公开(公告)号：US08558230B2

公开(公告)日：2013-10-15

申请号：US12756323

申请日：2010-04-08

申请人： Dong-Hoon Lee ,  Je-Hun Lee ,  Do-Hyun Kim ,  Hee-Tae Kim ,  Chang-Oh Jeong ,  Pil-Sang Yun ,  Ki-Won Kim

发明人： Dong-Hoon Lee ,  Je-Hun Lee ,  Do-Hyun Kim ,  Hee-Tae Kim ,  Chang-Oh Jeong ,  Pil-Sang Yun ,  Ki-Won Kim

IPC分类号： H01L29/04 ,  H01L29/10

CPC分类号： H01L27/1225 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/7869

摘要： A thin film transistor (TFT) substrate and a method of fabricating the same are provided. The thin film transistor substrate may have low resistance characteristics and may have reduced mutual diffusion and contact resistance between an active layer pattern and data wiring. The thin film transistor substrate may include gate wiring formed on an insulating substrate. Oxide active layer patterns may be formed on the gate wiring and may include a first substance. Data wiring may be formed on the oxide active layer patterns to cross the gate wiring and may include a second substance. Barrier layer patterns may be disposed between the oxide active layer patterns and the data wiring and may include a third substance.

摘要翻译： 提供薄膜晶体管（TFT）基板及其制造方法。 薄膜晶体管基板可以具有低电阻特性，并且可以减少有源层图案和数据布线之间的相互扩散和接触电阻。 薄膜晶体管基板可以包括形成在绝缘基板上的栅极布线。 氧化物有源层图案可以形成在栅极布线上，并且可以包括第一物质。 数据布线可以形成在氧化物有源层图案上以跨越栅极布线，并且可以包括第二物质。 阻挡层图案可以设置在氧化物活性层图案和数据布线之间，并且可以包括第三物质。

公开(公告)号：US20100276686A1

公开(公告)日：2010-11-04

申请号：US12756323

申请日：2010-04-08

申请人： Dong-Hoon Lee ,  Je-Hun Lee ,  Do-Hyun Kim ,  Hee-Tae Kim ,  Chang-Oh Jeong ,  Pil-Sang Yun ,  Ki-Won Kim

发明人： Dong-Hoon Lee ,  Je-Hun Lee ,  Do-Hyun Kim ,  Hee-Tae Kim ,  Chang-Oh Jeong ,  Pil-Sang Yun ,  Ki-Won Kim

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/12 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L27/1225 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/7869

摘要： A thin film transistor (TFT) substrate and a method of fabricating the same are provided. The thin film transistor substrate may have low resistance characteristics and may have reduced mutual diffusion and contact resistance between an active layer pattern and data wiring. The thin film transistor substrate may include gate wiring formed on an insulating substrate. Oxide active layer patterns may be formed on the gate wiring and may include a first substance. Data wiring may be formed on the oxide active layer patterns to cross the gate wiring and may include a second substance. Barrier layer patterns may be disposed between the oxide active layer patterns and the data wiring and may include a third substance.

摘要翻译： 提供薄膜晶体管（TFT）基板及其制造方法。 薄膜晶体管基板可以具有低电阻特性，并且可以减少有源层图案和数据布线之间的相互扩散和接触电阻。 薄膜晶体管基板可以包括形成在绝缘基板上的栅极布线。 氧化物有源层图案可以形成在栅极布线上，并且可以包括第一物质。 数据布线可以形成在氧化物有源层图案上以跨越栅极布线，并且可以包括第二物质。 阻挡层图案可以设置在氧化物活性层图案和数据布线之间，并且可以包括第三物质。

公开(公告)号：US08551307B2

公开(公告)日：2013-10-08

申请号：US12779459

申请日：2010-05-13

申请人： Do-Hyun Kim ,  Dong-Hoon Lee ,  Chang-Oh Jeong

发明人： Do-Hyun Kim ,  Dong-Hoon Lee ,  Chang-Oh Jeong

IPC分类号： C23C14/34

CPC分类号： C23C14/3407 ,  C23C14/3464 ,  H01J37/342 ,  H01J37/3435

摘要： A sputtering target apparatus is provided. The sputtering target apparatus includes a first target assembly including a first target array having a first target, a second target disposed adjacent to the first target, and a first target dividing region disposed between the first and second targets, the first target assembly extending along a first direction, wherein the first target dividing region has a longitudinal cross-section that is oblique with respect to the first direction.

