公开(公告)号：US08236698B2

公开(公告)日：2012-08-07

申请号：US12519356

申请日：2007-12-20

申请人： Jean-Charles Barbe ,  Erwan Dornel ,  François De Crecy ,  Joël Eymery

发明人： Jean-Charles Barbe ,  Erwan Dornel ,  François De Crecy ,  Joël Eymery

IPC分类号： H01L21/311

CPC分类号： B81C1/00047 ,  B01L3/5027 ,  B81B2201/058 ,  B81B2203/0384

摘要： The invention relates to a method for forming microcavities (118) of different depths in a layer (102) based on at least an amorphous or monocrystalline material, comprising at least the following steps in which: at least one shaft and/or trench is formed in the layer (102) so as to extend through one face (101) thereof, such that two sections of the shaft and/or the trench, in two different planes parallel to the face (101), are aligned in relation to one another along an alignment axis forming a non-zero angle with a normal to the plane of said face (101); and the layer (102) is annealed in a hydrogenated atmosphere so as to transform the shaft and/or trench into at least two microcavities (118).

摘要翻译： 本发明涉及一种基于至少一种非晶或单晶材料形成层（102）中不同深度的微腔（118）的方法，该方法至少包括以下步骤，其中：形成至少一个轴和/或沟槽 在所述层（102）中延伸通过其一个面（101），使得所述轴和/或所述沟槽的两个平行于所述面（101）的不同平面中的两个部分相对于彼此对准 沿着与所述面（101）的平面垂直的非零角度的对准轴线; 并且所述层（102）在氢化气氛中退火，以便将所述轴和/或沟槽转变成至少两个微腔（118）。

公开(公告)号：US07713850B2

公开(公告)日：2010-05-11

申请号：US11183993

申请日：2005-07-19

申请人： Maud Vinet ,  Jean-Charles Barbe ,  Pierre Mur ,  François De Crecy

发明人： Maud Vinet ,  Jean-Charles Barbe ,  Pierre Mur ,  François De Crecy

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： C30B29/60 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/7613 ,  Y10S438/962

摘要： Method for forming a structure provided with at least one zone of one or several semiconductor nanocrystals (13). It consists in: exposing with a beam of electrons (11) at least one zone (12) of a semiconductor film (1) lying on an electrically insulating support (2), the exposed zone (12) contributing to defining at least one dewetting zone (10) of the film (1), annealing the film (1) at high temperature in such a way that the dewetting zone (10) retracts giving the zone of one or several nanocrystals (13).

摘要翻译： 用于形成具有一个或多个半导体纳米晶体（13）的至少一个区域的结构的方法。 它包括：用电子束（11）暴露位于电绝缘支撑件（2）上的半导体膜（1）的至少一个区域（12），所述暴露区域（12）有助于限定至少一个去湿 （1）的区域（10），在高温下使膜（1）退火，使得去湿区（10）缩回，给出一个或多个纳米晶体（13）的区域。

公开(公告)号：US20100049467A1

公开(公告)日：2010-02-25

申请号：US12545383

申请日：2009-08-21

申请人： François De Crecy

发明人： François De Crecy

IPC分类号： G01B21/00 ,  G06F15/00

CPC分类号： G01B21/085 ,  B81C3/004 ,  B81C2203/051 ,  G01B21/16 ,  G01M99/002 ,  H01L21/67242

摘要： The invention relates to the field of micro- and nanotechnologies. In these techniques, it is sometimes necessary to glue several structures face to face and it is important to be able to check the alignment of the structures. A new method for measuring alignment, which comprises the following operations, is proposed for this purpose: activation of a heating element placed on the surface of the first structure, generation of electronic signals representative of a distribution of temperatures, on the basis of an array of temperature sensitive elements placed on the surface of the second structure, determination of a relative position of the heating element with respect to the array of sensitive elements, therefore of the first structure with respect to the second, on the basis of the distribution of temperatures, in a calculation circuit receiving the electronic signals engendered in the array of sensitive elements.

摘要翻译： 本发明涉及微纳米技术领域。 在这些技术中，有时需要面对面地粘合几个结构，并且能够检查结构的对准是重要的。 提出了一种用于测量对准的新方法，其包括以下操作：基于阵列激活放置在第一结构的表面上的加热元件，产生代表温度分布的电子信号 温度敏感元件放置在第二结构的表面上，基于温度分布来确定加热元件相对于敏感元件阵列的相对位置，因此第一结构相对于第二结构相对于第二结构 在计算电路中接收产生在敏感元件阵列中的电子信号。