公开(公告)号：US08664111B2

公开(公告)日：2014-03-04

申请号：US13249505

申请日：2011-09-30

申请人： Ha-Jin Lim ,  Moon-Han Park ,  Eun-Gon Kim ,  Jin-Ho Do ,  Weon-Hong Kim ,  Moon-Kyun Song ,  Dae-Kwon Joo

发明人： Ha-Jin Lim ,  Moon-Han Park ,  Eun-Gon Kim ,  Jin-Ho Do ,  Weon-Hong Kim ,  Moon-Kyun Song ,  Dae-Kwon Joo

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/28123 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28097 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/32139 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

摘要： There is provided a method of manufacturing a semiconductor device. In the method, a gate insulation layer including a high-k dielectric material is formed on a substrate. An etch stop layer is formed on the gate insulation layer. A metal layer is formed on the etch stop layer. A hard mask including amorphous silicon is formed on the metal layer. The metal layer is patterned using the hard mask as an etching mask to form a metal layer pattern.

摘要翻译： 提供了制造半导体器件的方法。 在该方法中，在基板上形成包括高k电介质材料的栅极绝缘层。 在栅绝缘层上形成蚀刻停止层。 在蚀刻停止层上形成金属层。 在金属层上形成包括非晶硅的硬掩模。 使用硬掩模作为蚀刻掩模对金属层进行图案化以形成金属层图案。

公开(公告)号：US20120032332A1

公开(公告)日：2012-02-09

申请号：US13191948

申请日：2011-07-27

申请人： Ha Jin Lim ,  Jin-Ho Do ,  Weon-Hong Kim ,  Moon-Kyun Song ,  Dae-Kwon Joo

发明人： Ha Jin Lim ,  Jin-Ho Do ,  Weon-Hong Kim ,  Moon-Kyun Song ,  Dae-Kwon Joo

IPC分类号： H01L29/49 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/10894 ,  H01L29/4966

摘要： Methods of manufacturing a semiconductor device include forming a gate insulation layer including a high-k dielectric material on a substrate that is divided into a first region and a second region; forming a diffusion barrier layer including a first metal on a second portion of the gate insulation layer in the second region; forming a diffusion layer on the gate insulation layer and the diffusion barrier layer; and diffusing an element of the diffusion layer into a first portion of the gate insulation layer in the first region.

摘要翻译： 制造半导体器件的方法包括在被分成第一区域和第二区域的衬底上形成包括高k电介质材料的栅极绝缘层; 在所述第二区域中的所述栅极绝缘层的第二部分上形成包括第一金属的扩散阻挡层; 在所述栅绝缘层和所述扩散阻挡层上形成扩散层; 以及将所述扩散层的元素扩散到所述第一区域中的所述栅极绝缘层的第一部分中。

公开(公告)号：US08563411B2

公开(公告)日：2013-10-22

申请号：US13191948

申请日：2011-07-27

申请人： Ha-Jin Lim ,  Jin-Ho Do ,  Weon-Hong Kim ,  Moon-Kyun Song ,  Dae-Kwon Joo

发明人： Ha-Jin Lim ,  Jin-Ho Do ,  Weon-Hong Kim ,  Moon-Kyun Song ,  Dae-Kwon Joo

IPC分类号： H01L21/3205

CPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/10894 ,  H01L29/4966

摘要： Methods of manufacturing a semiconductor device include forming a gate insulation layer including a high-k dielectric material on a substrate that is divided into a first region and a second region; forming a diffusion barrier layer including a first metal on a second portion of the gate insulation layer in the second region; forming a diffusion layer on the gate insulation layer and the diffusion barrier layer; and diffusing an element of the diffusion layer into a first portion of the gate insulation layer in the first region.