摘要翻译： 提供溅射靶设备。 溅射靶设备包括：第一目标组件，其包括具有第一靶的第一靶阵列，与第一靶相邻设置的第二靶;以及设置在第一靶和第二靶之间的第一靶分离区， 第一方向，其中第一目标分割区域具有相对于第一方向倾斜的纵向横截面。

公开(公告)号：US20110114940A1

公开(公告)日：2011-05-19

申请号：US12818047

申请日：2010-06-17

申请人： Do-Hyun Kim ,  Kyoung-Jae Chung ,  Seung-Ha Choi ,  Dong-Hoon Lee ,  Chang-Oh Jeong ,  Suk-Won Jung

发明人： Do-Hyun Kim ,  Kyoung-Jae Chung ,  Seung-Ha Choi ,  Dong-Hoon Lee ,  Chang-Oh Jeong ,  Suk-Won Jung

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/36

CPC分类号： H01L27/1225 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02664 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/3262

摘要： A thin film transistor array panel includes: a substrate; a gate line disposed on the substrate and including a gate electrode; a gate insulating layer disposed on the gate line; an semiconductive oxide layer disposed on the gate insulating layer; a data line disposed on the semiconductive oxide layer and including a source electrode; a drain electrode facing the source electrode on the semiconductive oxide layer; and a passivation layer disposed on the data line. The semiconductive oxide layer is patterned with chlorine (Cl) containing gas which alters relative atomic concentrations of primary semiconductive characteristic-providing elements of the semiconductive oxide layer at least at a portion where a transistor channel region is defined.

摘要翻译： 薄膜晶体管阵列面板包括：基板; 栅极线，设置在所述基板上并且包括栅电极; 设置在栅极线上的栅极绝缘层; 设置在所述栅极绝缘层上的半导体氧化物层; 数据线，设置在所述半导体氧化物层上并包括源电极; 在半导体氧化物层上面对源电极的漏电极; 以及设置在数据线上的钝化层。 至少在限定了晶体管沟道区域的部分，半导体氧化物层用含氯（Cl）的气体构图，该气体改变半导体氧化物层的初级半导体特性提供元件的相对原子浓度。

公开(公告)号：US20110068340A1

公开(公告)日：2011-03-24

申请号：US12652379

申请日：2010-01-05

申请人： Dong-Hoon Lee ,  Do-Hyun Kim ,  Chang-Oh Jeong ,  O-Sung Seo ,  Xin-Xing Li

发明人： Dong-Hoon Lee ,  Do-Hyun Kim ,  Chang-Oh Jeong ,  O-Sung Seo ,  Xin-Xing Li

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L27/124 ,  H01L29/78618

摘要： A thin film transistor array panel includes an insulating substrate. A gate line is formed on the insulating substrate and has a gate electrode. A gate insulating layer is formed on the gate line. A semiconductor layer is formed on the gate insulating layer and overlaps the gate electrode. Diffusion barriers are formed on the semiconductor layer and contain nitrogen. A data line crosses the gate line and has a source electrode partially contacting the diffusion barriers and a drain electrode partially contacting the diffusion barriers and facing the source electrode. The drain electrode is on the gate electrode. A pixel electrode is electrically connected to the drain electrode.

