公开(公告)号：US20110063748A1

公开(公告)日：2011-03-17

申请号：US12949045

申请日：2010-11-18

申请人： Dong-Hyun SONG ,  Young-Joon CHOI ,  Bum-Soo KIM ,  Myung-Jin JUNG

发明人： Dong-Hyun SONG ,  Young-Joon CHOI ,  Bum-Soo KIM ,  Myung-Jin JUNG

IPC分类号： G11B20/10

CPC分类号： G11B20/10527 ,  G06F3/0625 ,  G06F3/0656 ,  G06F3/0679 ,  G11B2020/10685 ,  G11B2020/1285 ,  Y02D10/154

摘要： A hard disk drive is disclosed and related methods of reading/writing data are disclosed. The hard disk drive includes a disk serving as a main data storage medium, and first and second buffers storing data to be stored on the disk, as well as a controller defining a data I/O path in relation to a detected operating state of the hard disk drive.

摘要翻译： 公开了一种硬盘驱动器，并且公开了读/写数据的相关方法。 硬盘驱动器包括用作主数据存储介质的磁盘，以及存储要存储在磁盘上的数据的第一和第二缓冲器，以及定义关于检测到的操作状态的数据I / O路径的控制器 硬盘驱动器。

公开(公告)号：US20090100218A1

公开(公告)日：2009-04-16

申请号：US12339205

申请日：2008-12-19

申请人： Dong-Hyun SONG ,  Young-Joon CHOI ,  Bum-Soo KIM ,  Myung-Jin JUNG

发明人： Dong-Hyun SONG ,  Young-Joon CHOI ,  Bum-Soo KIM ,  Myung-Jin JUNG

IPC分类号： G06F12/00

CPC分类号： G11B20/10527 ,  G06F3/0625 ,  G06F3/0656 ,  G06F3/0679 ,  G11B2020/10685 ,  G11B2020/1285 ,  Y02D10/154

摘要： A hard disk drive is disclosed and related methods of reading/writing data are disclosed. The hard disk drive includes a disk serving as a main data storage medium, and first and second buffers storing data to be stored on the disk, as well as a controller defining a data I/O path in relation to a detected operating state of the hard disk drive.

摘要翻译： 公开了一种硬盘驱动器，并且公开了读/写数据的相关方法。 硬盘驱动器包括用作主数据存储介质的磁盘，以及存储要存储在磁盘上的数据的第一和第二缓冲器，以及定义关于检测到的操作状态的数据I / O路径的控制器 硬盘驱动器。

公开(公告)号：US20130134496A1

公开(公告)日：2013-05-30

申请号：US13599233

申请日：2012-08-30

申请人： Sung-Soo AHN ,  O IK KWON ,  Bum-Soo KIM ,  Hyun-Sung KIM ,  Kyoung-Sub SHIN ,  Min-Kyung YUN ,  Seung-Pil CHUNG ,  Won-Bong JUNG

发明人： Sung-Soo AHN ,  O IK KWON ,  Bum-Soo KIM ,  Hyun-Sung KIM ,  Kyoung-Sub SHIN ,  Min-Kyung YUN ,  Seung-Pil CHUNG ,  Won-Bong JUNG

IPC分类号： H01L29/788 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/7883 ,  H01L21/7682 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7881

摘要： A method of manufacturing a semiconductor device, the method including forming a tunnel insulating layer on an upper surface of a substrate, forming gate patterns on an upper surface of the tunnel insulating layer, forming capping layer patterns on sidewalls of the gate patterns and on the upper surface of the tunnel insulating layer, etching a portion of the tunnel insulating layer that is not covered with the gate patterns or the capping layer patterns to form a tunnel insulating layer pattern, and forming a first insulating layer on the upper surface of the substrate to cover the gate patterns, the capping layer patterns, and the tunnel insulating layer pattern, wherein the first insulating layer has an air gap between the capping layer patterns.

摘要翻译： 一种制造半导体器件的方法，所述方法包括在衬底的上表面上形成隧道绝缘层，在隧道绝缘层的上表面上形成栅极图案，在栅极图案的侧壁上形成覆盖层图案，并且在 隧道绝缘层的上表面，蚀刻未被栅极图案或覆盖层图案覆盖的隧道绝缘层的一部分以形成隧道绝缘层图案，并且在衬底的上表面上形成第一绝缘层 以覆盖栅极图案，覆盖层图案和隧道绝缘层图案，其中第一绝缘层在封盖层图案之间具有气隙。

公开(公告)号：US20130230764A1

公开(公告)日：2013-09-05

申请号：US13445583

申请日：2012-04-12

申请人： Sang-Sun PARK ,  Ji-Hui YOUN ,  Bum-Soo KIM

发明人： Sang-Sun PARK ,  Ji-Hui YOUN ,  Bum-Soo KIM

IPC分类号： H01M2/04 ,  B29C39/10 ,  H01M2/30

CPC分类号： H01M2/08 ,  H01M2/06

摘要： The present disclosure provides a method of simply manufacturing a header for lithium batteries using a polymer, and a header for lithium batteries manufactured by the same. The method includes securing a body having a hole inside dies and securing a cathode pin in the hole so as not to contact the body, filling the hole with polymer powder, and heating the dies to melt the polymer powder, followed by cooling and curing the melted polymer.

