公开(公告)号：US20140227858A1

公开(公告)日：2014-08-14

申请号：US13765723

申请日：2013-02-13

申请人： GLOBALFOUNDRIES INC.

发明人： Hongliang Shen ,  Kyutae Na ,  Sandeep Gaan ,  Hsin-Neng Tai ,  Weihua Tong ,  Sang Cheol Han ,  Tae Hoon Kim ,  Ja Hyung Han ,  Haigou Huang ,  Changyong Xiao ,  Huang Liu ,  Seung Yeon Kim

IPC分类号： H01L21/762

CPC分类号： H01L29/0649 ,  H01L21/02123 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76229 ,  H01L27/0886

摘要： Aspects of the present invention generally relate to approaches for forming a semiconductor device such as a TSV device having a “buffer zone” or gap layer between the TSV and transistor(s). The gap layer is typically filled with a low stress thin film fill material that controls stresses and crack formation on the devices. Further, the gap layer ensures a certain spatial distance between TSVs and transistors to reduce the adverse effects of temperature excursion.

摘要翻译： 本发明的方面通常涉及用于形成半导体器件的方法，例如在TSV和晶体管之间具有“缓冲区”或间隙层的TSV器件。 间隙层通常填充有低应力薄膜填充材料，其控制器件上的应力和裂纹形成。 此外，间隙层确保TSV和晶体管之间的一定空间距离，以减少温度偏移的不利影响。

公开(公告)号：US20150333121A1

公开(公告)日：2015-11-19

申请号：US14810167

申请日：2015-07-27

申请人： GLOBALFOUNDRIES INC.

发明人： Hongliang Shen ,  Kyutae Na ,  Sandeep Gaan ,  Hsin-Neng Tai ,  Weihua Tong ,  Sang Cheol Han ,  Tae Hoon Kim ,  Ja Hyung Han ,  Haigou Huang ,  Changyong Xiao ,  Huang Liu ,  Seung Yeon Kim

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L27/088

CPC分类号： H01L29/0649 ,  H01L21/02123 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76229 ,  H01L27/0886

摘要： Aspects of the present invention generally relate to approaches for forming a semiconductor device such as a TSV device having a “buffer zone” or gap layer between the TSV and transistor(s). The gap layer is typically filled with a low stress thin film fill material that controls stresses and crack formation on the devices. Further, the gap layer ensures a certain spatial distance between TSVs and transistors to reduce the adverse effects of temperature excursion.

摘要翻译： 本发明的方面通常涉及用于形成半导体器件的方法，例如在TSV和晶体管之间具有“缓冲区”或间隙层的TSV器件。 间隙层通常填充有低应力薄膜填充材料，其控制器件上的应力和裂纹形成。 此外，间隙层确保TSV和晶体管之间的一定空间距离，以减少温度偏移的不利影响。

公开(公告)号：US09385192B2

公开(公告)日：2016-07-05

申请号：US14810167

申请日：2015-07-27

申请人： GLOBALFOUNDRIES Inc.

发明人： Hongliang Shen ,  Kyutae Na ,  Sandeep Gaan ,  Hsin-Neng Tai ,  Weihua Tong ,  Sang Cheol Han ,  Tae Hoon Kim ,  Ja Hyung Han ,  Haigou Huang ,  Changyong Xiao ,  Huang Liu ,  Seung Yeon Kim

IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L29/06 ,  H01L21/02 ,  H01L27/088

CPC分类号： H01L29/0649 ,  H01L21/02123 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76229 ,  H01L27/0886

摘要： Aspects of the present invention generally relate to approaches for forming a semiconductor device such as a TSV device having a “buffer zone” or gap layer between the TSV and transistor(s). The gap layer is typically filled with a low stress thin film fill material that controls stresses and crack formation on the devices. Further, the gap layer ensures a certain spatial distance between TSVs and transistors to reduce the adverse effects of temperature excursion.

公开(公告)号：US09123771B2

公开(公告)日：2015-09-01

申请号：US13765723

申请日：2013-02-13

申请人： GLOBALFOUNDRIES Inc.

发明人： Hongliang Shen ,  Kyutae Na ,  Sandeep Gaan ,  Hsin-Neng Tai ,  Weihua Tong ,  Sang Cheol Han ,  Tae Hoon Kim ,  Ja Hyung Han ,  Haigou Huang ,  Changyong Xiao ,  Huang Liu ,  Seung Yeon Kim

IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L29/0649 ,  H01L21/02123 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76229 ,  H01L27/0886

摘要： Aspects of the present invention generally relate to approaches for forming a semiconductor device such as a TSV device having a “buffer zone” or gap layer between the TSV and transistor(s). The gap layer is typically filled with a low stress thin film fill material that controls stresses and crack formation on the devices. Further, the gap layer ensures a certain spatial distance between TSVs and transistors to reduce the adverse effects of temperature excursion.

摘要翻译： 本发明的方面通常涉及用于形成半导体器件的方法，例如在TSV和晶体管之间具有“缓冲区”或间隙层的TSV器件。 间隙层通常填充有低应力薄膜填充材料，其控制器件上的应力和裂纹形成。 此外，间隙层确保TSV和晶体管之间的一定空间距离，以减少温度偏移的不利影响。