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    PROCEDURE FOR PREPARING REDOX-ACTIVE POLYMERS ON SURFACES
    1.
    发明申请
    PROCEDURE FOR PREPARING REDOX-ACTIVE POLYMERS ON SURFACES 失效
    在表面上制备氧化还原活性聚合物的方法

    公开(公告)号：US20080280047A1

    公开(公告)日：2008-11-13

    申请号：US10800147

    申请日：2004-03-11

    申请人： David F. Bocian ,  Zhiming Liu Liu ,  Jonathan S. Lindsey

    发明人： David F. Bocian ,  Zhiming Liu Liu ,  Jonathan S. Lindsey

    IPC分类号： B05D5/12 ,  B05D3/10

    CPC分类号： H01L51/0089 ,  B82Y10/00 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0595

    摘要： This invention provides novel methods for the formation of redox-active polymers attached to surfaces. In certain embodiments, the methods involve providing redox-active molecules bearing at least a first reactive site or group and a second reactive site or group; and contacting the surface with the redox-active molecules where the contacting is under conditions that result in attachment of said redox-active molecules to said surface via the first reactive site or group and attachment of redox-active molecules via the second reactive site or group, to the redox-active molecules attached to the surface thereby forming a polymer attached to said surface where the polymers comprise at least two of said redox-active molecules.

    摘要翻译： 本发明提供了形成附着于表面的氧化还原活性聚合物的新方法。 在某些实施方案中，所述方法包括提供至少具有第一反应位点或基团和第二反应位点或基团的氧化还原活性分子; 以及使所述表面与所述氧化还原活性分子接触，其中所述接触在导致所述氧化还原活性分子经由所述第一反应位点或基团连接到所述表面的条件下，并且经由所述第二反应性位点或基团连接氧化还原活性分子 附着于表面的氧化还原活性分子，从而形成连接到所述表面的聚合物，其中聚合物包含至少两种所述氧化还原活性分子。

    Procedure for preparing redox-active polymers on surfaces
    3.
    发明授权
    Procedure for preparing redox-active polymers on surfaces 有权
    在表面上制备氧化还原活性聚合物的方法

    公开(公告)号：US08231941B2

    公开(公告)日：2012-07-31

    申请号：US12265990

    申请日：2008-11-06

    申请人： David F. Bocian ,  Zhiming Liu ,  Jonathan S. Lindsey

    发明人： David F. Bocian ,  Zhiming Liu ,  Jonathan S. Lindsey

    IPC分类号： B05D5/12 ,  B05D3/10

    CPC分类号： H01L51/0089 ,  B82Y10/00 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0595

    摘要： This invention provides novel methods for the formation of redox-active polymers attached to surfaces. In certain embodiments, the methods involve providing redox-active molecules bearing at least a first reactive site or group and a second reactive site or group; and contacting the surface with the redox-active molecules where the contacting is under conditions that result in attachment of said redox-active molecules to said surface via the first reactive site or group and attachment of redox-active molecules via the second reactive site or group, to the redox-active molecules attached to the surface thereby forming a polymer attached to said surface where the polymers comprise at least two of said redox-active molecules.

    摘要翻译： 本发明提供了形成附着于表面的氧化还原活性聚合物的新方法。 在某些实施方案中，所述方法包括提供至少具有第一反应位点或基团和第二反应位点或基团的氧化还原活性分子; 以及使所述表面与所述氧化还原活性分子接触，其中所述接触在导致所述氧化还原活性分子经由所述第一反应位点或基团连接到所述表面的条件下，并且经由所述第二反应性位点或基团连接氧化还原活性分子 附着于表面的氧化还原活性分子，从而形成连接到所述表面的聚合物，其中聚合物包含至少两种所述氧化还原活性分子。

    Multistate triple-decker dyads in three distinct architectures for information storage applications
    5.
    发明授权
    Multistate triple-decker dyads in three distinct architectures for information storage applications 失效
    用于信息存储应用的三种不同架构中的多层三层二层

    公开(公告)号：US06728129B2

    公开(公告)日：2004-04-27

    申请号：US10079938

    申请日：2002-02-19

    申请人： Jonathan S. Lindsey ,  David F. Bocian ,  Karl-Heinz Schweikart ,  Werner G. Kuhr

