公开(公告)号：US20160099027A1

公开(公告)日：2016-04-07

申请号：US14871508

申请日：2015-09-30

Applicant: Dolphin Integration

Inventor： Oron Chertkow ,  Ariel Pescovsky

IPC: G11C5/06 ,  G11C7/10

CPC classification number: G11C11/4125 ,  G11C5/005 ,  G11C14/00 ,  G11C16/0441 ,  G11C16/10 ,  G11C29/789

Abstract: The invention concerns a memory cell having: first and second cross-coupled gated inverters (102, 104), each including first and second inputs (IN1, IN2) and an output (OUT) and being adapted to couple its output to a first logic level only when the first and second inputs both receive the inverse of the first logic level; a first cut-off circuit (106) coupling the second input (IN2) of the first gated inverter (102) to the first input (IN1) of the first gated inverter (102); and a second cut-off circuit (108) coupling the second input (IN2) of the second gated inverter (104) to the first input (IN1) of the second gated inverter (104).

Abstract translation: 本发明涉及一种存储器单元，其具有：第一和第二交叉耦合门控反相器（102,104），每个反相器包括第一和第二输入（IN1，IN2）和输出（OUT），并且适于将其输出耦合到第一逻辑 只有当第一和第二输入都接收到第一逻辑电平的反相时; 将第一选通逆变器（102）的第二输入（IN2）与第一选通逆变器（102）的第一输入（IN1）耦合的第一截止电路（106）; 以及将第二选通逆变器（104）的第二输入（IN2）与第二门控逆变器（104）的第一输入（IN1）耦合的第二截止电路（108）。

公开(公告)号：US09564208B2

公开(公告)日：2017-02-07

申请号：US14871508

申请日：2015-09-30

Applicant: Dolphin Integration

Inventor： Oron Chertkow ,  Ariel Pescovsky

IPC: G11C14/00 ,  G11C11/412 ,  G11C16/04 ,  G11C16/10 ,  G11C5/00 ,  G11C29/00

CPC classification number: G11C11/4125 ,  G11C5/005 ,  G11C14/00 ,  G11C16/0441 ,  G11C16/10 ,  G11C29/789

Abstract: The invention concerns a memory cell having: first and second cross-coupled gated inverters (102, 104), each including first and second inputs (IN1, IN2) and an output (OUT) and being adapted to couple its output to a first logic level only when the first and second inputs both receive the inverse of the first logic level; a first cut-off circuit (106) coupling the second input (IN2) of the first gated inverter (102) to the first input (IN1) of the first gated inverter (102); and a second cut-off circuit (108) coupling the second input (IN2) of the second gated inverter (104) to the first input (IN1) of the second gated inverter (104).

Abstract translation: 本发明涉及一种存储器单元，其具有：第一和第二交叉耦合门控反相器（102,104），每个反相器包括第一和第二输入（IN1，IN2）和输出（OUT），并且适于将其输出耦合到第一逻辑 只有当第一和第二输入都接收到第一逻辑电平的反相时; 将第一选通逆变器（102）的第二输入（IN2）与第一选通逆变器（102）的第一输入（IN1）耦合的第一截止电路（106）; 以及将第二选通逆变器（104）的第二输入（IN2）与第二门控逆变器（104）的第一输入（IN1）耦合的第二截止电路（108）。