公开(公告)号：US08883579B2

公开(公告)日：2014-11-11

申请号：US13285489

申请日：2011-10-31

申请人： Hee-Dong Choi ,  Jin-Chae Jeon ,  Seung-Joon Jeon ,  Hoe-Yong Kim

发明人： Hee-Dong Choi ,  Jin-Chae Jeon ,  Seung-Joon Jeon ,  Hoe-Yong Kim

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L27/32

CPC分类号： H01L27/1255 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/3223 ,  H01L27/3265

摘要： A method of fabricating an array substrate for an organic electroluminescent display device includes forming a semiconductor layer, a semiconductor dummy pattern, a first storage electrode and a first gate insulating layer on a substrate; forming a second gate insulating layer on the semiconductor layer and the first storage electrode; forming a gate electrode and a second storage electrode on the second gate insulating layer; forming ohmic contact layers by doping impurities into both sides of the semiconductor layer; forming an inter insulating layer on the gate electrode and the second storage electrode; forming source and drain electrodes and a third storage electrode on the inter insulating layer; forming a passivation layer on the source and drain electrodes and the third storage electrode; forming a first electrode and a fourth storage electrode on the passivation layer; and forming a spacer and a bank on the first electrode.

摘要翻译： 一种制造有机电致发光显示装置用阵列基板的方法包括在基板上形成半导体层，半导体虚设图形，第一存储电极和第一栅极绝缘层; 在所述半导体层和所述第一存储电极上形成第二栅极绝缘层; 在所述第二栅极绝缘层上形成栅电极和第二存储电极; 通过将杂质掺杂到半导体层的两侧来形成欧姆接触层; 在栅电极和第二存储电极上形成绝缘层; 在绝缘层上形成源电极和漏电极和第三存储电极; 在源电极和漏电极和第三存储电极上形成钝化层; 在钝化层上形成第一电极和第四存储电极; 以及在所述第一电极上形成间隔物和堤岸。

公开(公告)号：US20120104399A1

公开(公告)日：2012-05-03

申请号：US13285489

申请日：2011-10-31

申请人： Hee-Dong CHOI ,  Jin-Chae Jeon ,  Seung-Joon Jeon ,  Hoe-Yong Kim

发明人： Hee-Dong CHOI ,  Jin-Chae Jeon ,  Seung-Joon Jeon ,  Hoe-Yong Kim

IPC分类号： H01L33/08 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L27/1255 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/3223 ,  H01L27/3265

摘要： A method of fabricating an array substrate for an organic electroluminescent display device includes forming a semiconductor layer, a semiconductor dummy pattern, a first storage electrode and a first gate insulating layer on a substrate; forming a second gate insulating layer on the semiconductor layer and the first storage electrode; forming a gate electrode and a second storage electrode on the second gate insulating layer; forming ohmic contact layers by doping impurities into both sides of the semiconductor layer; forming an inter insulating layer on the gate electrode and the second storage electrode; forming source and drain electrodes and a third storage electrode on the inter insulating layer; forming a passivation layer on the source and drain electrodes and the third storage electrode; forming a first electrode and a fourth storage electrode on the passivation layer; and forming a spacer and a bank on the first electrode.

摘要翻译： 一种制造有机电致发光显示装置用阵列基板的方法包括在基板上形成半导体层，半导体虚设图形，第一存储电极和第一栅极绝缘层; 在所述半导体层和所述第一存储电极上形成第二栅极绝缘层; 在所述第二栅极绝缘层上形成栅电极和第二存储电极; 通过将杂质掺杂到半导体层的两侧来形成欧姆接触层; 在栅电极和第二存储电极上形成绝缘层; 在绝缘层上形成源电极和漏电极和第三存储电极; 在源电极和漏电极和第三存储电极上形成钝化层; 在钝化层上形成第一电极和第四存储电极; 以及在所述第一电极上形成间隔物和堤岸。

公开(公告)号：US08603845B2

公开(公告)日：2013-12-10

申请号：US13339097

申请日：2011-12-28

申请人： Hee-Dong Choi ,  Seung-Joon Jeon

发明人： Hee-Dong Choi ,  Seung-Joon Jeon

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L27/088 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/3246 ,  H01L27/3265 ,  H01L27/3276 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78672 ,  H01L51/5218 ,  H01L51/5246 ,  H01L2227/323

摘要： An array substrate for an organic electroluminescent display device includes a substrate including a display area and a non-display area; a gate line and a data line; a thin film transistor including a semiconductor layer of polycrystalline silicon, a gate insulating layer, a gate electrode, an inter insulating layer, a source electrode, and a drain electrode; auxiliary lines formed of a same material and on a same layer as the data line; a passivation layer of organic insulating material and including a drain contact hole exposing the drain electrode, and an auxiliary line contact hole exposing one of the auxiliary lines; and a first electrode and a line connection pattern on the passivation layer, wherein the first electrode contacts the drain electrode and the line connection pattern contacts the one of the first auxiliary pattern.

