公开(公告)号：US06881679B2

公开(公告)日：2005-04-19

申请号：US10331726

申请日：2002-12-31

申请人： Gyoo-Chul Jo ,  Gee-Sung Chae ,  Yong-Sup Hwang ,  Oh-Nam Kwon ,  Kyoung-Mook Lee ,  Kui-Jong Baek ,  Tai-Hyung Rhee

发明人： Gyoo-Chul Jo ,  Gee-Sung Chae ,  Yong-Sup Hwang ,  Oh-Nam Kwon ,  Kyoung-Mook Lee ,  Kui-Jong Baek ,  Tai-Hyung Rhee

IPC分类号： G02F1/13 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  H01L21/00 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3213

CPC分类号： H01L21/32134 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  Y10S436/80

摘要： An etching solution for etching one of a copper single metal layer and a copper (Cu)/titanium (Ti) double metal layer that serves as one of a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode of a thin film transistor for a liquid crystal display (LCD) device includes oxone, fluoric compounds, one of a reducing agent and a weak oxidizing agent, an etching rate restrainer, KHF2, and water.

摘要翻译： 一种蚀刻溶液，用于蚀刻用作薄膜晶体管的栅电极，源电极和漏电极之一的铜单金属层和铜（Cu）/钛（Ti）双金属层之一， 液晶显示器（LCD）装置包括牛酮，氟化合物，还原剂和弱氧化剂之一，蚀刻速率抑制剂，KHF 2 N和水。

公开(公告)号：US07416681B2

公开(公告)日：2008-08-26

申请号：US10732346

申请日：2003-12-11

申请人： Seong-Su Kim ,  Yong-Suk Choi ,  Gee-Sung Chae ,  Gyoo-Chul Jo ,  Oh-Nam Kwon ,  Kyoung-Mook Lee ,  Yong-Sup Hwang ,  Seung-Yong Lee

发明人： Seong-Su Kim ,  Yong-Suk Choi ,  Gee-Sung Chae ,  Gyoo-Chul Jo ,  Oh-Nam Kwon ,  Kyoung-Mook Lee ,  Yong-Sup Hwang ,  Seung-Yong Lee

IPC分类号： C09K13/00

CPC分类号： C09K13/08 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  H01L21/32134

摘要： An etching solution for a multiple layer of copper and molybdenum includes: about 5% to about 30% by weight of a hydrogen peroxide; about 0.5% to about 5% by weight of an organic acid; about 0.2% to about 5% by weight of a phosphate; about 0.2% to about 5% by weight of a first additive having nitrogen; about 0.2% to about 5% by weight of a second additive having nitrogen; about 0.01% to about 1.0% by weight of a fluoric compound; and de-ionized water making a total amount of the etching solution 100% by weight.

摘要翻译： 用于多层铜和钼的蚀刻溶液包括：约5％至约30％重量的过氧化氢; 约0.5重量％至约5重量％的有机酸; 约0.2重量％至约5重量％的磷酸盐; 约0.2重量％至约5重量％的具有氮的第一添加剂; 约0.2重量％至约5重量％的具有氮气的第二添加剂; 约0.01重量％至约1.0重量％的氟化合物; 和去离子水，使总量的蚀刻溶液100重量％。

公开(公告)号：US07791573B2

公开(公告)日：2010-09-07

申请号：US12219446

申请日：2008-07-22

申请人： Seong-Su Kim ,  Yong-Suk Choi ,  Gee-Sung Chae ,  Gyoo-Chul Jo ,  Oh-Nam Kwon ,  Kyoung-Mook Lee ,  Yong-Sup Hwang ,  Seung-Yong Lee

发明人： Seong-Su Kim ,  Yong-Suk Choi ,  Gee-Sung Chae ,  Gyoo-Chul Jo ,  Oh-Nam Kwon ,  Kyoung-Mook Lee ,  Yong-Sup Hwang ,  Seung-Yong Lee

IPC分类号： G09G3/36

CPC分类号： C09K13/08 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  H01L21/32134

摘要： An etching solution for a multiple layer of copper and molybdenum includes: about 5% to about 30% by weight of a hydrogen peroxide; about 0.5% to about 5% by weight of an organic acid; about 0.2% to about 5% by weight of a phosphate; about 0.2% to about 5% by weight of a first additive having nitrogen; about 0.2% to about 5% by weight of a second additive having nitrogen; about 0.01% to about 1.0% by weight of a fluoric compound; and de-ionized water making a total amount of the etching solution 100% by weight.