公开(公告)号：US20110306171A1

公开(公告)日：2011-12-15

申请号：US13105652

申请日：2011-05-11

申请人： Ha-Jin Lim ,  Jin-Ho Do ,  Weon-Hong Kim ,  Moon-Kyun Song ,  Dae-Kwon Joo

发明人： Ha-Jin Lim ,  Jin-Ho Do ,  Weon-Hong Kim ,  Moon-Kyun Song ,  Dae-Kwon Joo

IPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L21/823857 ,  H01L21/28202 ,  H01L29/518

摘要： An insulation layer is formed on a substrate having an NMOS region and a PMOS region defined therein. A first conductive layer is formed on the insulation layer in the PMOS region, leaving a portion of the insulation layer in the NMOS region exposed. Nitriding is performed to produce a first nitrogen concentration in the insulation layer in the NMOS region and a second nitrogen concentration less than the first nitrogen concentration in the insulation layer in the PMOS region. A second conductive layer is formed on the insulation layer and the first conductive layer and the first and second conductive layers and the insulation layer are patterned to form a first gate structure and a second gate structure in the NMOS region and the PMOS region, respectively.

摘要翻译： 在其上限定有NMOS区和PMOS区的基板上形成绝缘层。 在PMOS区域中的绝缘层上形成第一导电层，使NMOS区域中的绝缘层的一部分露出。 进行氮化，以在NMOS区域中的绝缘层中产生第一氮浓度，并且在PMOS区域中的绝缘层中小于第一氮浓度的第二氮浓度。 第二导电层形成在绝缘层上，并且第一导电层以及第一和第二导电层和绝缘层被图案化以分别在NMOS区域和PMOS区域中形成第一栅极结构和第二栅极结构。

公开(公告)号：US20120083111A1

公开(公告)日：2012-04-05

申请号：US13249505

申请日：2011-09-30

申请人： Ha-Jin Lim ,  Moon-Han Park ,  Eun-Gon Kim ,  Jin-Ho Do ,  Weon-Hong Kim ,  Moon-Kyun Song ,  Dae-Kwon Joo

发明人： Ha-Jin Lim ,  Moon-Han Park ,  Eun-Gon Kim ,  Jin-Ho Do ,  Weon-Hong Kim ,  Moon-Kyun Song ,  Dae-Kwon Joo

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L21/28123 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28097 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/32139 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

摘要： There is provided a method of manufacturing a semiconductor device. In the method, a gate insulation layer including a high-k dielectric material is formed on a substrate. An etch stop layer is formed on the gate insulation layer. A metal layer is formed on the etch stop layer. A hard mask including amorphous silicon is formed on the metal layer. The metal layer is patterned using the hard mask as an etching mask to form a metal layer pattern.

摘要翻译： 提供了制造半导体器件的方法。 在该方法中，在基板上形成包括高k电介质材料的栅极绝缘层。 在栅绝缘层上形成蚀刻停止层。 在蚀刻停止层上形成金属层。 在金属层上形成包括非晶硅的硬掩模。 使用硬掩模作为蚀刻掩模对金属层进行图案化以形成金属层图案。

公开(公告)号：US20120070975A1

公开(公告)日：2012-03-22

申请号：US13228089

申请日：2011-09-08

申请人： Ha-Jin Lim ,  Moon-Han Park ,  Min-Woo Song ,  Jin-Ho Do ,  Weon-Hong Kim ,  Moon-Kyun Song ,  Dae-Kwon Joo

发明人： Ha-Jin Lim ,  Moon-Han Park ,  Min-Woo Song ,  Jin-Ho Do ,  Weon-Hong Kim ,  Moon-Kyun Song ,  Dae-Kwon Joo

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L27/10873 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28202 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10894 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

摘要： A method of forming agate structure having an improved electric characteristic is disclosed. A gate insulating layer is formed on a substrate and a metal layer is formed on the gate insulating layer. Then, an amorphous silicon layer is formed on the metal layer by a physical vapor deposition (PVD) process. An impurity doped polysilicon layer is formed on the amorphous silicon layer. Formation of an oxide layer at an interface between the amorphous silicon layer and the metal layer may be prevented.

