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    Fin type field effect transistors and methods of manufacturing the same
    1.
    发明申请
    Fin type field effect transistors and methods of manufacturing the same 有权
    鳍式场效应晶体管及其制造方法

    公开(公告)号：US20060189058A1

    公开(公告)日：2006-08-24

    申请号：US11359000

    申请日：2006-02-22

    申请人： Jong-Wook Lee ,  Deok-Hyung Lee ,  Min-Gu Kang ,  Yu-Gyun Shin

    发明人： Jong-Wook Lee ,  Deok-Hyung Lee ,  Min-Gu Kang ,  Yu-Gyun Shin

    IPC分类号： H01L21/8234 ,  H01L29/76

    CPC分类号： H01L29/78618 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

    摘要： A fin type field effect transistor includes a semiconductor substrate, an active fin, a first hard mask layer pattern, a gate insulation layer pattern, a first conductive layer pattern, and source/drain regions. The active fin includes a semiconductor material and is formed on the substrate and extends in a direction away from a major surface of the substrate. The first hard mask layer pattern is formed on a distal surface of the active fin from the substrate. The gate insulation layer is formed on a sidewall portion of the active fin. The first conductive layer pattern includes a metal silicide and is formed on surfaces of the substrate and the gate insulation layer pattern, and on a sidewall of the first hard mask pattern. The source/drain regions are formed in the active fin on opposite sides of the first conductive layer pattern.

    摘要翻译： 鳍型场效应晶体管包括半导体衬底，有源鳍，第一硬掩模层图案，栅极绝缘层图案，第一导电层图案和源极/漏极区域。 活性鳍片包括半导体材料，并且形成在基底上并沿远离基底的主表面的方向延伸。 第一硬掩模层图案形成在有源鳍片的远离表面上的基底上。 栅极绝缘层形成在有源鳍片的侧壁部分上。 第一导电层图案包括金属硅化物，并且形成在基板和栅极绝缘层图案的表面上，以及在第一硬掩模图案的侧壁上。 源极/漏极区域形成在第一导电层图案的相对侧上的有源鳍片中。

    Fin field effect transistor and method of manufacturing the same
    2.
    发明申请
    Fin field effect transistor and method of manufacturing the same 有权
    Fin场效应晶体管及其制造方法

    公开(公告)号：US20060118876A1

    公开(公告)日：2006-06-08

    申请号：US11292261

    申请日：2005-11-30

    申请人： Deok-Hyung Lee ,  Yu-Gyun Shin ,  Jong-Wook Lee ,  Min-Gu Kang

    发明人： Deok-Hyung Lee ,  Yu-Gyun Shin ,  Jong-Wook Lee ,  Min-Gu Kang

    IPC分类号： H01L21/338 ,  H01L29/76

    CPC分类号： H01L29/7851 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7854

    摘要： In a fin field effect transistor (FET), an active pattern protrudes in a vertical direction from a substrate and extends across the substrate in a first horizontal direction. A first silicon nitride pattern is formed on the active pattern, and a first oxide pattern and a second silicon nitride pattern are sequentially formed on the substrate and on a sidewall of a lower portion of the active pattern. A device isolation layer is formed on the second silicon nitride pattern, and a top surface of the device isolation layer is coplanar with top surfaces of the oxide pattern and the second silicon nitride pattern. A buffer pattern having an etching selectivity with respect to the second silicon nitride pattern is formed between the first oxide pattern and the second silicon nitride pattern. Internal stresses that can be generated in sidewalls of the active pattern are sufficiently released and an original shape of the first silicon nitride pattern remains unchanged, thereby improving electrical characteristics of the fin FET.

    摘要翻译： 在鳍状场效应晶体管（FET）中，有源图案在垂直方向上从基板突出，并且在第一水平方向上延伸穿过基板。 第一氮化硅图案形成在有源图案上，并且第一氧化物图案和第二氮化硅图案依次形成在衬底上和活性图案的下部的侧壁上。 在第二氮化硅图案上形成器件隔离层，器件隔离层的顶表面与氧化物图案和第二氮化硅图案的顶表面共面。 在第一氧化物图案和第二氮化硅图案之间形成具有相对于第二氮化硅图案的蚀刻选择性的缓冲图案。 可以在有源图案的侧壁中产生的内部应力被充分地释放，并且第一氮化硅图案的原始形状保持不变，从而改善了鳍式FET的电特性。

    FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
    3.
    发明申请
    FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME 有权
    FIN场效应晶体管及其制造方法

    公开(公告)号：US20080093674A1

    公开(公告)日：2008-04-24

    申请号：US11952676

    申请日：2007-12-07

    申请人： Deok-Hyung Lee ,  Yu-Gyun Shin ,  Jong-Wook Lee ,  Min-Gu Kang

    发明人： Deok-Hyung Lee ,  Yu-Gyun Shin ,  Jong-Wook Lee ,  Min-Gu Kang

    IPC分类号： H01L29/78

    CPC分类号： H01L29/7851 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7854

    摘要： In a fin field effect transistor (FET), an active pattern protrudes in a vertical direction from a substrate and extends across the substrate in a first horizontal direction. A first silicon nitride pattern is formed on the active pattern, and a first oxide pattern and a second silicon nitride pattern are sequentially formed on the substrate and on a sidewall of a lower portion of the active pattern. A device isolation layer is formed on the second silicon nitride pattern, and a top surface of the device isolation layer is coplanar with top surfaces of the oxide pattern and the second silicon nitride pattern. A buffer pattern having an etching selectivity with respect to the second silicon nitride pattern is formed between the first oxide pattern and the second silicon nitride pattern. Internal stresses that can be generated in sidewalls of the active pattern are sufficiently released and an original shape of the first silicon nitride pattern remains unchanged, thereby improving electrical characteristics of the fin FET.

    摘要翻译： 在鳍状场效应晶体管（FET）中，有源图案在垂直方向上从基板突出，并且在第一水平方向上延伸穿过基板。 第一氮化硅图案形成在有源图案上，并且第一氧化物图案和第二氮化硅图案依次形成在衬底上和活性图案的下部的侧壁上。 在第二氮化硅图案上形成器件隔离层，器件隔离层的顶表面与氧化物图案和第二氮化硅图案的顶表面共面。 在第一氧化物图案和第二氮化硅图案之间形成具有相对于第二氮化硅图案的蚀刻选择性的缓冲图案。 可以在有源图案的侧壁中产生的内部应力被充分地释放，并且第一氮化硅图案的原始形状保持不变，从而改善了鳍式FET的电特性。

    Fin field effect transistor and method of manufacturing the same
    4.
    发明授权
    Fin field effect transistor and method of manufacturing the same 有权
    Fin场效应晶体管及其制造方法

    公开(公告)号：US07652340B2

    公开(公告)日：2010-01-26

    申请号：US11952676

    申请日：2007-12-07

    申请人： Deok-Hyung Lee ,  Yu-Gyun Shin ,  Jong-Wook Lee ,  Min-Gu Kang

    发明人： Deok-Hyung Lee ,  Yu-Gyun Shin ,  Jong-Wook Lee ,  Min-Gu Kang

    IPC分类号： H01L29/78

    CPC分类号： H01L29/7851 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7854

    摘要： In a fin field effect transistor (FET), an active pattern protrudes in a vertical direction from a substrate and extends across the substrate in a first horizontal direction. A first silicon nitride pattern is formed on the active pattern, and a first oxide pattern and a second silicon nitride pattern are sequentially formed on the substrate and on a sidewall of a lower portion of the active pattern. A device isolation layer is formed on the second silicon nitride pattern, and a top surface of the device isolation layer is coplanar with top surfaces of the oxide pattern and the second silicon nitride pattern. A buffer pattern having an etching selectivity with respect to the second silicon nitride pattern is formed between the first oxide pattern and the second silicon nitride pattern. Internal stresses that can be generated in sidewalls of the active pattern are sufficiently released and an original shape of the first silicon nitride pattern remains unchanged, thereby improving electrical characteristics of the fin FET.

    摘要翻译： 在鳍状场效应晶体管（FET）中，有源图案在垂直方向上从基板突出，并且在第一水平方向上延伸穿过基板。 第一氮化硅图案形成在有源图案上，并且第一氧化物图案和第二氮化硅图案依次形成在衬底上和活性图案的下部的侧壁上。 在第二氮化硅图案上形成器件隔离层，器件隔离层的顶表面与氧化物图案和第二氮化硅图案的顶表面共面。 在第一氧化物图案和第二氮化硅图案之间形成具有相对于第二氮化硅图案的蚀刻选择性的缓冲图案。 可以在有源图案的侧壁中产生的内部应力被充分地释放，并且第一氮化硅图案的原始形状保持不变，从而改善了鳍式FET的电特性。