摘要翻译： 薄膜晶体管阵列面板包括绝缘基板。 在绝缘基板上形成栅极线，并具有栅电极。 在栅极线上形成栅极绝缘层。 半导体层形成在栅极绝缘层上并与栅电极重叠。 在半导体层上形成扩散阻挡层并含有氮。 数据线与栅极线交叉，并且具有部分地接触扩散阻挡层的源电极和部分地接触扩散阻挡层并面向源电极的漏电极。 漏电极在栅电极上。 像素电极电连接到漏电极。

公开(公告)号：US08470623B2

公开(公告)日：2013-06-25

申请号：US12818047

申请日：2010-06-17

申请人： Do-Hyun Kim ,  Kyoung-Jae Chung ,  Seung-Ha Choi ,  Dong-Hoon Lee ,  Chang-Oh Jeong ,  Suk-Won Jung

发明人： Do-Hyun Kim ,  Kyoung-Jae Chung ,  Seung-Ha Choi ,  Dong-Hoon Lee ,  Chang-Oh Jeong ,  Suk-Won Jung

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L27/1225 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02664 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/3262

摘要： A thin film transistor array panel includes: a substrate; a gate line disposed on the substrate and including a gate electrode; a gate insulating layer disposed on the gate line; an semiconductive oxide layer disposed on the gate insulating layer; a data line disposed on the semiconductive oxide layer and including a source electrode; a drain electrode facing the source electrode on the semiconductive oxide layer; and a passivation layer disposed on the data line. The semiconductive oxide layer is patterned with chlorine (Cl) containing gas which alters relative atomic concentrations of primary semiconductive characteristic-providing elements of the semiconductive oxide layer at least at a portion where a transistor channel region is defined.

摘要翻译： 薄膜晶体管阵列面板包括：基板; 栅极线，设置在所述基板上并且包括栅电极; 设置在栅极线上的栅极绝缘层; 设置在所述栅极绝缘层上的半导体氧化物层; 数据线，设置在所述半导体氧化物层上并包括源电极; 在半导体氧化物层上面对源电极的漏电极; 以及设置在数据线上的钝化层。 至少在限定了晶体管沟道区域的部分，半导体氧化物层用含氯（Cl）的气体构图，该气体改变半导体氧化物层的初级半导体特性提供元件的相对原子浓度。

公开(公告)号：US08035110B2

公开(公告)日：2011-10-11

申请号：US12498816

申请日：2009-07-07

申请人： Do-Hyun Kim ,  Pil-Sang Yun ,  Ki-Won Kim ,  Dong-Hoon Lee ,  Chang-Oh Jeong

发明人： Do-Hyun Kim ,  Pil-Sang Yun ,  Ki-Won Kim ,  Dong-Hoon Lee ,  Chang-Oh Jeong

IPC分类号： H01L29/04

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78618

摘要： A thin-film transistor (TFT) substrate has improved electrical properties and reduced appearance defects and a method of fabricating the TFT substrate, are provided. The TFT substrate includes: gate wiring which is formed on a surface of an insulating substrate; oxide active layer patterns which are formed on the gate wiring and include an oxide of a first material; buffer layer patterns which are disposed on the oxide active layer patterns to directly contact the oxide active layer patterns and include a second material; and data wiring which is formed on the buffer layer patterns to insulatedly cross the gate wiring, wherein a Gibbs free energy of the oxide of the first material is lower than a Gibbs free energy of an oxide of the second material.

