公开(公告)号：US06521931B2

公开(公告)日：2003-02-18

申请号：US10040447

申请日：2002-01-09

申请人： Gurtej Sandhu ,  Roger Lee ,  Dennis Keller ,  Trung T. Doan ,  Max F. Hineman ,  Ren Earl

发明人： Gurtej Sandhu ,  Roger Lee ,  Dennis Keller ,  Trung T. Doan ,  Max F. Hineman ,  Ren Earl

IPC分类号： H01L2976

CPC分类号： H01L27/228 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  H01F41/308 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

摘要： A method of fabricating a MRAM structure and the resulting structure. The MRAM structure of the invention has the pinned layer recessed within a trench with the upper magnetic layer positioned over it. The method of MRAM fabrication utilizes a spacer processing technique, whereby the upper magnetic layer of the MRAM stack structure is formed between the region defined by the spacers, thereby allowing for self-alignment of the upper magnetic layer over the underlying pinned magnetic layer.

摘要翻译： 一种制造MRAM结构的方法及其结果。 本发明的MRAM结构具有凹陷在沟槽内的钉扎层，上部磁性层位于其上。 MRAM制造的方法利用间隔物处理技术，由此MRAM层叠结构的上磁性层形成在由间隔物限定的区域之间，从而允许上磁性层在下面的被钉扎的磁性层上自对准。

公开(公告)号：US06358756B1

公开(公告)日：2002-03-19

申请号：US09777888

申请日：2001-02-07

申请人： Gurtej Sandhu ,  Roger Lee ,  Dennis Keller ,  Trung T. Doan ,  Max F. Hineman ,  Ren Earl

发明人： Gurtej Sandhu ,  Roger Lee ,  Dennis Keller ,  Trung T. Doan ,  Max F. Hineman ,  Ren Earl

IPC分类号： H01L2100

CPC分类号： H01L27/228 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  H01F41/308 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

摘要： This invention pertains to a method of fabricating a MRAM structure and the resulting structure. The MRAM structure of the invention has the pinned layer recessed within a trench with the upper magnetic layer positioned over it. The method of MRAM fabrication utilizes a spacer processing technique, whereby the upper magnetic layer of the MRAM stack structure is formed between the region defined by the spacers, thereby allowing for self-alignment of the upper magnetic layer over the underlying pinned magnetic layer.

摘要翻译： 本发明涉及制造MRAM结构的方法及其结果。 本发明的MRAM结构具有凹陷在沟槽内的钉扎层，上部磁性层位于其上。 MRAM制造的方法利用间隔物处理技术，由此MRAM层叠结构的上磁性层形成在由间隔物限定的区域之间，从而允许上磁性层在下面的被钉扎的磁性层上自对准。

公开(公告)号：US06653154B2

公开(公告)日：2003-11-25

申请号：US09805916

申请日：2001-03-15

申请人： Trung T. Doan ,  Roger Lee ,  Dennis Keller ,  Gurtej Sandhu ,  Ren Earl

发明人： Trung T. Doan ,  Roger Lee ,  Dennis Keller ,  Gurtej Sandhu ,  Ren Earl

IPC分类号： H01L2100

CPC分类号： H01L43/12 ,  B82Y10/00 ,  H01L27/222

摘要： This invention pertains to a method of fabricating an MRAM structure. The method includes forming a pinned layer within a protective region defined by sidewalls formed over a substrate. The protective sidewalls facilitate formation of the MRAM structure by a self-aligning process.