    Methods of manufacturing fin type field effect transistors
    6.
    发明授权
    Methods of manufacturing fin type field effect transistors 有权
    制造鳍式场效应晶体管的方法

    公开(公告)号：US07442596B2

    公开(公告)日：2008-10-28

    申请号：US11359000

    申请日：2006-02-22

    申请人： Jong-Wook Lee ,  Deok-Hyung Lee ,  Min-Gu Kang ,  Yu-Gyun Shin

    发明人： Jong-Wook Lee ,  Deok-Hyung Lee ,  Min-Gu Kang ,  Yu-Gyun Shin

    IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/8234

    CPC分类号： H01L29/78618 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

    摘要： A fin type field effect transistor includes a semiconductor substrate, an active fin, a first hard mask layer pattern, a gate insulation layer pattern, a first conductive layer pattern, and source/drain regions. The active fin includes a semiconductor material and is formed on the substrate and extends in a direction away from a major surface of the substrate. The first hard mask layer pattern is formed on a distal surface of the active fin from the substrate. The gate insulation layer is formed on a sidewall portion of the active fin. The first conductive layer pattern includes a metal silicide and is formed on surfaces of the substrate and the gate insulation layer pattern, and on a sidewall of the first hard mask pattern. The source/drain regions are formed in the active fin on opposite sides of the first conductive layer pattern.

    摘要翻译： 鳍型场效应晶体管包括半导体衬底，有源鳍，第一硬掩模层图案，栅极绝缘层图案，第一导电层图案和源极/漏极区域。 活性鳍片包括半导体材料，并且形成在基底上并沿远离基底的主表面的方向延伸。 第一硬掩模层图案形成在有源鳍片的远离表面上的基底上。 栅极绝缘层形成在有源鳍片的侧壁部分上。 第一导电层图案包括金属硅化物，并且形成在基板和栅极绝缘层图案的表面上，以及在第一硬掩模图案的侧壁上。 源极/漏极区域形成在第一导电层图案的相对侧上的有源鳍片中。

    Fin field effect transistor and method of manufacturing the same
    7.
    发明授权
    Fin field effect transistor and method of manufacturing the same 有权
    Fin场效应晶体管及其制造方法

    公开(公告)号：US07326608B2

    公开(公告)日：2008-02-05

    申请号：US11292261

    申请日：2005-11-30

    申请人： Deok-Hyung Lee ,  Yu-Gyun Shin ,  Jong-Wook Lee ,  Min-Gu Kang

    发明人： Deok-Hyung Lee ,  Yu-Gyun Shin ,  Jong-Wook Lee ,  Min-Gu Kang

    IPC分类号： H01L21/8238

    CPC分类号： H01L29/7851 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7854

    摘要： In a fin field effect transistor (FET), an active pattern protrudes in a vertical direction from a substrate and extends across the substrate in a first horizontal direction. A first silicon nitride pattern is formed on the active pattern, and a first oxide pattern and a second silicon nitride pattern are sequentially formed on the substrate and on a sidewall of a lower portion of the active pattern. A device isolation layer is formed on the second silicon nitride pattern, and a top surface of the device isolation layer is coplanar with top surfaces of the oxide pattern and the second silicon nitride pattern. A buffer pattern having an etching selectivity with respect to the second silicon nitride pattern is formed between the first oxide pattern and the second silicon nitride pattern. Internal stresses that can be generated in sidewalls of the active pattern are sufficiently released and an original shape of the first silicon nitride pattern remains unchanged, thereby improving electrical characteristics of the fin FET.

    摘要翻译： 在鳍状场效应晶体管（FET）中，有源图案在垂直方向上从基板突出，并且在第一水平方向上延伸穿过基板。 第一氮化硅图案形成在有源图案上，并且第一氧化物图案和第二氮化硅图案依次形成在衬底上和活性图案的下部的侧壁上。 在第二氮化硅图案上形成器件隔离层，器件隔离层的顶表面与氧化物图案和第二氮化硅图案的顶表面共面。 在第一氧化物图案和第二氮化硅图案之间形成具有相对于第二氮化硅图案的蚀刻选择性的缓冲图案。 可以在有源图案的侧壁中产生的内部应力被充分地释放，并且第一氮化硅图案的原始形状保持不变，从而改善了鳍式FET的电特性。