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    COMPOSITIONS FOR CMP OF SEMICONDUCTOR MATERIALS
    1.
    发明申请
    COMPOSITIONS FOR CMP OF SEMICONDUCTOR MATERIALS 有权
    用于半导体材料的CMP的组合物

    公开(公告)号：US20100314576A1

    公开(公告)日：2010-12-16

    申请号：US12854470

    申请日：2010-08-11

    申请人： Francesco DE REGE THESAURO ,  Steven Grumbine ,  Phillip Carter ,  Shoutian Li ,  Jian Zhang ,  David Schroeder ,  Ming-Shih Tsai

    发明人： Francesco DE REGE THESAURO ,  Steven Grumbine ,  Phillip Carter ,  Shoutian Li ,  Jian Zhang ,  David Schroeder ,  Ming-Shih Tsai

    IPC分类号： C09K13/06 ,  C09K13/00

    CPC分类号： C09G1/02 ,  H01L21/3212

    摘要： The invention provides a composition for chemical-mechanical polishing. The composition comprises an abrasive, a first metal rate polishing modifier agent, a second metal rate polishing modifier agent, and a liquid carrier. In one embodiment, the first metal rate polishing modifier agent has a standard reduction potential less than 0.34 V relative to a standard hydrogen electrode, and the second metal rate polishing modifier agent has a standard reduction potential greater than 0.34 V relative to a standard hydrogen electrode. In other embodiments, the first and second metal rate polishing modifier agents are different oxidizing agents.

    摘要翻译： 本发明提供了用于化学机械抛光的组合物。 组合物包含研磨剂，第一金属速率抛光改性剂，第二金属速率抛光改性剂和液体载体。 在一个实施方案中，第一金属速率抛光改性剂相对于标准氢电极具有小于0.34V的标准还原电位，并且第二金属速率抛光改性剂相对于标准氢电极具有大于0.34V的标准还原电位 。 在其它实施方案中，第一和第二金属速率抛光改性剂是不同的氧化剂。

    Compositions for CMP of semiconductor materials
    2.
    发明授权
    Compositions for CMP of semiconductor materials 有权
    半导体材料CMP的组成

    公开(公告)号：US08529680B2

    公开(公告)日：2013-09-10

    申请号：US12854470

    申请日：2010-08-11

    申请人： Francesco De Rege Thesauro ,  Steven Grumbine ,  Phillip Carter ,  Shoutian Li ,  Jian Zhang ,  David Schroeder ,  Ming-Shih Tsai

    发明人： Francesco De Rege Thesauro ,  Steven Grumbine ,  Phillip Carter ,  Shoutian Li ,  Jian Zhang ,  David Schroeder ,  Ming-Shih Tsai

    IPC分类号： C09G1/02 ,  B24D3/02 ,  C09C1/68 ,  C09K3/14

    CPC分类号： C09G1/02 ,  H01L21/3212

    摘要： The invention provides a composition for chemical-mechanical polishing. The composition comprises an abrasive, a first metal rate polishing modifier agent, a second metal rate polishing modifier agent, and a liquid carrier. In one embodiment, the first metal rate polishing modifier agent has a standard reduction potential less than 0.34 V relative to a standard hydrogen electrode, and the second metal rate polishing modifier agent has a standard reduction potential greater than 0.34 V relative to a standard hydrogen electrode. In other embodiments, the first and second metal rate polishing modifier agents are different oxidizing agents.