摘要翻译： 薄膜晶体管（TFT）基板具有改善的电性能和减少的外观缺陷以及制造TFT基板的方法。 TFT基板包括：形成在绝缘基板的表面上的栅极布线; 氧化物活性层图案，其形成在栅极布线上并且包括第一材料的氧化物; 缓冲层图案，其设置在所述氧化物活性层图案上以直接接触所述氧化物活性层图案并且包括第二材料; 以及形成在所述缓冲层图案上以绝缘地穿过所述栅极布线的数据布线，其中所述第一材料的氧化物的吉布斯自由能低于所述第二材料的氧化物的吉布斯自由能。

公开(公告)号：US08198657B2

公开(公告)日：2012-06-12

申请号：US12652379

申请日：2010-01-05

申请人： Dong-Hoon Lee ,  Do-Hyun Kim ,  Chang-Oh Jeong ,  O-Sung Seo ,  Xin-Xing Li

发明人： Dong-Hoon Lee ,  Do-Hyun Kim ,  Chang-Oh Jeong ,  O-Sung Seo ,  Xin-Xing Li

IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L21/82

CPC分类号： H01L27/124 ,  H01L29/78618

摘要： A thin film transistor array panel includes an insulating substrate. A gate line is formed on the insulating substrate and has a gate electrode. A gate insulating layer is formed on the gate line. A semiconductor layer is formed on the gate insulating layer and overlaps the gate electrode. Diffusion barriers are formed on the semiconductor layer and contain nitrogen. A data line crosses the gate line and has a source electrode partially contacting the diffusion barriers and a drain electrode partially contacting the diffusion barriers and facing the source electrode. The drain electrode is on the gate electrode. A pixel electrode is electrically connected to the drain electrode.

摘要翻译： 薄膜晶体管阵列面板包括绝缘基板。 在绝缘基板上形成栅极线，并具有栅电极。 在栅极线上形成栅绝缘层。 半导体层形成在栅极绝缘层上并与栅电极重叠。 在半导体层上形成扩散阻挡层并含有氮。 数据线与栅极线交叉，并且具有部分地接触扩散阻挡层的源电极和部分地接触扩散阻挡层并面向源电极的漏电极。 漏电极在栅电极上。 像素电极电连接到漏电极。

公开(公告)号：US20110031117A1

公开(公告)日：2011-02-10

申请号：US12779459

申请日：2010-05-13

申请人： Do-Hyun KIM ,  Dong-Hoon Lee ,  Chang-Oh Jeong

发明人： Do-Hyun KIM ,  Dong-Hoon Lee ,  Chang-Oh Jeong

IPC分类号： C23C14/34

CPC分类号： C23C14/3407 ,  C23C14/3464 ,  H01J37/342 ,  H01J37/3435

摘要： A sputtering target apparatus is provided. The sputtering target apparatus includes a first target assembly including a first target array having a first target, a second target disposed adjacent to the first target, and a first target dividing region disposed between the first and second targets, the first target assembly extending along a first direction, wherein the first target dividing region has a longitudinal cross-section that is oblique with respect to the first direction.

摘要翻译： 提供溅射靶设备。 溅射靶设备包括：第一目标组件，其包括具有第一靶的第一靶阵列，与第一靶相邻设置的第二靶;以及设置在第一靶和第二靶之间的第一靶分离区， 第一方向，其中第一目标分割区域具有相对于第一方向倾斜的纵向横截面。

公开(公告)号：US07919795B2

公开(公告)日：2011-04-05

申请号：US11961149

申请日：2007-12-20

申请人： Je-Hun Lee ,  Chang-Oh Jeong ,  Eun-Guk Lee ,  Do-Hyun Kim

发明人： Je-Hun Lee ,  Chang-Oh Jeong ,  Eun-Guk Lee ,  Do-Hyun Kim

IPC分类号： H01L29/76 ,  H01L29/40 ,  H01L29/43 ,  H01L29/49 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L29/458 ,  H01L27/124 ,  H01L29/4908

摘要： Provided are a wire structure, a method for fabricating a wire, a thin film transistor (TFT) substrate and a method for fabricating a TFT substrate. The wire structure includes a barrier layer formed on a substrate and including copper, copper solid solution layer.

摘要翻译： 提供线结构，制造线的方法，薄膜晶体管（TFT）基板和制造TFT基板的方法。 导线结构包括形成在基板上并包括铜，铜固溶体层的阻挡层。