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    Non-planar magnet tracking during magnetron sputtering
    1.
    发明授权
    Non-planar magnet tracking during magnetron sputtering 失效
    磁控溅射过程中的非平面磁体跟踪

    公开(公告)号：US5855744A

    公开(公告)日：1999-01-05

    申请号：US684446

    申请日：1996-07-19

    申请人： Harlan I. Halsey ,  Richard E. Demaray ,  Russell Black ,  Akihiro Hosokawa ,  Allan De Salvo ,  Victoria L. Hall

    发明人： Harlan I. Halsey ,  Richard E. Demaray ,  Russell Black ,  Akihiro Hosokawa ,  Allan De Salvo ,  Victoria L. Hall

    IPC分类号： C23C14/35 ,  H01J37/34 ,  H01L21/203

    CPC分类号： H01J37/3455 ,  H01J37/3408

    摘要： The structure and method which improves the film thickness uniformity or thickness control when using magnetron sputtering by adjusting the distance between the magnetron or a portion of the magnetron and the sputtering target to provide an improvement in the film thickness uniformity. Shimmed rails, contoured rails, contoured surfaces, cam plates, and cam plate control followers are utilized to achieve an improvement in film thickness uniformity or thickness control due to anomalies in magnetic field as a magnetron assembly moves back and forth when sputtering substrates (utilized primarily for rectangularly shaped substrates).

    摘要翻译： 通过调整磁控管或磁控管的一部分与溅射靶之间的距离来改善使用磁控管溅射时的膜厚均匀性或厚度控制的结构和方法，以提高膜厚均匀性。 由于磁控管组件在溅射基板（来自主要应用时）来回移动，因此利用薄板轨道，轮廓轨道，轮廓表面，凸轮板和凸轮板控制跟随器来实现由于磁场异常而导致的膜厚度均匀性或厚度控制的改进 对于矩形基板）。

    Heated and cooled vacuum chamber shield
    2.
    发明申请
    Heated and cooled vacuum chamber shield 审中-公开
    加热和冷却真空室屏蔽

    公开(公告)号：US20050150757A1

    公开(公告)日：2005-07-14

    申请号：US11028889

    申请日：2005-01-04

    申请人： Russell Black ,  Norman Turner ,  Ernest Demaray

    发明人： Russell Black ,  Norman Turner ,  Ernest Demaray

    IPC分类号： C23C14/00 ,  C23C14/34 ,  C23C14/56 ,  H01L21/00 ,  H01L21/203

    CPC分类号： H01L21/67109 ,  C23C14/564

    摘要： The invention is directed to method for processing substrates and chamber for the same. In one embodiment, a method for processing substrates includes transferring a substrate to a substrate support disposed in a processing chamber, controlling a temperature of a liner lining a sidewall of the processing chamber, and processing the substrate in the processing chamber.

    摘要翻译： 本发明涉及用于处理基板和室的方法。 在一个实施例中，用于处理基板的方法包括将基板转移到设置在处理室中的基板支撑件，控制衬在处理室的侧壁上的衬垫的温度，以及处理处理室中的衬底。

    Heated and cooled vacuum chamber shield
    3.
    发明授权
    Heated and cooled vacuum chamber shield 有权
    加热和冷却真空室屏蔽

    公开(公告)号：US06881305B2

    公开(公告)日：2005-04-19

    申请号：US10011590

    申请日：2001-11-06

    申请人： Russell Black ,  Norman L. Turner ,  Ernest Demaray

    发明人： Russell Black ,  Norman L. Turner ,  Ernest Demaray

    IPC分类号： C23C14/00 ,  C23C14/34 ,  C23C14/56 ,  H01L21/00 ,  H01L21/203 ,  F25B29/00 ,  F27B15/00

    CPC分类号： H01L21/67109 ,  C23C14/564

    摘要： The invention is directed to an apparatus and method for reducing particulates in a semiconductor processing chamber. The apparatus comprises a shield for lining at portion of the interior of a vacuum processing chamber. The interior of the shield defines a shield passage. A heater element is disposed within the shield passage. A gas inlet is used for providing gases to the interior of the shield passage. The range of temperatures which may be used is wide and generally fitted to the process. For example, the invention may be used to provide a rapid cooldown or bakeout. Once the temperature is chosen, isothermal conditions can be maintained so as to minimize the thermal cycle stress, reducing cracking, peeling, etc.

    摘要翻译： 本发明涉及一种用于减少半导体处理室中的微粒的装置和方法。 该装置包括用于在真空处理室的内部的一部分内衬的屏蔽件。 护罩的内部限定了屏蔽通道。 加热器元件设置在屏蔽通道内。 气体入口用于向屏蔽通道的内部提供气体。 可以使用的温度范围宽，通常适用于该方法。 例如，本发明可用于提供快速冷却或烘烤。 一旦选择温度，可以保持等温条件，以便最小化热循环应力，减少开裂，剥落等。

    Heated and cooled vacuum chamber shield
    4.
    发明授权
    Heated and cooled vacuum chamber shield 失效
    加热和冷却真空室屏蔽

    公开(公告)号：US06432203B1

    公开(公告)日：2002-08-13

    申请号：US09328503

    申请日：1998-01-09

    申请人： Russell Black ,  Norman L. Turner ,  Ernest Demaray

    发明人： Russell Black ,  Norman L. Turner ,  Ernest Demaray

    IPC分类号： B05C1111

    CPC分类号： H01L21/67109 ,  C23C14/564

    摘要： The invention is directed to an apparatus and method for reducing particulates in a semiconductor processing chamber. The apparatus comprises a shield for lining a portion of the interior of a vacuum processing chamber. The interior of the shield defines a shield passage. A heater element is disposed within the shield passage. A gas inlet is used for providing gases to the interior of the shield passage. The range of temperatures which may be used is wide and generally fitted to the process. For example, the invention may be used to provide a rapid cooldown or bakeout. Once the temperature is chosen, isothermal conditions can be maintained so as to minimize the thermal cycle stress, reducing cracking, peeling, etc.

    摘要翻译： 本发明涉及一种用于减少半导体处理室中的微粒的装置和方法。 该装置包括用于衬套真空处理室内部的一部分的屏蔽件。 护罩的内部限定了屏蔽通道。 加热器元件设置在屏蔽通道内。 气体入口用于向屏蔽通道的内部提供气体。 可以使用的温度范围宽，通常适用于该方法。 例如，本发明可用于提供快速冷却或烘烤。 一旦选择温度，可以保持等温条件，以便最小化热循环应力，减少开裂，剥落等。