摘要翻译： 用于多层铜和钼的蚀刻溶液包括：约5％至约30％重量的过氧化氢; 约0.5重量％至约5重量％的有机酸; 约0.2重量％至约5重量％的磷酸盐; 约0.2重量％至约5重量％的具有氮的第一添加剂; 约0.2重量％至约5重量％的具有氮气的第二添加剂; 约0.01重量％至约1.0重量％的氟化合物; 和去离子水，使总量的蚀刻溶液100重量％。

公开(公告)号：US07091165B2

公开(公告)日：2006-08-15

申请号：US10694951

申请日：2003-10-29

申请人： Gyoo-Chul Jo ,  Gee-Sung Chae ,  Oh-Nam Kwon ,  Kyoung-Mook Lee ,  Yong-Sup Hwang ,  Seong-Bae Kim ,  Suk-Chang Jang

发明人： Gyoo-Chul Jo ,  Gee-Sung Chae ,  Oh-Nam Kwon ,  Kyoung-Mook Lee ,  Yong-Sup Hwang ,  Seong-Bae Kim ,  Suk-Chang Jang

IPC分类号： C11D1/00

CPC分类号： C11D3/2068 ,  C11D1/22 ,  C11D7/263 ,  C11D7/34 ,  C11D11/0047

摘要： A composition for removing a copper-compatible resist includes: about 0.1% to about 10% by weight of an alkylbenzenesulfonic compound; about 10% to about 99% by weight of a glycolether compound; and about 0.5% to about 5% by weight of a corrosion inhibitor.

摘要翻译： 用于除去铜相容抗蚀剂的组合物包括：约0.1％至约10％重量的烷基苯磺酸化合物; 约10重量％至约99重量％的乙二醇醚化合物; 和约0.5重量％至约5重量％的腐蚀抑制剂。

公开(公告)号：US07384900B2

公开(公告)日：2008-06-10

申请号：US10924841

申请日：2004-08-25

申请人： Gyoo-Chul Jo ,  Gee-Sung Chae ,  Oh-Nam Kwon ,  Kyoung-Mook Lee ,  Yong-Sup Hwang ,  Seong-Bae Kim ,  Suk-Chang Jang ,  Suk-ll Yoon

发明人： Gyoo-Chul Jo ,  Gee-Sung Chae ,  Oh-Nam Kwon ,  Kyoung-Mook Lee ,  Yong-Sup Hwang ,  Seong-Bae Kim ,  Suk-Chang Jang ,  Suk-ll Yoon

IPC分类号： C11D7/50

CPC分类号： C11D3/0073 ,  C11D7/263 ,  C11D7/3218 ,  C11D7/3263 ,  C11D7/3281 ,  C11D7/34 ,  C11D11/0047 ,  G03F7/425

摘要： A composition for removing a copper-compatible resist includes about 10 to 30% by weight of an amine compound solvent, the amine compound solvent including an alkanol amine, about 10 to 80% by weight of a glycol group solvent, about 9.5 to 80% by weight of a polar solvent, and about 0.5 to 10% by weight of a corrosion inhibitor.

摘要翻译： 用于除去铜相容抗蚀剂的组合物包括约10至30重量％的胺化合物溶剂，包括烷醇胺的胺化合物溶剂，约10至80重量％的二醇基溶剂，约9.5至80重量％ 的极性溶剂和约0.5-10重量％的腐蚀抑制剂。

公开(公告)号：US20060217278A1

公开(公告)日：2006-09-28

申请号：US11415266

申请日：2006-05-02

申请人： Gyoo-Chul Jo ,  Gee-Sung Chae ,  Oh-Nam Kwon ,  Kyoung-Mook Lee ,  Yong-Sup Hwang ,  Seong-Bae Kim ,  Suk-Chang Jang

发明人： Gyoo-Chul Jo ,  Gee-Sung Chae ,  Oh-Nam Kwon ,  Kyoung-Mook Lee ,  Yong-Sup Hwang ,  Seong-Bae Kim ,  Suk-Chang Jang

IPC分类号： C11D7/32

CPC分类号： C11D3/2068 ,  C11D1/22 ,  C11D7/263 ,  C11D7/34 ,  C11D11/0047

摘要： A composition for removing a copper-compatible resist includes: about 0.1% to about 10% by weight of an alkylbenzenesulfonic compound; about 10% to about 99% by weight of a glycolether compound; and about 0.5% to about 5% by weight of a corrosion inhibitor.

公开(公告)号：US07671002B2

公开(公告)日：2010-03-02

申请号：US11415266

申请日：2006-05-02

申请人： Gyoo-Chul Jo ,  Gee-Sung Chae ,  Oh-Nam Kwon ,  Kyoung-Mook Lee ,  Yong-Sup Hwang ,  Seong-Bae Kim ,  Suk-Chang Jang

发明人： Gyoo-Chul Jo ,  Gee-Sung Chae ,  Oh-Nam Kwon ,  Kyoung-Mook Lee ,  Yong-Sup Hwang ,  Seong-Bae Kim ,  Suk-Chang Jang

IPC分类号： C11D7/32

CPC分类号： C11D3/2068 ,  C11D1/22 ,  C11D7/263 ,  C11D7/34 ,  C11D11/0047

摘要： A composition for removing a copper-compatible resist includes: about 0.1% to about 10% by weight of an alkylbenzenesulfonic compound; about 10% to about 99% by weight of a glycolether compound; and about 0.5% to about 5% by weight of a corrosion inhibitor.

