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    METHODS FOR WET CHEMISTRY POLISHING FOR IMPROVED LOW VISCOSITY PRINTING IN SOLAR CELL FABRICATION
    2.
    发明申请
    METHODS FOR WET CHEMISTRY POLISHING FOR IMPROVED LOW VISCOSITY PRINTING IN SOLAR CELL FABRICATION 有权
    用于改善太阳能电池制造中低粘度印刷的湿化学抛光方法

    公开(公告)号：US20140273331A1

    公开(公告)日：2014-09-18

    申请号：US13801192

    申请日：2013-03-13

    申请人： Genevieve A. Solomon ,  Scott Harrington ,  Kahn Wu ,  Paul Loscutoff ,  Junbo Wu ,  Steven Edward Molesa

    发明人： Genevieve A. Solomon ,  Scott Harrington ,  Kahn Wu ,  Paul Loscutoff ,  Junbo Wu ,  Steven Edward Molesa

    IPC分类号： H01L31/18

    CPC分类号： H01L31/022441 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

    摘要： A method of fabricating a solar cell is disclosed. The method includes forming a polished surface on a silicon substrate and forming a first flowable matrix in an interdigitated pattern on the polished surface, where the polished surface allows the first flowable matrix to form an interdigitated pattern comprising features of uniform thickness and width. In an embodiment, the method includes forming the silicon substrate using a method such as, but not limited to, of diamond wire or slurry wafering processes. In another embodiment, the method includes forming the polished surface on the silicon substrate using a chemical etchant such as, but not limited to, sulfuric acid (H2SO4), acetic acid (CH3COOH), nitric acid (HNO3), hydrofluoric acid (HF) or phosphoric acid (H3PO4). In still another embodiment, the etchant is an isotropic etchant. In yet another embodiment, the method includes providing a surface of the silicon substrate with at most 500 nanometer peak-to-valley roughness.

    摘要翻译： 公开了一种制造太阳能电池的方法。 该方法包括在硅衬底上形成抛光表面，并在研磨表面上形成交错图案中的第一可流动基质，其中抛光表面允许第一可流动基质形成包括均匀厚度和宽度特征的叉指图案。 在一个实施例中，该方法包括使用诸如但不限于金刚石线或浆料晶片化方法的方法来形成硅衬底。 在另一个实施方案中，该方法包括使用化学蚀刻剂（例如但不限于硫酸（H 2 SO 4）），乙酸（CH 3 COOH），硝酸（HNO 3），氢氟酸（HF））在硅衬底上形成抛光表面， 或磷酸（H 3 PO 4）。 在另一个实施方案中，蚀刻剂是各向同性蚀刻剂。 在另一个实施例中，该方法包括提供硅衬底的表面至多500纳米的峰 - 谷粗糙度。

    PASSIVATION OF LIGHT-RECEIVING SURFACES OF SOLAR CELLS
    3.
    发明申请
    PASSIVATION OF LIGHT-RECEIVING SURFACES OF SOLAR CELLS 审中-公开
    太阳能电池的光接收表面的钝化

    公开(公告)号：US20150280018A1

    公开(公告)日：2015-10-01

    申请号：US14226368

    申请日：2014-03-26

    申请人： Seung Bum Rim ,  Genevieve A. Solomon ,  Michael C. Johnson ,  Jérôme Damon-Lacoste ,  Antoine Marie Olivier Salomon

    发明人： Seung Bum Rim ,  Genevieve A. Solomon ,  Michael C. Johnson ,  Jérôme Damon-Lacoste ,  Antoine Marie Olivier Salomon

    IPC分类号： H01L31/0216 ,  H01L31/20 ,  H01L31/18 ,  H01L31/068

    CPC分类号： H01L31/02167 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/0745 ,  H01L31/0747 ,  Y02E10/547