    摘要翻译： 本发明提供了用于化学机械抛光的组合物。 组合物包含研磨剂，第一金属速率抛光改性剂，第二金属速率抛光改性剂和液体载体。 在一个实施方案中，第一金属速率抛光改性剂相对于标准氢电极具有小于0.34V的标准还原电位，并且第二金属速率抛光改性剂相对于标准氢电极具有大于0.34V的标准还原电位 。 在其它实施方案中，第一和第二金属速率抛光改性剂是不同的氧化剂。

    Compositions and methods for CMP of semiconductor materials
    3.
    发明授权
    Compositions and methods for CMP of semiconductor materials 有权
    半导体材料CMP的组成和方法

    公开(公告)号：US07803203B2

    公开(公告)日：2010-09-28

    申请号：US11673399

    申请日：2007-02-09

    申请人： Francesco De Rege Thesauro ,  Steven Grumbine ,  Phillip Carter ,  Shoutian Li ,  Jian Zhang ,  David Schroeder ,  Ming-Shih Tsai

    发明人： Francesco De Rege Thesauro ,  Steven Grumbine ,  Phillip Carter ,  Shoutian Li ,  Jian Zhang ,  David Schroeder ,  Ming-Shih Tsai

    IPC分类号： C09K3/14 ,  B24B1/00 ,  B24B7/10

    CPC分类号： C09G1/02 ,  H01L21/3212

    摘要： The invention provides a composition for chemical-mechanical polishing. The composition comprises an abrasive, a first metal rate polishing modifier agent, a second metal rate polishing modifier agent, and a liquid carrier. In one embodiment, the first metal rate polishing modifier agent has a standard reduction potential less than 0.34 V relative to a standard hydrogen electrode, and the second metal rate polishing modifier agent has a standard reduction potential greater than 0.34 V relative to a standard hydrogen electrode. In other embodiments, the first and second metal rate polishing modifier agents are different oxidizing agents.

    摘要翻译： 本发明提供了用于化学机械抛光的组合物。 组合物包含研磨剂，第一金属速率抛光改性剂，第二金属速率抛光改性剂和液体载体。 在一个实施方案中，第一金属速率抛光改性剂相对于标准氢电极具有小于0.34V的标准还原电位，并且第二金属速率抛光改性剂相对于标准氢电极具有大于0.34V的标准还原电位 。 在其它实施方案中，第一和第二金属速率抛光改性剂是不同的氧化剂。

    CMP method for copper-containing substrates
    5.
    发明申请
    CMP method for copper-containing substrates 审中-公开
    含铜基板的CMP方法

    公开(公告)号：US20070249167A1

    公开(公告)日：2007-10-25

    申请号：US11408334

    申请日：2006-04-21

    申请人： Jian Zhang ,  Phillip Carter ,  Shoutian Li

    发明人： Jian Zhang ,  Phillip Carter ,  Shoutian Li

    IPC分类号： B24D3/02 ,  H01L21/461 ,  H01L21/302

    CPC分类号： H01L21/3212 ,  B24B37/044 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463

    摘要： The invention provides a chemical-mechanical polishing composition comprising an abrasive, a benzotriazole derivative, an oxidizing agent selected from the group consisting of iodate compounds, organic oxidizing agents, and mixtures thereof, and water, wherein the polishing composition comprises substantially no organic carboxylic acid having a molecular weight of less than about 500 Daltons, and wherein the polishing composition comprises no alkyl sulfate having a molecular weight of less than about 500 Daltons. The invention further provides a method of chemically-mechanically polishing a substrate with the aforementioned polishing composition.

    摘要翻译： 本发明提供一种化学机械抛光组合物，其包含研磨剂，苯并三唑衍生物，选自碘酸盐化合物，有机氧化剂及其混合物的氧化剂和水，其中抛光组合物基本上不含有机羧酸 具有小于约500道尔顿的分子量，并且其中抛光组合物不包含分子量小于约500道尔顿的烷基硫酸盐。 本发明还提供了用上述抛光组合物对衬底进行化学机械抛光的方法。

    Iodate-containing chemical-mechanical polishing compositions and methods
    6.
    发明申请
    Iodate-containing chemical-mechanical polishing compositions and methods 有权
    含碘酸的化学机械抛光组合物和方法

    公开(公告)号：US20070224919A1

    公开(公告)日：2007-09-27

    申请号：US11387558

    申请日：2006-03-23

    申请人： Shoutian Li ,  Phillip Carter ,  Jian Zhang

    发明人： Shoutian Li ,  Phillip Carter ,  Jian Zhang

    IPC分类号： B24D3/02 ,  B24B1/00

    CPC分类号： C09G1/02 ,  H01L21/3212

    摘要： The invention provides compositions and methods for planarizing or polishing a substrate. The composition comprises an abrasive, iodate ion, a nitrogen-containing compound selected from the group consisting of a nitrogen-containing C4-20 heterocycle and a C1-20 alkylamine, and a liquid carrier comprising water.