摘要翻译： 用于除去铜相容抗蚀剂的组合物包括：约0.1％至约10％重量的烷基苯磺酸化合物; 约10重量％至约99重量％的乙二醇醚化合物; 和约0.5重量％至约5重量％的腐蚀抑制剂。

公开(公告)号：US20080286974A1

公开(公告)日：2008-11-20

申请号：US12219446

申请日：2008-07-22

申请人： Seong-Su Kim ,  Yong-Suk Choi ,  Gee-Sung Chae ,  Gyoo-Chul Jo ,  Oh-Nam Kwon ,  Kyoung-Mook Lee ,  Yong-Sup Hwang ,  Seung-Yong Lee

发明人： Seong-Su Kim ,  Yong-Suk Choi ,  Gee-Sung Chae ,  Gyoo-Chul Jo ,  Oh-Nam Kwon ,  Kyoung-Mook Lee ,  Yong-Sup Hwang ,  Seung-Yong Lee

IPC分类号： H01L21/311

CPC分类号： C09K13/08 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  H01L21/32134

摘要： An etching solution for a multiple layer of copper and molybdenum includes: about 5% to about 30% by weight of a hydrogen peroxide; about 0.5% to about 5% by weight of an organic acid; about 0.2% to about 5% by weight of a phosphate; about 0.2% to about 5% by weight of a first additive having nitrogen; about 0.2% to about 5% by weight of a second additive having nitrogen; about 0.01% to about 1.0% by weight of a fluoric compound; and de-ionized water making a total amount of the etching solution 100% by weight.

公开(公告)号：US20050048397A1

公开(公告)日：2005-03-03

申请号：US10924841

申请日：2004-08-25

申请人： Gyoo-Chul Jo ,  Geo-Sung Chae ,  Oh-Nam Kwon ,  Kyoung-Mook Lee ,  Yong-Sup Hwang ,  Seong-Bae Kim ,  Suk-Chang Jang ,  Suk-Il Yoon

发明人： Gyoo-Chul Jo ,  Geo-Sung Chae ,  Oh-Nam Kwon ,  Kyoung-Mook Lee ,  Yong-Sup Hwang ,  Seong-Bae Kim ,  Suk-Chang Jang ,  Suk-Il Yoon

IPC分类号： G03F7/42 ,  C11D3/00 ,  C11D7/26 ,  C11D7/32 ,  C11D7/34 ,  C11D11/00 ,  G02F1/133 ,  G02F1/136 ,  G03C11/12 ,  H01L21/027

CPC分类号： C11D3/0073 ,  C11D7/263 ,  C11D7/3218 ,  C11D7/3263 ,  C11D7/3281 ,  C11D7/34 ,  C11D11/0047 ,  G03F7/425

摘要： A composition for removing a copper-compatible resist includes about 10 to 30% by weight of an amine compound solvent, the amine compound solvent including an alkanol amine, about 10 to 80% by weight of a glycol group solvent, about 9.5 to 80% by weight of a polar solvent, and about 0.5 to 10% by weight of a corrosion inhibitor.

摘要翻译： 用于除去铜相容抗蚀剂的组合物包括约10至30重量％的胺化合物溶剂，包括烷醇胺的胺化合物溶剂，约10至80重量％的二醇基溶剂，约9.5至80重量％ 的极性溶剂和约0.5-10重量％的腐蚀抑制剂。

公开(公告)号：US07662763B2

公开(公告)日：2010-02-16

申请号：US11185856

申请日：2005-07-21

申请人： Gee-Sung Chae ,  Yong-Sup Hwang ,  Cyoo-Chul Jo ,  Oh-Nam Kwon ,  Kyoung-Mook Lee ,  Byung-Uk Kim ,  Sang-Dai Lee ,  Jong-Soon Yoo

发明人： Gee-Sung Chae ,  Yong-Sup Hwang ,  Cyoo-Chul Jo ,  Oh-Nam Kwon ,  Kyoung-Mook Lee ,  Byung-Uk Kim ,  Sang-Dai Lee ,  Jong-Soon Yoo

IPC分类号： C11D7/50

CPC分类号： C11D11/0047 ,  C11D7/263 ,  C11D7/3218 ,  C11D7/3263 ,  C11D7/3281 ,  C11D7/5013 ,  G03F7/425 ,  Y10S134/902

摘要： A composition for removing a copper-compatible resist includes about 10% to about 30% by weight of an amine compound, about 10% to about 80% by weight of a glycolether compound, and about 10% to about 80% by weight of a polar solvent.

摘要翻译： 用于除去铜相容抗蚀剂的组合物包括约10％至约30％重量的胺化合物，约10％至约80％重量的乙二醇醚化合物和约10％至约80％重量的 极性溶剂。