摘要翻译： 本发明涉及一种制造MRAM结构的方法。 该方法包括在由在衬底上形成的侧壁限定的保护区域内形成钉扎层。 保护侧壁有利于通过自对准工艺形成MRAM结构。

公开(公告)号：US06765250B2

公开(公告)日：2004-07-20

申请号：US10409145

申请日：2003-04-09

申请人： Trung T. Doan ,  Roger Lee ,  Dennis Keller ,  Gurtej Sandhu ,  Ren Earl

发明人： Trung T. Doan ,  Roger Lee ,  Dennis Keller ,  Gurtej Sandhu ,  Ren Earl

IPC分类号： H01L31119

CPC分类号： H01L43/12 ,  B82Y10/00 ,  H01L27/222

摘要： This invention pertains to a method of fabricating a trenchless MRAM structure and to the resultant MRAM structure. The MRAM structure of the invention has a pinned layer formed within protective sidewalls formed over a substrate. The protective sidewalls facilitate formation of the MRAM structure by a self-aligning process.

摘要翻译： 本发明涉及一种制造无沟槽MRAM结构的方法以及由此产生的MRAM结构。 本发明的MRAM结构具有形成在衬底上形成的保护侧壁内的钉扎层。 保护侧壁有利于通过自对准工艺形成MRAM结构。

公开(公告)号：US06689624B2

公开(公告)日：2004-02-10

申请号：US10408450

申请日：2003-04-08

申请人： Trung T. Doan ,  Roger Lee ,  Dennis Keller ,  Gurtej Sandhu ,  Ren Earl

发明人： Trung T. Doan ,  Roger Lee ,  Dennis Keller ,  Gurtej Sandhu ,  Ren Earl

IPC分类号： H01L2100

CPC分类号： H01L43/12 ,  B82Y10/00 ,  H01L27/222

摘要： This invention pertains to a method of fabricating a trenchless MRAM structure and to the resultant MRAM structure. The MRAM structure of the invention has a pinned layer formed within protective sidewalls formed over a substrate. The protective sidewalls facilitate formation of the MRAM structure by a self-aligning process.

摘要翻译： 本发明涉及一种制造无沟槽MRAM结构的方法以及由此产生的MRAM结构。 本发明的MRAM结构具有形成在衬底上形成的保护侧壁内的钉扎层。 保护侧壁有利于通过自对准工艺形成MRAM结构。

公开(公告)号：US06682943B2

公开(公告)日：2004-01-27

申请号：US09842783

申请日：2001-04-27

申请人： D. Mark Durcan ,  Gurtej Sandhu ,  Trung T. Doan ,  Roger Lee ,  Dennis Keller ,  Ren Earl

发明人： D. Mark Durcan ,  Gurtej Sandhu ,  Trung T. Doan ,  Roger Lee ,  Dennis Keller ,  Ren Earl

IPC分类号： H01G706

CPC分类号： H01L27/222

摘要： A method of forming minimally spaced MRAM structures is disclosed. A photolithography technique is employed to define masking patterns, on the sidewalls of which spacers are subsequently formed to reduce the distance between any of the two adjacent masking patterns. A filler material is next used to fill in the space around the masking patterns and to form filler plugs. The masking patterns and the spacers are removed using the filler plugs as a hard mask. Digit and word lines of MRAM structures are subsequently formed.

摘要翻译： 公开了一种形成最小间隔MRAM结构的方法。 使用光刻技术来定义掩模图案，其侧壁上随后形成间隔物以减少两个相邻掩模图案中的任一个之间的距离。 填充材料接下来用于填充掩模图案周围的空间并形成填充塞。 使用填充塞作为硬掩模去除掩模图案和间隔物。 随后形成MRAM结构的数字和字线。

公开(公告)号：US06750069B2

公开(公告)日：2004-06-15

申请号：US10454479

申请日：2003-06-05

申请人： D. Mark Durcan ,  Trung T. Doan ,  Roger Lee ,  Dennis Keller ,  Ren Earl

发明人： D. Mark Durcan ,  Trung T. Doan ,  Roger Lee ,  Dennis Keller ,  Ren Earl

IPC分类号： H01L21336

CPC分类号： H01L27/222 ,  B82Y10/00

摘要： A method of forming minimally spaced apart MRAM structures is disclosed. A photolithography technique is employed to define patterns an integrated circuit, the width of which is further reduced by etching to allow formation of patterns used to etch digit line regions with optimum critical dimension between any of the two digit line regions. Subsequent pinned and sense layers of MRAM structures are formed over the minimally spaced digit regions.

