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    Method for forming shallow trench isolation
    1.
    发明授权
    Method for forming shallow trench isolation 失效
    形成浅沟槽隔离的方法

    公开(公告)号：US06214691B1

    公开(公告)日：2001-04-10

    申请号：US09228932

    申请日：1999-01-12

    申请人： Gwo-Shii Yong ,  Chih-Chien Liu ,  Tri-Rung Yew ,  Water Lur

    发明人： Gwo-Shii Yong ,  Chih-Chien Liu ,  Tri-Rung Yew ,  Water Lur

    IPC分类号： H01L2176

    CPC分类号： H01L21/76224

    摘要： A method for forming shallow trench isolation is disclosed. The method includes forming a trench in a semiconductor substrate, and then blanket depositing a silicon oxide layer over the semiconductor substrate by a plasma process, thereby substantially refilling the trench. Thereafter, a photoresist layer is formed on the plasma deposited silicon oxide layer, followed by etching back a portion of the photoresist layer. The plasma deposited silicon oxide layer is then isotropically etched, and the photoresist layer is then finally removed.

    摘要翻译： 公开了一种用于形成浅沟槽隔离的方法。 该方法包括在半导体衬底中形成沟槽，然后通过等离子体工艺在半导体衬底上覆盖氧化硅层，从而基本上重新填充沟槽。 此后，在等离子体沉积的氧化硅层上形成光致抗蚀剂层，然后蚀刻光致抗蚀剂层的一部分。 然后等离子体沉积的氧化硅层被各向同性地蚀刻，然后最终去除光致抗蚀剂层。

    Process of making unlanded vias
    2.
    发明授权
    Process of making unlanded vias 失效
    制作无人化过孔的过程

    公开(公告)号：US5976984A

    公开(公告)日：1999-11-02

    申请号：US1416

    申请日：1997-12-30

    申请人： Coming Chen ,  Chih-Chien Liu ,  Kun-Chih Wang ,  Tri-Rung Yew

    发明人： Coming Chen ,  Chih-Chien Liu ,  Kun-Chih Wang ,  Tri-Rung Yew

    IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L21/02

    CPC分类号： H01L23/5226 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76829 ,  H01L2924/0002

    摘要： A method of making vias in a semiconductor IC device having adequate contact to the surface of the interconnects and without inadequate landing is disclosed. The method has interconnects formed in a metal layer on the substrate of the IC device, and a first dielectric layer is formed covering the surface of the interconnects. An etch-stopping layer is then formed on top of the first dielectric layer, followed by the formation of a second dielectric layer on top of the etch-stopping layer. A photoresist layer then covers the second dielectric layer and reveals the surface regions of the second dielectric layer designated for the formation of the vias. A main etching procedure is then performed to etch into the second dielectric layer down to the surface of the etch-stopping layer, thereby forming the first section of the vias. An over-etching procedure is then implemented to strip off the etch-stopping layer and further etches into the first dielectric layer and the etching is then stopped when the surface of the interconnects are revealed to conclude the formation of the vias.

    摘要翻译： 公开了一种在半导体IC器件中形成通孔的方法，该半导体IC器件具有与互连表面的充分接触并且没有不足够的着陆。 该方法具有形成在IC器件的衬底上的金属层中的互连，并且覆盖互连表面的第一介电层被形成。 然后在第一介电层的顶部上形成蚀刻停止层，随后在蚀刻停止层的顶部形成第二电介质层。 光致抗蚀剂层然后覆盖第二电介质层并且显露指定用于形成通孔的第二电介质层的表面区域。 然后执行主蚀刻程序以蚀刻到第二介电层中，直到蚀刻停止层的表面，从而形成通孔的第一部分。 然后实施过蚀刻程序以剥离蚀刻停止层并进一步蚀刻到第一介电层中，然后当显露互连表面以终止形成通孔时，停止蚀刻。

    Method of forming inter-metal interconnection
    3.
    发明授权
    Method of forming inter-metal interconnection 有权
    形成金属间互连的方法

    公开(公告)号：US06352918B1

    公开(公告)日：2002-03-05

    申请号：US09199877

    申请日：1998-11-24

    申请人： Yimin Huang ,  Chih-Chien Liu ,  Tri-Rung Yew

    发明人： Yimin Huang ,  Chih-Chien Liu ,  Tri-Rung Yew

    IPC分类号： H01L21311

    CPC分类号： H01L21/76802

    摘要： A method of forming an inter-metal interconnection is provided. A substrate is provided. A dielectric layer with a metal plug therein is formed on the substrate. An IMD layer is formed on the dielectric layer. An insulating layer and a PE-oxide layer are formed on the IMD layer. A photolithography and etching process is performed to form a trench in the IMD layer and to expose the metal plug in the dielectric layer. A metal is filled into the trench to electrically connect to the metal plug.

    摘要翻译： 提供了形成金属间互连的方法。 提供基板。 在基板上形成有金属塞的电介质层。 在电介质层上形成IMD层。 在IMD层上形成绝缘层和PE-氧化物层。 进行光刻和蚀刻工艺以在IMD层中形成沟槽并露出介电层中的金属插塞。 将金属填充到沟槽中以电连接到金属插头。

    Method of fabricating shallow trench isolation structure
    4.
    发明授权
    Method of fabricating shallow trench isolation structure 有权
    制造浅沟槽隔离结构的方法

    公开(公告)号：US06248644B1

    公开(公告)日：2001-06-19

    申请号：US09301210

    申请日：1999-04-28

    申请人： Gwo-Shii Yang ,  Hsueh-Hao Shih ,  Chih-Chien Liu ,  Tri-Rung Yew

    发明人： Gwo-Shii Yang ,  Hsueh-Hao Shih ,  Chih-Chien Liu ,  Tri-Rung Yew

    IPC分类号： H01L2176

    CPC分类号： H01L21/76235

    摘要： A method of fabricating a shallow trench isolation structure is described. A preserve layer is formed on a substrate. A trench is formed in the substrate and the preserve layer. An oxide layer is formed over the substrate to fill the trench. A wet densification step is performed in a moist environment. A planarization step is performed until the preserve layer is exposed. A shallow trench isolation structure is formed.

    摘要翻译： 描述了制造浅沟槽隔离结构的方法。 在基板上形成保护层。 在衬底和保护层中形成沟槽。 在衬底上形成氧化物层以填充沟槽。 在潮湿的环境中进行湿致密化步骤。 进行平坦化步骤直到保护层被暴露。 形成浅沟槽隔离结构。