公开(公告)号：US08000127B2

公开(公告)日：2011-08-16

申请号：US12618448

申请日：2009-11-13

申请人： Darlene Hamilton ,  Rinn Cleavelin

发明人： Darlene Hamilton ,  Rinn Cleavelin

IPC分类号： G11C11/00 ,  G11C17/00

CPC分类号： G11C5/06 ,  B82Y10/00 ,  G11C5/147 ,  G11C11/5614 ,  G11C11/5678 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0009 ,  G11C13/0011 ,  G11C13/0061 ,  G11C13/0064 ,  G11C13/0069 ,  G11C13/0097 ,  G11C13/025 ,  G11C2013/0076 ,  G11C2013/0092 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/79

摘要： A method of resetting a resistive change memory element is disclosed. The method comprises performing a series of programming operations—for example, a programming pulse of a predetermined voltage level and pulse width—on a resistive change memory element in order to incrementally increase the resistance of the memory element above some predefined threshold. Prior to each programming operation, the resistive state of the memory element is measured and used to determine the parameters used in that programming operation. If this measured resistance value is above a first threshold value, the memory element is determined to already be in a reset state and no further programming operation is performed. If this measured resistance value is below a second threshold value, this second threshold value being less than the first threshold value, a first set of programming parameters are used within the programming operation. If this initial value is above the second threshold value but below the first threshold value, a second set of programming parameters are used within the programming operation.

摘要翻译： 公开了一种复位电阻变化存储元件的方法。 该方法包括执行一系列编程操作 - 例如，电阻变化存储器元件上的预定电压电平和脉冲宽度的编程脉冲，以便将存储器元件的电阻递增地增加到高于某个预定阈值。 在每个编程操作之前，测量存储元件的电阻状态并用于确定在该编程操作中使用的参数。 如果该测量的电阻值高于第一阈值，则确定存储元件已经处于复位状态，并且不执行进一步的编程操作。 如果该测量的电阻值低于第二阈值，该第二阈值小于第一阈值，则在编程操作中使用第一组编程参数。 如果该初始值高于第二阈值但低于第一阈值，则在编程操作中使用第二组编程参数。

公开(公告)号：US20060286759A1

公开(公告)日：2006-12-21

申请号：US11157224

申请日：2005-06-21

申请人： Weize Xiong ,  Rinn Cleavelin

发明人： Weize Xiong ,  Rinn Cleavelin

IPC分类号： H01L21/331

CPC分类号： H01L27/0883 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/6659

摘要： The present invention provides a metal oxide semiconductor (MOS) device, a method of manufacture therefore, and an integrated circuit including the same. The metal oxide semiconductor (MOS) device (100), without limitation, may include a first accumulation mode transistor device (120, 160) located over or in a substrate (110), as well as a second enhancement mode transistor (140, 180) device located over or in the substrate (110).

摘要翻译： 本发明提供一种金属氧化物半导体（MOS）器件及其制造方法以及包括该金属氧化物半导体的集成电路。 金属氧化物半导体（MOS）器件（100）（不限于此）可以包括位于衬底（110）上方或衬底（110）中的第一累积模式晶体管器件（120,160），以及第二增强模式晶体管 ）设备位于衬底（110）上方或衬底（110）中。

公开(公告)号：US08541843B2

公开(公告)日：2013-09-24

申请号：US12536803

申请日：2009-08-06

申请人： Claude L. Bertin ,  Rinn Cleavelin ,  Thomas Rueckes

发明人： Claude L. Bertin ,  Rinn Cleavelin ,  Thomas Rueckes

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L27/12

CPC分类号： G11C13/0069 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0061 ,  G11C13/025 ,  G11C23/00 ,  G11C29/02 ,  G11C29/021 ,  G11C29/023 ,  G11C29/028 ,  G11C2013/0042 ,  G11C2013/0054 ,  G11C2213/35 ,  G11C2213/82 ,  H03K19/17728 ,  H03K19/17736 ,  H03K19/1776 ,  H03K19/1778 ,  H03K19/17796 ,  Y10S977/94

摘要： Field programmable device (FPD) chips with large logic capacity and field programmability that are in-circuit programmable are described. FPDs use small versatile nonvolatile nanotube switches that enable efficient architectures for dense low power and high performance chip implementations and are compatible with low cost CMOS technologies and simple to integrate.

摘要翻译： 描述了具有大电路可编程的具有大逻辑容量和现场可编程性的现场可编程器件（FPD）芯片。 FPD使用小型多功能非易失性纳米管开关，可实现低密度低功耗和高性能芯片实现的高效架构，并兼容低成本CMOS技术并易于集成。