公开(公告)号：US09209258B2

公开(公告)日：2015-12-08

申请号：US14195330

申请日：2014-03-03

Applicant: GLOBALFOUNDRIES Inc.

Inventor： Feng Zhou ,  Tien-Ying Luo ,  Haiting Wang ,  Padmaja Nagaiah ,  Jean-Baptiste Laloe ,  Isabelle Pauline Ferain ,  Yong Meng Lee

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/78 ,  H01L29/40 ,  H01L29/51 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L29/401 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/3247 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/51 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66545

Abstract: An improved method for fabricating a semiconductor device is provided. The method includes: depositing a dielectric layer on a substrate; depositing a first cap layer on the dielectric layer; depositing an etch stop layer on the dielectric layer; and depositing a dummy cap layer on the etch stop layer to form a partial gate structure. Also provided is a partially formed semiconductor device. The partially formed semiconductor device includes: a substrate; a dielectric layer on the substrate; a first cap layer on the dielectric layer; an etch stop layer on the dielectric layer; and a dummy cap layer on the etch stop layer forming a partial gate structure.

Abstract translation: 提供了一种用于制造半导体器件的改进方法。 该方法包括：在基底上沉积电介质层; 在所述电介质层上沉积第一盖层; 在所述电介质层上沉积蚀刻停止层; 以及在所述蚀刻停止层上沉积虚拟盖层以形成部分栅极结构。 还提供了部分形成的半导体器件。 部分形成的半导体器件包括：衬底; 基底上的电介质层; 电介质层上的第一覆盖层; 介电层上的蚀刻停止层; 以及形成部分栅极结构的蚀刻停止层上的虚设盖层。