    摘要： Methods of passivating light-receiving surfaces of solar cells, and the resulting solar cells, are described. In an example, a solar cell includes a silicon substrate having a light-receiving surface. An intrinsic silicon layer is disposed above the light-receiving surface of the silicon substrate. An N-type silicon layer is disposed on the intrinsic silicon layer. A non-conductive anti-reflective coating (ARC) layer is disposed on the N-type silicon layer. In another example, a solar cell includes a silicon substrate having a light-receiving surface. A tunneling dielectric layer is disposed on the light-receiving surface of the silicon substrate. An N-type silicon layer is disposed on the tunneling dielectric layer. A non-conductive anti-reflective coating (ARC) layer is disposed on the N-type silicon layer.

    摘要翻译： 描述了太阳能电池的光接收表面的钝化方法和所得的太阳能电池。 在一个示例中，太阳能电池包括具有光接收表面的硅衬底。 本征硅层设置在硅衬底的光接收表面之上。 N型硅层设置在本征硅层上。 非导电性抗反射涂层（ARC）层设置在N型硅层上。 在另一示例中，太阳能电池包括具有受光面的硅基板。 隧道电介质层设置在硅衬底的光接收表面上。 N型硅层设置在隧道电介质层上。 非导电性抗反射涂层（ARC）层设置在N型硅层上。

    METHODS FOR WET CHEMISTRY POLISHING FOR IMPROVED LOW VISCOSITY PRINTING IN SOLAR CELL FABRICATION
    4.
    发明申请
    METHODS FOR WET CHEMISTRY POLISHING FOR IMPROVED LOW VISCOSITY PRINTING IN SOLAR CELL FABRICATION 有权
    用于改善太阳能电池制造中低粘度印刷的湿化学抛光方法

    公开(公告)号：US20150364625A1

    公开(公告)日：2015-12-17

    申请号：US14744962

    申请日：2015-06-19

    申请人： Genevieve A. Solomon ,  Scott Harrington ,  Kahn Wu ,  Paul Loscutoff ,  Junbo Wu ,  Steven Edward Molesa

    发明人： Genevieve A. Solomon ,  Scott Harrington ,  Kahn Wu ,  Paul Loscutoff ,  Junbo Wu ,  Steven Edward Molesa

    IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/18

    CPC分类号： H01L31/022441 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

    摘要： A method of fabricating a solar cell is disclosed. The method includes forming a polished surface on a silicon substrate and forming a first flowable matrix in an interdigitated pattern on the polished surface, where the polished surface allows the first flowable matrix to form an interdigitated pattern comprising features of uniform thickness and width. In an embodiment, the method includes forming the silicon substrate using a method such as, but not limited to, of diamond wire or slurry wafering processes. In another embodiment, the method includes forming the polished surface on the silicon substrate using a chemical etchant such as, but not limited to, sulfuric acid (H2SO4), acetic acid (CH3COOH), nitric acid (HNO3), hydrofluoric acid (HF) or phosphoric acid (H3PO4). In still another embodiment, the etchant is an isotropic etchant. In yet another embodiment, the method includes providing a surface of the silicon substrate with at most 500 nanometer peak-to-valley roughness.

    摘要翻译： 公开了一种制造太阳能电池的方法。 该方法包括在硅衬底上形成抛光表面，并在研磨表面上形成交错图案中的第一可流动基质，其中抛光表面允许第一可流动基质形成包括均匀厚度和宽度特征的叉指图案。 在一个实施例中，该方法包括使用诸如但不限于金刚石线或浆料晶片化方法的方法来形成硅衬底。 在另一个实施方案中，该方法包括使用化学蚀刻剂（例如但不限于硫酸（H 2 SO 4）），乙酸（CH 3 COOH），硝酸（HNO 3），氢氟酸（HF））在硅衬底上形成抛光表面， 或磷酸（H 3 PO 4）。 在另一个实施方案中，蚀刻剂是各向同性蚀刻剂。 在另一个实施例中，该方法包括提供硅衬底的表面至多500纳米的峰 - 谷粗糙度。