    摘要翻译： 本发明提供了用于平坦化或抛光基材的组合物和方法。 该组合物包含研磨剂，碘酸根离子，选自含氮C 4-20杂环和C 1-20烷基胺的含氮化合物 和包含水的液体载体。

    Barrier slurry for low-k dielectrics
    9.
    发明授权
    Barrier slurry for low-k dielectrics 有权
    用于低k电介质的阻隔浆料

    公开(公告)号：US08252687B2

    公开(公告)日：2012-08-28

    申请号：US12584343

    申请日：2009-09-03

    申请人： Shoutian Li ,  Steven Grumbine ,  Jeffrey Dysard ,  Pankaj Singh

    发明人： Shoutian Li ,  Steven Grumbine ,  Jeffrey Dysard ,  Pankaj Singh

    IPC分类号： H01L21/302

    CPC分类号： C09K3/1463 ,  C09K13/00 ,  H01L21/3212

    摘要： The invention provides a chemical-mechanical polishing composition for polishing a substrate. The polishing composition comprises silica, a compound selected from the group consisting of an amine-substituted silane, a tetraalkylammonium salt, a tetraalkylphosphonium salt, and an imidazolium salt, a carboxylic acid having seven or more carbon atoms, an oxidizing agent that oxidizes a metal, and water. The invention further provides a method of chemically-mechanically polishing a substrate with the aforementioned polishing composition.

    摘要翻译： 本发明提供了一种用于抛光基材的化学机械抛光组合物。 抛光组合物包括二氧化硅，选自胺取代的硅烷，四烷基铵盐，四烷基鏻盐和咪唑鎓盐的化合物，具有七个或更多个碳原子的羧酸，氧化金属的氧化剂 ，和水。 本发明还提供了用上述抛光组合物对衬底进行化学机械抛光的方法。

    Barrier slurry for low-k dielectrics
    10.
    发明申请
    Barrier slurry for low-k dielectrics 有权
    用于低k电介质的阻隔浆料

    公开(公告)号：US20100075502A1

    公开(公告)日：2010-03-25

    申请号：US12584343

    申请日：2009-09-03

    申请人： Shoutian Li ,  Steven Grumbine ,  Jeffrey Dysard ,  Pankaj Singh

    发明人： Shoutian Li ,  Steven Grumbine ,  Jeffrey Dysard ,  Pankaj Singh

    IPC分类号： H01L21/304 ,  C09K13/00

    CPC分类号： C09K3/1463 ,  C09K13/00 ,  H01L21/3212

    摘要： The invention provides a chemical-mechanical polishing composition for polishing a substrate. The polishing composition comprises silica, a compound selected from the group consisting of an amine-substituted silane, a tetraalkylammonium salt, a tetraalkylphosphonium salt, and an imidazolium salt, a carboxylic acid having seven or more carbon atoms, an oxidizing agent that oxidizes a metal, and water. The invention further provides a method of chemically-mechanically polishing a substrate with the aforementioned polishing composition.

    摘要翻译： 本发明提供了一种用于抛光基材的化学机械抛光组合物。 抛光组合物包括二氧化硅，选自胺取代的硅烷，四烷基铵盐，四烷基鏻盐和咪唑鎓盐的化合物，具有七个或更多个碳原子的羧酸，氧化金属的氧化剂 ，和水。 本发明还提供了用上述抛光组合物对衬底进行化学机械抛光的方法。