公开(公告)号：US07259084B2

公开(公告)日：2007-08-21

申请号：US10699839

申请日：2003-11-04

申请人： Edward Y. Chang ,  Guangli Luo ,  Tsung Hsi Yang ,  Chung Yen Chang

发明人： Edward Y. Chang ,  Guangli Luo ,  Tsung Hsi Yang ,  Chung Yen Chang

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L21/0262 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02546 ,  H01L33/0066

摘要： This invention provides a process for growing Ge epitaxial layers on Si substrate by using ultra-high vacuum chemical vapor deposition (UHVCVD), and subsequently growing a GaAs layer on Ge film of the surface of said Ge epitaxial layers by using metal organic chemical vapor deposition (MOCVD).The process comprises steps of, firstly, pre-cleaning a silicon wafer in a standard cleaning procedure, dipping it with HF solution and prebaking to remove its native oxide layer. Then, growing a high Ge-composition epitaxial layer, such as Si0.1Ge0.9 in a thickness of 0.8 μm on said Si substrate by using ultra-high vacuum chemical vapor deposition under certain conditions. Thus, many dislocations are generated and located near the interface and in the low of part of Si01.Ge0.9 due to the large mismatch between this layer and Si substrate.Furthermore, a subsequent 0.8 μm Si0.05Ge0.95 layer, and/or optionally a further 0.8 μm Si0.02Ge0.98 layer, are grown. They form strained interfaces of said layers can bend and terminate the propagated upward dislocation very effectively. Therefore, a film of pure Ge is grown on the surface of said epitaxial layers.Finally, a GaAs epitaxial layer is grown on said Ge film by using MOCVD.

摘要翻译： 本发明提供了通过使用超高真空化学气相沉积（UHVCVD）在Si衬底上生长Ge外延层的方法，随后通过使用金属有机化学气相沉积在所述Ge外延层的表面的Ge膜上生长GaAs层 （MOCVD）。 该方法包括以下步骤：首先，在标准清洁程序中预清洁硅晶片，用HF溶液浸渍并预烘烤以除去其天然氧化物层。 然后，通过使用超高真空化学气相沉积法在所述Si衬底上生长厚度为0.8μm的高Ge组成外延层，例如Si 0.1 O 0.1 Ge 0.9 在某些条件下 因此，由于该层和Si衬底之间的大的失配，产生许多位错并且位于界面附近以及位于S01的一部分的低部分。 此外，随后的0.8μm的Si 0.05 Al 0.1 O 0.95层和/或任选的另外的0.8μm的Si 0.02 Co 0.98 < SUB>层，生长。 它们形成所述层的应变界面可以非常有效地弯曲和终止传播的向上错位。 因此，在所述外延层的表面上生长纯Ge的膜。 最后，通过使用MOCVD在所述Ge膜上生长GaAs外延层。

公开(公告)号：US07977687B2

公开(公告)日：2011-07-12

申请号：US12291396

申请日：2008-11-07

申请人： Chun-Yen Chang ,  Tsung Hsi Yang

发明人： Chun-Yen Chang ,  Tsung Hsi Yang

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/10 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32

摘要： A light emitting device (LED) structure formed on a Group IV-based semiconductor substrate is provided. The LED structure includes a Group IV-based substrate, an AlN nucleation layer formed on the Group IV-based substrate, a GaN epitaxial layer formed on the AlN nucleation layer, a distributed Bragg reflector (DBR) multi-layer structure formed on the epitaxial layer, and an LED active layer formed on the DBR multi-layer structure.

摘要翻译： 提供了在基于IV族的半导体衬底上形成的发光器件（LED）结构。 LED结构包括基于IV族的衬底，在基于IV族的衬底上形成的AlN成核层，在AlN成核层上形成的GaN外延层，形成在外延层上的分布式布拉格反射器（DBR）多层结构 层和形成在DBR多层结构上的LED活性层。

公开(公告)号：US20090278165A1

公开(公告)日：2009-11-12

申请号：US12291396

申请日：2008-11-07

申请人： Chun-Yen Chang ,  Tsung Hsi Yang

发明人： Chun-Yen Chang ,  Tsung Hsi Yang

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L33/10 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32

摘要： A light emitting device (LED) structure formed on a Group IV-based semiconductor substrate is provided. The LED structure includes a Group IV-based substrate, an AlN nucleation layer formed on the Group IV-based substrate, a GaN epitaxial layer formed on the AlN nucleation layer, a distributed Bragg reflector (DBR) multi-layer structure formed on the epitaxial layer, and an LED active layer formed on the DBR multi-layer structure.

摘要翻译： 提供了在基于IV族的半导体衬底上形成的发光器件（LED）结构。 LED结构包括基于IV族的衬底，在基于IV族的衬底上形成的AlN成核层，在AlN成核层上形成的GaN外延层，形成在外延层上的分布式布拉格反射器（DBR）多层结构 层和形成在DBR多层结构上的LED活性层。