Multi-polygon constraint decomposition techniques for use in double patterning applications
    1.
    发明授权
    Multi-polygon constraint decomposition techniques for use in double patterning applications 有权
    用于双重图案化应用的多边形约束分解技术

    公开(公告)号:US09465907B2

    公开(公告)日:2016-10-11

    申请号:US14341092

    申请日:2014-07-25

    CPC classification number: G06F17/5081 G03F1/36 G06F17/5068 G06F17/5072

    Abstract: One illustrative method disclosed herein involves, among other things, decomposing an initial circuit layout into first and second mask patterns, for the first mask pattern, identifying a first four-polygon pattern in the first mask pattern that violates a multi-polygon constraint rule, wherein the first four-polygon pattern comprises four polygons positioned side-by-side in the first mask pattern, and recoloring one or two of the polygons in the first four-polygon pattern in the first mask pattern to the second mask pattern to eliminate the first four-polygon pattern from the first mask pattern without introducing any design rule violations in the initial circuit layout.

    Abstract translation: 本文公开的一种说明性方法涉及对于第一掩模图案将初始电路布局分解为第一和第二掩模图案,识别违反多边形约束规则的第一掩模图案中的第一四边形图案, 其中所述第一四面体图案包括在所述第一掩模图案中并排定位的四个多边形,以及将所述第一掩模图案中的所述第一四面体图案中的一个或两个多边形重新染色到所述第二掩模图案以消除 在第一掩模图案中的第一四面多边形图案,而不会在初始电路布局中引入任何设计规则违规。

    MULTI-POLYGON CONSTRAINT DECOMPOSITION TECHNIQUES FOR USE IN DOUBLE PATTERNING APPLICATIONS
    2.
    发明申请
    MULTI-POLYGON CONSTRAINT DECOMPOSITION TECHNIQUES FOR USE IN DOUBLE PATTERNING APPLICATIONS 有权
    用于双文件应用的多聚合约束分解技术

    公开(公告)号:US20160026748A1

    公开(公告)日:2016-01-28

    申请号:US14341092

    申请日:2014-07-25

    CPC classification number: G06F17/5081 G03F1/36 G06F17/5068 G06F17/5072

    Abstract: One illustrative method disclosed herein involves, among other things, decomposing an initial circuit layout into first and second mask patterns, for the first mask pattern, identifying a first four-polygon pattern in the first mask pattern that violates a multi-polygon constraint rule, wherein the first four-polygon pattern comprises four polygons positioned side-by-side in the first mask pattern, and recoloring one or two of the polygons in the first four-polygon pattern in the first mask pattern to the second mask pattern to eliminate the first four-polygon pattern from the first mask pattern without introducing any design rule violations in the initial circuit layout.

    Abstract translation: 本文公开的一种说明性方法涉及对于第一掩模图案,将初始电路布局分解为第一和第二掩模图案,识别违反多边形约束规则的第一掩模图案中的第一四边形图案, 其中所述第一四面体图案包括在所述第一掩模图案中并排定位的四个多边形,以及将所述第一掩模图案中的所述第一四面体图案中的一个或两个多边形重新染色到所述第二掩模图案以消除 在第一掩模图案中的第一四面多边形图案,而不会在初始电路布局中引入任何设计规则违规。

Patent Agency Ranking