摘要翻译： 公开了形成最小间隔的MRAM结构的方法。 使用光刻技术来定义集成电路的图案，其集成电路的宽度通过蚀刻进一步减小，以允许形成用于蚀刻具有两个数字线区域中的任一个之间的最佳临界尺寸的数字线区域的图案。 在最小间隔的数字区域上形成随后的MRAM结构的固定和感测层。

公开(公告)号：US06885051B2

公开(公告)日：2005-04-26

申请号：US10823553

申请日：2004-04-14

申请人： D. Mark Durcan ,  Trung T. Doan ,  Roger Lee ,  Dennis Keller ,  Ren Earl

发明人： D. Mark Durcan ,  Trung T. Doan ,  Roger Lee ,  Dennis Keller ,  Ren Earl

IPC分类号： H01L21/8246 ,  H01L27/22 ,  H01L31/062 ,  H01L31/036

CPC分类号： H01L27/222 ,  B82Y10/00

摘要： A method of forming minimally spaced apart MRAM structures is disclosed. A photolithography technique is employed to define patterns an integrated circuit, the width of which is further reduced by etching to allow formation of patterns used to etch digit line regions with optimum critical dimension between any of the two digit line regions. Subsequent pinned and sense layers of MRAM structures are formed over the minimally spaced digit regions.

摘要翻译： 公开了形成最小间隔的MRAM结构的方法。 使用光刻技术来定义集成电路的图案，其集成电路的宽度通过蚀刻进一步减小，以允许形成用于蚀刻具有两个数字线区域中的任一个之间的最佳临界尺寸的数字线区域的图案。 在最小间隔的数字区域上形成随后的MRAM结构的固定和感测层。

公开(公告)号：US06689661B2

公开(公告)日：2004-02-10

申请号：US09828823

申请日：2001-04-10

申请人： D. Mark Durcan ,  Trung T. Doan ,  Roger Lee ,  Dennis Keller ,  Ren Earl

发明人： D. Mark Durcan ,  Trung T. Doan ,  Roger Lee ,  Dennis Keller ,  Ren Earl

IPC分类号： H01L21336

CPC分类号： H01L27/222 ,  B82Y10/00

摘要： A method of forming minimally spaced apart MRAM structures is disclosed. A photolithography technique is employed to define patterns an integrated circuit, the width of which is further reduced by etching to allow formation of patterns used to etch digit line regions with optimum critical dimension between any of the two digit line regions. Subsequent pinned and sense layers of MRAM structures are formed over the minimally spaced digit regions.

摘要翻译： 公开了形成最小间隔的MRAM结构的方法。 使用光刻技术来定义集成电路的图案，其集成电路的宽度通过蚀刻进一步减小，以允许形成用于蚀刻具有两个数字线区域中的任一个之间的最佳临界尺寸的数字线区域的图案。 在最小间隔的数字区域上形成随后的MRAM结构的固定和感测层。

公开(公告)号：US6130468A

公开(公告)日：2000-10-10

申请号：US21968

申请日：1998-02-11

申请人： Roger Lee ,  Dennis Keller ,  Ralph Kauffman

发明人： Roger Lee ,  Dennis Keller ,  Ralph Kauffman

IPC分类号： H01L23/525 ,  H01L29/00 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L23/5258 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011

摘要： A method of making a fuse and a fuse, together with systems and integrated circuits where the fuse provides benefits, are described. A fuse comprising a conductive material is formed on a substrate. A series of dielectric layers having a composite thickness is formed on the substrate and the fuse. The series of dielectric layers serves to insulate a series of conductive layers from each other. The conductive layers are disposed above portions of the substrate. An opening is formed extending through a passivation layer and the series of dielectric layers. The opening exposes a portion of the fuse. Another dielectric layer is formed on the fuse and the fuse may thereafter be programmed by directing a laser beam onto the fuse through the opening.