公开(公告)号：US20080082961A1

公开(公告)日：2008-04-03

申请号：US11536303

申请日：2006-09-28

申请人： Gregory D. Adams ,  P. Randolph Giffen ,  Kevin T. McGuire ,  Karice L. McIntyre ,  Raymond Tsui

发明人： Gregory D. Adams ,  P. Randolph Giffen ,  Kevin T. McGuire ,  Karice L. McIntyre ,  Raymond Tsui

IPC分类号： G06F9/44 ,  G06F3/00

CPC分类号： G06F8/34

摘要： In certain aspects, the invention is directed to a method for visual programming in an environment having a set of user-invocable function representations, a data processing system for implementing the method and a computer program product with computer-usable program code for implementing the method. The method includes: maintaining a user interface from which a user may access any function representation in the set of user-invocable function representations; receiving a new function representation that is omitted from the set of user-invocable function representations; and storing the new function representation in the set of user-invocable function representations so that the new function representation may be accessed from the user interface.

摘要翻译： 在某些方面，本发明涉及一种用于具有一组用户可调用功能表示的环境中的可视编程的方法，用于实现该方法的数据处理系统和具有用于实现该方法的计算机可用程序代码的计算机程序产品 。 该方法包括：维护用户界面，用户可以从该用户界面访问用户可调用功能表示集合中的任何功能表示; 接收从用户可调用函数表示集合中省略的新函数表示; 以及将所述新功能表示存储在所述用户可调用功能表示集合中，使得可以从所述用户界面访问所述新功能表示。

公开(公告)号：US5756154A

公开(公告)日：1998-05-26

申请号：US583329

申请日：1996-01-05

申请人： Kumar Shiralagi ,  Raymond Tsui ,  Herbert Goronkin

发明人： Kumar Shiralagi ,  Raymond Tsui ,  Herbert Goronkin

IPC分类号： H01L21/316 ,  H01L21/20 ,  B05D1/32 ,  B05D3/00 ,  C08J7/18

CPC分类号： H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02639

摘要： A method of masking surfaces during fabrication of semiconductor devices is disclosed, which includes providing a substrate, and in a preferred embodiment a silicon substrate. The surface is hydrogen terminated (or hydrogenated) and a metal mask is positioned on the surface so as to define a growth area and an unmasked portion on the surface. Ozone is generated at the surface, at least in the unmasked area, by exposing the surface to a light having a wavelength approximately 185 nm (an oxygen absorbing peak), so as to grow an oxide film on the unmasked portion of the surface. The metal mask is removed and the oxide film then serves as a mask for further operations and can be easily removed in situ by heating.

摘要翻译： 公开了一种在制造半导体器件期间掩蔽表面的方法，其包括提供衬底，并且在优选实施例中为硅衬底。 表面是氢封端（或氢化），并且金属掩模位于表面上，以便在表面上限定生长区域和未掩模部分。 通过将表面暴露于波长约185nm的光（氧吸收峰），至少在未掩模的区域中，在表面产生臭氧，以便在表面的未掩模部分上生长氧化膜。 除去金属掩模，然后氧化膜用作进一步操作的掩模，并且可以通过加热容易地原位除去。

公开(公告)号：US20060228477A1

公开(公告)日：2006-10-12

申请号：US11419058

申请日：2006-05-18

申请人： Ruth Zhang ,  Raymond Tsui ,  John Tresek ,  Adam Rawlett

发明人： Ruth Zhang ,  Raymond Tsui ,  John Tresek ,  Adam Rawlett

IPC分类号： C23C16/00

CPC分类号： H01L51/0545 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/162 ,  C23C16/04 ,  C23C16/26 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0052 ,  Y10S977/847 ,  Y10S977/891 ,  Y10T428/249956 ,  Y10T428/2975

摘要： A method of fabricating a nanotube structure which includes providing a substrate, providing a mask region positioned on the substrate, patterning and etching through the mask region to form at least one trench, depositing a conductive material layer within the at least one trench, depositing a solvent based nanoparticle catalyst onto the conductive material layer within the at least one trench, removing the mask region and subsequent layers grown thereon using a lift-off process, and forming at least one nanotube electrically connected to the conductive material layer using chemical vapor deposition with a methane precursor.

摘要翻译： 一种制造纳米管结构的方法，其包括提供基板，提供位于所述基板上的掩模区域，通过所述掩模区域图案化和蚀刻以形成至少一个沟槽，在所述至少一个沟槽内沉积导电材料层， 溶剂基纳米颗粒催化剂涂覆到至少一个沟槽内的导电材料层上，使用剥离工艺除去掩模区域和随后的其上生长的层，以及使用化学气相沉积形成至少一个与导电材料层电连接的纳米管， 甲烷前体。

公开(公告)号：US5659179A

公开(公告)日：1997-08-19

申请号：US399809

申请日：1995-03-07

申请人： Herbert Goronkin ,  Saied N. Tehrani ,  Martin Walther ,  Raymond Tsui

发明人： Herbert Goronkin ,  Saied N. Tehrani ,  Martin Walther ,  Raymond Tsui

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/329 ,  H01L27/06 ,  H01L29/88

CPC分类号： H01L29/66219 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/882

摘要： Ultra-small semiconductor devices and a method of fabrication including patterning the planar surface of a substrate to form a pattern edge (e.g. a mesa) and consecutively forming a plurality of layers of semiconductor material in overlying relationship to the pattern edge so that a discontinuity is produced in the layers and a first layer on one side of the pattern edge is aligned with and in electrical contact with a different layer on the other side of the pattern edge.

摘要翻译： 超小型半导体器件和制造方法包括图案化衬底的平坦表面以形成图案边缘（例如台面）并且以与图案边缘重叠的关系连续地形成多个半导体材料层，使得不连续性为 在图案边缘的一侧上产生的层和第一层与图案边缘的另一侧上的不同层对准并与之接触。