括包括第一和第二堆叠单元的堆叠体。 第一堆叠单元包括具有磁化固定的第一铁磁层，具有磁化变化的第二铁磁层和设置在第一和第二铁磁层之间的第一非磁性层。 第二铁磁层具有由通过的电流产生振荡的磁化的第三铁磁层，具有磁化固定的第四铁磁层和设置在彼此堆叠的第三和第四铁磁层之间的第二非磁性层。 振荡的频率根据第二铁磁层的磁化方向而变化。 控制单元包括读出第二铁磁层的磁化的读取单元。

公开(公告)号：US20130249024A1

公开(公告)日：2013-09-26

申请号：US13601343

申请日：2012-08-31

申请人： Daisuke SAIDA ,  Minoru Amano ,  Junichi Ito

发明人： Daisuke SAIDA ,  Minoru Amano ,  Junichi Ito

IPC分类号： H01L43/06

CPC分类号： H01L43/08 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  H01L27/228 ,  H01L43/12

摘要： According to one embodiment, a magnetic memory element includes a stacked body and a conductive shield. The stacked body includes first and second stacked units. The first stacked unit includes first and second ferromagnetic layers and a first nonmagnetic layer. The first ferromagnetic layer has a fixed magnetization in a first direction. A magnetization direction of the second ferromagnetic layer is variable in a second direction. The first nonmagnetic layer is provided between the first and second ferromagnetic layers. The second stacked unit includes a third ferromagnetic layer stacked with the first stacked unit in a stacking direction of the first stacked unit. A magnetization direction of the third ferromagnetic layer is variable in a third direction. The conductive shield is opposed to at least a part of a side surface of the second stacked unit. An electric potential of the conductive shield is controllable.

摘要翻译： 根据一个实施例，磁存储元件包括堆叠体和导电屏蔽。 堆叠体包括第一和第二堆叠单元。 第一堆叠单元包括第一和第二铁磁层和第一非磁性层。 第一铁磁层在第一方向上具有固定的磁化强度。 第二铁磁层的磁化方向在第二方向上是可变的。 第一非磁性层设置在第一和第二铁磁层之间。 第二堆叠单元包括在第一堆叠单元的层叠方向上与第一堆叠单元堆叠的第三铁磁层。 第三铁磁层的磁化方向在第三方向上是可变的。 导电屏蔽与第二堆叠单元的侧表面的至少一部分相对。 导电屏蔽层的电位是可控的。

公开(公告)号：US08716817B2

公开(公告)日：2014-05-06

申请号：US13416724

申请日：2012-03-09

申请人： Daisuke Saida ,  Minoru Amano ,  Yuichi Ohsawa ,  Junichi Ito ,  Hiroaki Yoda

发明人： Daisuke Saida ,  Minoru Amano ,  Yuichi Ohsawa ,  Junichi Ito ,  Hiroaki Yoda

IPC分类号： H01L29/82

CPC分类号： H01F10/3286 ,  G11C11/16 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  H01F10/3236 ,  H01F10/329 ,  H01L43/08

摘要： According to one embodiment, a magnetic memory element includes a stacked body including first and second stacked units stacked with each other. The first stacked unit includes first and second ferromagnetic layers and a first nonmagnetic layer provided therebetween. The second stacked unit includes third and fourth ferromagnetic layers and a second nonmagnetic layer provided therebetween. Magnetization of the second and third ferromagnetic layers are variable. Magnetizations of the first and fourth ferromagnetic layers are fixed in a direction perpendicular to the layer surfaces. A cross-sectional area of the third ferromagnetic layer is smaller than a cross-sectional area of the first stacked unit when cut along a plane perpendicular to the stacking direction.

摘要翻译： 根据一个实施例，磁存储元件包括堆叠体，其包括彼此堆叠的第一和第二堆叠单元。 第一堆叠单元包括第一和第二铁磁层和设置在它们之间的第一非磁性层。 第二堆叠单元包括第三和第四铁磁层和设置在它们之间的第二非磁性层。 第二和第三铁磁层的磁化是可变的。 第一和第四铁磁层的磁化在垂直于层表面的方向固定。 当沿垂直于堆叠方向的平面切割时，第三铁磁层的横截面面积小于第一堆叠单元的横截面面积。