公开(公告)号：US6056941A

公开(公告)日：2000-05-02

申请号：US363132

申请日：1999-07-28

申请人： Ernest Schramm ,  Margaret Newborn ,  Julius P. Zodda ,  Thomas Katona ,  Jo Anna Monteferrante

发明人： Ernest Schramm ,  Margaret Newborn ,  Julius P. Zodda ,  Thomas Katona ,  Jo Anna Monteferrante

IPC分类号： A61K51/00 ,  A61K51/04 ,  A61K51/12 ,  A61M36/14

CPC分类号： B82Y5/00 ,  A61K51/0474 ,  A61K51/1268 ,  A61K51/1282

摘要： A kit containing a solution of boronic acid adducts of technetium-99 m dioxime complexes; and hydroxypropyl gamma cyclodextrin to maintain the solution free of particulate matter originating from the formulation.

摘要翻译： 含有锝-99m二肟配合物的硼酸加合物溶液的试剂盒; 和羟丙基γ-环糊精以保持溶液不含来自制剂的颗粒物质。

公开(公告)号：US20050142876A1

公开(公告)日：2005-06-30

申请号：US10973332

申请日：2004-10-25

申请人： Thomas Katona ,  Stacia Keller ,  Pablo Alejandro

发明人： Thomas Katona ,  Stacia Keller ,  Pablo Alejandro

IPC分类号： H01L20060101 ,  H01L21/20 ,  H01L21/44 ,  H01L29/15 ,  H01L31/0312

CPC分类号： H01L21/0243 ,  H01L21/02367 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647

摘要： A method of maskless lateral epitaxial overgrowth (LEO) of aluminum nitride (AlN) and high aluminum composition aluminum gallium nitride (AlGaN) layers by crystal growth techniques, such as metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD), Hydride Vapor Phase Epitaxy (HVPE), other vapor phase transport techniques such as sublimation, and Molecular Beam Epitaxy (MBE). The process etches periodic patterns into a suitable material, such AlN or high aluminum composition AlGaN base layers heteroepitaxially grown on a substrate or a substrate itself. A lateral epitaxial overgrowth is performed of the AlN or high aluminum composition AlGaN layers on the suitable material. Lateral epitaxial overgrowth of the AlN or high aluminum composition AlGaN layers may be enhanced by using low V/III ratios and fast growth rates. The process reduces the threading dislocation density (TDD) in high Al containing nitrides by several orders of magnitude.

摘要翻译： 通过诸如金属有机化学气相沉积（MOCVD），氢化物气相外延（HVPE）等晶体生长技术的氮化铝（AlN）和高铝组成的氮化镓铝（AlGaN）层的无掩模横向外延过度生长（LEO） 其他气相传输技术如升华和分子束外延（MBE）。 该工艺将周期性图案蚀刻成合适的材料，例如在衬底或衬底本身异质外延生长的AlN或高铝组合物AlGaN基底层。 在合适的材料上进行AlN或高铝组成AlGaN层的横向外延过度生长。 可以通过使用低V / III比和快速生长速率来增强AlN或高铝组分AlGaN层的横向外延过度生长。 该方法将高含铝氮化物中的穿透位错密度（TDD）降低数个数量级。

公开(公告)号：US20120007102A1

公开(公告)日：2012-01-12

申请号：US13179346

申请日：2011-07-08

申请人： Daniel Feezell ,  Rajat Sharma ,  Arpan Chakraborty ,  Troy Anthony Trottier ,  Thomas Katona ,  Mark D'Evelyn

发明人： Daniel Feezell ,  Rajat Sharma ,  Arpan Chakraborty ,  Troy Anthony Trottier ,  Thomas Katona ,  Mark D'Evelyn

IPC分类号： H01L33/02

CPC分类号： H01L27/156 ,  H01L33/14

摘要： A light emitting device comprising a gallium and nitrogen containing substrate. The device also has an electrically isolating material grown between the substrate and an active region such that the light emitting device is operable at a voltage greater than 10V.

摘要翻译： 一种包含含镓和氮的衬底的发光器件。 该器件还具有在衬底和有源区之间生长的电隔离材料，使得发光器件可工作在大于10V的电压。