摘要翻译： 公开了一种形成具有改善的电特性的玛瑙结构的方法。 在基板上形成栅极绝缘层，在栅极绝缘层上形成金属层。 然后，通过物理气相沉积（PVD）工艺在金属层上形成非晶硅层。 在非晶硅层上形成杂质掺杂多晶硅层。 可以防止在非晶硅层和金属层之间的界面处形成氧化物层。

公开(公告)号：US08673747B2

公开(公告)日：2014-03-18

申请号：US13093097

申请日：2011-04-25

申请人： Jin-Ho Do ,  Ha-Jin Lim ,  Weon-Hong Kim ,  Hoi-Sung Chung ,  Moon-Kyun Song ,  Dae-Kwon Joo

发明人： Jin-Ho Do ,  Ha-Jin Lim ,  Weon-Hong Kim ,  Hoi-Sung Chung ,  Moon-Kyun Song ,  Dae-Kwon Joo

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/02236 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28211 ,  H01L29/51 ,  H01L29/513

摘要： A method of fabricating a semiconductor device includes: forming an epitaxial layer on a semiconductor substrate; forming a capping layer having a first thickness on the epitaxial layer; and oxidizing the capping layer in an oxygen atmosphere to form a first gate dielectric layer having a second thickness.

摘要翻译： 制造半导体器件的方法包括：在半导体衬底上形成外延层; 在所述外延层上形成具有第一厚度的覆盖层; 以及在氧气氛中氧化所述覆盖层以形成具有第二厚度的第一栅极介电层。

公开(公告)号：US08455345B2

公开(公告)日：2013-06-04

申请号：US13228089

申请日：2011-09-08

申请人： Ha-Jin Lim ,  Moon-Han Park ,  Min-Woo Song ,  Jin-Ho Do ,  Weon-Hong Kim ,  Moon-Kyun Song ,  Dae-Kwon Joo

发明人： Ha-Jin Lim ,  Moon-Han Park ,  Min-Woo Song ,  Jin-Ho Do ,  Weon-Hong Kim ,  Moon-Kyun Song ,  Dae-Kwon Joo

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L27/10873 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28202 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10894 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

摘要： A method of forming agate structure having an improved electric characteristic is disclosed. A gate insulating layer is formed on a substrate and a metal layer is formed on the gate insulating layer. Then, an amorphous silicon layer is formed on the metal layer by a physical vapor deposition (PVD) process. An impurity doped polysilicon layer is formed on the amorphous silicon layer. Formation of an oxide layer at an interface between the amorphous silicon layer and the metal layer may be prevented.

摘要翻译： 公开了一种形成具有改善的电特性的玛瑙结构的方法。 在基板上形成栅极绝缘层，在栅极绝缘层上形成金属层。 然后，通过物理气相沉积（PVD）工艺在金属层上形成非晶硅层。 在非晶硅层上形成杂质掺杂多晶硅层。 可以防止在非晶硅层和金属层之间的界面处形成氧化物层。

公开(公告)号：US20110306184A1

公开(公告)日：2011-12-15

申请号：US13093097

申请日：2011-04-25

申请人： Jin-Ho Do ,  Ha-Jin Lim ,  Weon-Hong Kim ,  Hoi-Sung Chung ,  Moon-Kyun Song ,  Dae-Kwon Joo

发明人： Jin-Ho Do ,  Ha-Jin Lim ,  Weon-Hong Kim ,  Hoi-Sung Chung ,  Moon-Kyun Song ,  Dae-Kwon Joo

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L21/02236 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28211 ,  H01L29/51 ,  H01L29/513

摘要： A method of fabricating a semiconductor device includes: forming an epitaxial layer on a semiconductor substrate; forming a capping layer having a first thickness on the epitaxial layer; and oxidizing the capping layer in an oxygen atmosphere to form a first gate dielectric layer having a second thickness.

摘要翻译： 制造半导体器件的方法包括：在半导体衬底上形成外延层; 在所述外延层上形成具有第一厚度的覆盖层; 以及在氧气氛中氧化所述覆盖层以形成具有第二厚度的第一栅极介电层。