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    Phase change memory cell with limited switchable volume
    2.
    发明申请
    Phase change memory cell with limited switchable volume 失效
    相变容量有限的相变存储单元

    公开(公告)号：US20070246748A1

    公开(公告)日：2007-10-25

    申请号：US11410466

    申请日：2006-04-25

    申请人： Matthew Breitwisch ,  Chung Lam ,  Jan Philipp ,  Stephen Rossnagel ,  Alejandro Schrott

    发明人： Matthew Breitwisch ,  Chung Lam ,  Jan Philipp ,  Stephen Rossnagel ,  Alejandro Schrott

    IPC分类号： H01L29/768

    CPC分类号： H01L45/144 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1246 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1666

    摘要： A memory cell comprises a dielectric layer and a phase change material. The dielectric layer defines a trench having both a wide portion and a narrow portion. The narrow portion is substantially narrower than the wide portion. The phase change material, in turn, at least partially fills the wide and narrow portions of the trench. What is more, the phase change material within the narrow portion of the trench defines a void. Data can be stored in the memory cell by heating the phase change material by applying a pulse of switching current to the memory cell. Advantageously, embodiments of the invention provide high switching current density and heating efficiency so that the magnitude of the switching current pulse can be reduced.

    摘要翻译： 存储单元包括介电层和相变材料。 电介质层限定了具有宽部分和窄部分的沟槽。 狭窄部分基本上比宽部分窄。 相变材料又至少部分地填充沟槽的宽而窄的部分。 此外，沟槽狭窄部分内的相变材料限定了空隙。 通过向存储单元施加切换电流的脉冲来加热相变材料，可以将数据存储在存储单元中。 有利地，本发明的实施例提供高开关电流密度和加热效率，从而可以减小开关电流脉冲的幅度。

    Nonvolatile memory cell comprising a chalcogenide and a transition metal oxide
    3.
    发明申请
    Nonvolatile memory cell comprising a chalcogenide and a transition metal oxide 有权
    包含硫族化物和过渡金属氧化物的非挥发性存储单元

    公开(公告)号：US20070187829A1

    公开(公告)日：2007-08-16

    申请号：US11353419

    申请日：2006-02-14

    申请人： Chung Lam ,  Gerhard Meijer ,  Alejandro Schrott

    发明人： Chung Lam ,  Gerhard Meijer ,  Alejandro Schrott

    IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L23/48 ,  H01L29/40

    CPC分类号： H01L45/145 ,  G11C11/5678 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/32 ,  H01L45/04

    摘要： A memory cell for use in integrated circuits comprises a chalcogenide feature and a transition metal oxide feature. Both the chalcogenide feature and transition metal oxide feature each have at least two stable electrical resistance states. At least two bits of data can be concurrently stored in the memory cell by placing the chalcogenide feature into one of its stable electrical resistance states and by placing the transition metal oxide feature into one of its stable electrical resistance states.

    摘要翻译： 用于集成电路的存储单元包括硫族化物特征和过渡金属氧化物特征。 硫族化物特征和过渡金属氧化物特征都具有至少两个稳定的电阻状态。 通过将硫族化物特征置于其稳定的电阻状态之一并且将过渡金属氧化物特征置于其稳定的电阻状态之一中，可将至少两位数据同时存储在存储单元中。