摘要翻译： 本公开提供了一种简单地制造使用聚合物的锂电池的集管的方法，以及由其制造的锂电池的集管。 该方法包括：在模具内固定具有孔的主体，并将阴极销固定在孔中，以便不接触主体，用聚合物粉末填充孔，并加热模具以熔化聚合物粉末，随后冷却和固化 融化聚合物。

公开(公告)号：US20150103035A1

公开(公告)日：2015-04-16

申请号：US14332520

申请日：2014-07-16

申请人： Jin-Bong KIM ,  Yoon Kyung CHOI ,  Jong-Oh LEE ,  Bum-Soo KIM ,  Steve J. KIM

发明人： Jin-Bong KIM ,  Yoon Kyung CHOI ,  Jong-Oh LEE ,  Bum-Soo KIM ,  Steve J. KIM

IPC分类号： G06F3/046

CPC分类号： G06F3/0416 ,  G06F3/041 ,  G06F3/044 ,  G06F2203/04101 ,  G06F2203/04104 ,  G06F2203/04108

摘要： A touch sensing device includes a touch screen panel including a touch sensor configured to generate a first electrical change corresponding to a touch and a touch controller configured to detect touch position data with respect to an area on the touch screen panel associated with the touch, based on the first electrical change or the touch sensor.

摘要翻译： 触摸感测装置包括触摸屏面板，其包括被配置为产生对应于触摸的第一电气变化的触摸传感器和被配置为相对于与触摸相关联的触摸屏面板上的区域检测触摸位置数据的触摸控制器 在第一个电气更换或触摸传感器。

公开(公告)号：US20160034080A1

公开(公告)日：2016-02-04

申请号：US14816168

申请日：2015-08-03

申请人： Jin-Chul LEE ,  Sang-Hyub KANG ,  San-Ho BYUN ,  Cha-Dong KIM ,  Bum-Soo KIM ,  Jun-Chul PARK ,  Hyun-Kyu OUH ,  Yoon-Kyung CHOI

发明人： Jin-Chul LEE ,  Sang-Hyub KANG ,  San-Ho BYUN ,  Cha-Dong KIM ,  Bum-Soo KIM ,  Jun-Chul PARK ,  Hyun-Kyu OUH ,  Yoon-Kyung CHOI

IPC分类号： G06F3/047 ,  G09G5/00 ,  G09G5/18 ,  G06F3/044

CPC分类号： G09G5/18 ,  G06F3/0416 ,  G06F3/044 ,  G06F2203/04108

摘要： A semiconductor device includes a touch screen panel including a plurality of hover sensors configured to perform self-capacitance sensing. The semiconductor memory device includes a driver configured to provide a plurality of driving signals to the touch screen panel. The semiconductor memory device includes an encoder configured to encode the plurality of driving signals from the driver and provide the encoded plurality of driving signals to the touch screen panel. The semiconductor memory device includes a sensor configured to sense a hover input from the touch screen panel based on the encoded plurality of driving signals.

摘要翻译： 半导体器件包括触摸屏面板，其包括被配置为执行自电容感测的多个悬停传感器。 半导体存储器件包括被配置为向触摸屏面板提供多个驱动信号的驱动器。 半导体存储器件包括：编码器，被配置为对来自驱动器的多个驱动信号进行编码，并将编码的多个驱动信号提供给触摸屏面板。 半导体存储器件包括被配置为基于编码的多个驱动信号感测来自触摸屏面板的悬停输入的传感器。

公开(公告)号：US20130224543A1

公开(公告)日：2013-08-29

申请号：US13446387

申请日：2012-04-13

申请人： Sang-Sun PARK ,  Yong-Jun PARK ,  A-Ram CHOI ,  Bum-Soo KIM

发明人： Sang-Sun PARK ,  Yong-Jun PARK ,  A-Ram CHOI ,  Bum-Soo KIM

IPC分类号： H01M4/64 ,  H01M2/30 ,  H01M4/04 ,  H01M4/00

CPC分类号： H01M4/1393 ,  H01M2/1613 ,  H01M4/133 ,  H01M4/587 ,  H01M4/661 ,  H01M10/052 ,  H01M10/058 ,  Y10T29/49108

摘要： The present disclosure provides a cathode for lithium batteries with a structure suited to high output properties, a method of manufacturing the same, and a lithium battery using the same. The cathode has a stack structure including a first cathode member, a separating member and a second cathode member stacked in sequence to have a pipe shape or a folded shape with spaced ends, wherein each of the first and second cathode members includes a current collector and a cathode active material formed on either side of the current collector.

摘要翻译： 本公开内容提供了一种具有适合于高输出特性的结构的锂电池的阴极，其制造方法和使用该阴极的锂电池。 阴极具有包括第一阴极部件，分离部件和第二阴极部件的堆叠结构，其顺序堆叠成具有间隔开的端部的管状或折叠形状，其中第一和第二阴极部件各自包括集电体和 形成在集电体两侧的正极活性物质。