公开(公告)号：US20070243707A1

公开(公告)日：2007-10-18

申请号：US11686501

申请日：2007-03-15

申请人： Dirk Manger ,  Hocine Boubekeur ,  Martin Verhoeven ,  Nicolas Nagel ,  Thomas Tatry ,  Dirk Caspary ,  Matthias Markert ,  Lothar Bauch ,  Stefan Blawid ,  Manuela Gutsch ,  Ludovic Lattard ,  Martin Roessiger ,  Mirko Vogt

发明人： Dirk Manger ,  Hocine Boubekeur ,  Martin Verhoeven ,  Nicolas Nagel ,  Thomas Tatry ,  Dirk Caspary ,  Matthias Markert ,  Lothar Bauch ,  Stefan Blawid ,  Manuela Gutsch ,  Ludovic Lattard ,  Martin Roessiger ,  Mirko Vogt

IPC分类号： H01L21/44 ,  G03F1/00 ,  H01L21/302

CPC分类号： H01L21/32139 ,  H01L21/0332 ,  H01L27/105 ,  H01L27/112

摘要： A hard mask layer stack for patterning a layer to be patterned includes a carbon layer disposed on top of the layer to be patterned, a first layer of a material selected from the group of SiO2 and SiON disposed on top of the carbon layer and a silicon layer disposed on top of the first layer. A method of patterning a layer to be patterned includes providing the above described hard mask layer stack on the layer to be patterned and patterning the silicon hard mask layer in accordance with a pattern to be formed in the layer that has to be patterned.

摘要翻译： 用于图案化待图案化层的硬掩模层叠层包括设置在待图案化层的顶部上的碳层，选自第二层由选自SiO 2和SiON中的SiON的材料 碳层顶部和设置在第一层顶部的硅层。 图案化待图案化层的方法包括在待图案化的层上提供上述硬掩模层堆叠，并根据要在图案层中形成的图案来图案化硅硬掩模层。

公开(公告)号：US20070215986A1

公开(公告)日：2007-09-20

申请号：US11376645

申请日：2006-03-15

申请人： Dirk Manger ,  Hocine Boubekeur ,  Martin Verhoeven ,  Nicolas Nagel ,  Thomas Tatry ,  Dirk Caspary ,  Matthias Markert

发明人： Dirk Manger ,  Hocine Boubekeur ,  Martin Verhoeven ,  Nicolas Nagel ,  Thomas Tatry ,  Dirk Caspary ,  Matthias Markert

IPC分类号： H01L23/58 ,  H01L21/467

CPC分类号： H01L21/32139 ,  H01L21/0332 ,  H01L27/105 ,  H01L27/112

摘要： A hard mask layer stack for patterning a layer to be patterned includes a carbon layer disposed on top of the layer to be patterned, a first layer of a material selected from the group of SiO2 and SiON disposed on top of the carbon layer and a silicon layer disposed on top of the first layer. A method of patterning a layer to be patterned includes providing the above described hard mask layer stack on the layer to be patterned and patterning the silicon hard mask layer in accordance with a pattern to be formed in the layer that has to be patterned.

摘要翻译： 用于图案化待图案化层的硬掩模层叠层包括设置在待图案化层的顶部上的碳层，选自第二层由选自SiO 2和SiON中的SiON的材料 碳层顶部和设置在第一层顶部的硅层。 图案化待图案化层的方法包括在待图案化的层上提供上述硬掩模层堆叠，并根据要在图案层中形成的图案来图案化硅硬掩模层。

公开(公告)号：US07662721B2

公开(公告)日：2010-02-16

申请号：US11376645

申请日：2006-03-15

申请人： Dirk Manger ,  Hocine Boubekeur ,  Martin Verhoeven ,  Nicolas Nagel ,  Thomas Tatry ,  Dirk Caspary ,  Matthias Markert

发明人： Dirk Manger ,  Hocine Boubekeur ,  Martin Verhoeven ,  Nicolas Nagel ,  Thomas Tatry ,  Dirk Caspary ,  Matthias Markert

IPC分类号： H01L21/461

CPC分类号： H01L21/32139 ,  H01L21/0332 ,  H01L27/105 ,  H01L27/112

摘要： A hard mask layer stack for patterning a layer to be patterned includes a carbon layer disposed on top of the layer to be patterned, a first layer of a material selected from the group of SiO2 and SiON disposed on top of the carbon layer and a silicon layer disposed on top of the first layer. A method of patterning a layer to be patterned includes providing the above described hard mask layer stack on the layer to be patterned and patterning the silicon hard mask layer in accordance with a pattern to be formed in the layer that has to be patterned.

摘要翻译： 用于图案化待图案化层的硬掩模层堆叠包括设置在待图案化层的顶部上的碳层，选自设置在碳层顶部上的SiO 2和SiON中的第一层材料和硅 层设置在第一层的顶部。 图案化待图案化层的方法包括在待图案化的层上提供上述硬掩模层堆叠，并根据要在图案层中形成的图案来图案化硅硬掩模层。