    发明人： Jonathan S. Lindsey ,  David F. Bocian ,  Karl-Heinz Schweikart ,  Werner G. Kuhr

    IPC分类号： G11C1100

    CPC分类号： G11C13/0014 ,  B82Y10/00 ,  G11B9/14 ,  G11B9/149 ,  G11C11/34 ,  G11C11/5664 ,  G11C13/0009 ,  G11C13/025 ,  G11C2213/77

    摘要： This invention provides novel high density memory devices that are electrically addressable permitting effective reading and writing, that provide a high memory density (e.g., 1015 bits/cm3), that provide a high degree of fault tolerance, and that are amenable to efficient chemical synthesis and chip fabrication. The devices are intrinsically latchable, defect tolerant, and support destructive or non-destructive read cycles. In a preferred embodiment, the device comprises a fixed electrode electrically coupled to a storage medium having a multiplicity of different and distinguishable oxidation states wherein data is stored in said oxidation states by the addition or withdrawal of one or more electrons from said storage medium via the electrically coupled electrode. The storage medium typically comprises a storage molecule that is a triple-decker sandwich heterodimer. Such dimers can provide 8 or more oxidation states and permit the storage of at least 3 bits per molecule.

    摘要翻译： 本发明提供了可提供高存储密度（例如，10,15bit / cm 3）的电位置可允许有效读/写的新型高密度存储器件，其提供高度的容错能力，并且 适合有效的化学合成和芯片制造。 器件本质上可锁定，缺陷容忍，并支持破坏性或非破坏性的读取周期。 在优选实施例中，该器件包括电耦合到存储介质的固定电极，该存储介质具有多种不同且可区分的氧化态，其中通过经由该存储介质从所述存储介质中添加或撤出一个或多个电子而将数据存储在所述氧化态中 电耦合电极。 存储介质通常包含作为三层三明治夹心异二聚体的储存分子。 这种二聚体可以提供8个或更多个氧化态，并允许每分子存储至少3位。

    High density non-volatile memory device
    7.
    发明授权
    High density non-volatile memory device 有权
    高密度非易失性存储器件

    公开(公告)号：US06381169B1

    公开(公告)日：2002-04-30

    申请号：US09346228

    申请日：1999-07-01

    申请人： David F. Bocian ,  Werner G. Kuhr ,  Jonathan S. Lindsey

    发明人： David F. Bocian ,  Werner G. Kuhr ,  Jonathan S. Lindsey

    IPC分类号： G11C1300

    CPC分类号： H01L51/0078 ,  B82Y10/00 ,  C07D487/22 ,  C07D519/00 ,  C07F17/02 ,  G11B9/14 ,  G11B9/149 ,  G11C11/5664 ,  G11C13/0009 ,  G11C13/0014 ,  G11C13/0016 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/77 ,  H01L27/28 ,  H01L51/0077 ,  H01L51/0084 ,  H01L51/009 ,  H01L51/0595 ,  Y10S977/943

    摘要： This invention provides novel high density memory devices that are electrically addressable permitting effective reading and writing, that provide a high memory density (e.g., 1015 bits/cm3), that provide a high degree of fault tolerance, and that are amenable to efficient chemical synthesis and chip fabrication. The devices are intrinsically latchable, defect tolerant, and support destructive or non-destructive read cycles. In a preferred embodiment, the device comprises a fixed electrode electrically coupled to a storage medium having a multiplicity of different and distinguishable oxidation states wherein data is stored in said oxidation states by the addition or withdrawal of one or more electrons from said storage medium via the electrically coupled electrode.

    摘要翻译： 本发明提供了新颖的高密度存储器件，其可电寻址以允许有效读取和写入，其提供高存储密度（例如，1015比特/ cm 3），其提供高度的容错性，并且适于有效的化学合成 和芯片制造。 器件本质上可锁定，缺陷容忍，并支持破坏性或非破坏性的读取周期。 在优选实施例中，该装置包括电耦合到存储介质的固定电极，该存储介质具有多种不同且可区分的氧化态，其中通过经由该存储介质从所述存储介质中添加或撤出一个或多个电子而将数据存储在所述氧化态中 电耦合电极。