摘要翻译： 用于有机电致发光显示装置的阵列基板包括：具有显示区域和非显示区域的基板; 门线和数据线; 包括多晶硅半导体层，栅极绝缘层，栅电极，绝缘层，源电极和漏电极的薄膜晶体管; 辅助线由相同的材料形成，与数据线在同一层上; 有机绝缘材料的钝化层，并且包括暴露漏电极的漏极接触孔，以及暴露辅助线之一的辅助线接触孔; 以及钝化层上的第一电极和线连接图案，其中第一电极接触漏电极，线连接图案接触第一辅助图案之一。

公开(公告)号：US20120302047A1

公开(公告)日：2012-11-29

申请号：US13230931

申请日：2011-09-13

申请人： Mi-Ri LEE ,  Jae-Geun Oh ,  Seung-Joon Jeon ,  Jin-Ku Lee ,  Bong-Seok Jeon

发明人： Mi-Ri LEE ,  Jae-Geun Oh ,  Seung-Joon Jeon ,  Jin-Ku Lee ,  Bong-Seok Jeon

IPC分类号： H01L21/265

CPC分类号： H01L29/0847 ,  H01L21/26586 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10885 ,  H01L27/10888 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7827

摘要： A method for fabricating a semiconductor device includes forming a structure having first surfaces at a height above a second surface, which is provided between the first surfaces, forming a first silicon layer on the structure, performing a tilt ion implantation process on the first silicon layer to form a crystalline region and an amorphous region, forming a second silicon layer on the amorphous region, removing the second silicon layer and the first silicon layer until a part of the second surface is exposed, thereby forming an etch barrier, and etching using the etch barrier to form an open part that exposes a part of a sidewall of the structure.

摘要翻译： 一种半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述第一面之间形成具有位于第二面以上的高度的第一表面的结构，在所述结构上形成第一硅层，对所述第一硅层进行倾斜离子注入工序 以形成晶体区域和非晶区域，在非晶区域上形成第二硅层，去除第二硅层和第一硅层，直到第二表面的一部分露出，从而形成蚀刻阻挡层，并使用 蚀刻阻挡层以形成暴露结构的侧壁的一部分的开放部分。

公开(公告)号：US08253204B2

公开(公告)日：2012-08-28

申请号：US12343347

申请日：2008-12-23

申请人： Young-Ho Lee ,  Seung-Joon Jeon ,  Tae-Hang Ahn

发明人： Young-Ho Lee ,  Seung-Joon Jeon ,  Tae-Hang Ahn

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/02 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7848 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834

摘要： A semiconductor device includes: a gate pattern over a substrate; recess patterns provided in the substrate at both sides of the gate pattern, each having a side surface extending below the gate pattern; and a source and a drain filling the recess patterns, and forming a strained channel under the gate pattern.

摘要翻译： 半导体器件包括：衬底上的栅极图案; 在栅极图案的两侧设置在基板中的凹部图案，每个凹部图案具有在栅极图案下方延伸的侧表面; 以及填充凹陷图案的源极和漏极，并且在栅极图案下形成应变通道。

公开(公告)号：US08912068B2

公开(公告)日：2014-12-16

申请号：US13560577

申请日：2012-07-27

申请人： Young-Ho Lee ,  Seung-Joon Jeon ,  Tae-Hang Ahn

发明人： Young-Ho Lee ,  Seung-Joon Jeon ,  Tae-Hang Ahn

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/66 ,  H01L29/165 ,  H01L29/08

CPC分类号： H01L29/7848 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834

摘要： A semiconductor device includes: a gate pattern over a substrate; recess patterns provided in the substrate at both sides of the gate pattern, each having a side surface extending below the gate pattern; and a source and a drain filling the recess patterns, and forming a strained channel under the gate pattern.

摘要翻译： 半导体器件包括：衬底上的栅极图案; 在栅极图案的两侧设置在基板中的凹部图案，每个凹部图案具有在栅极图案下方延伸的侧表面; 以及填充凹陷图案的源极和漏极，并且在栅极图案下形成应变通道。

公开(公告)号：US07311860B2

公开(公告)日：2007-12-25

申请号：US10484704

申请日：2002-02-28

申请人： Bong-Rae Cho ,  Seung-Joon Jeon ,  Min-Haeng Cho

发明人： Bong-Rae Cho ,  Seung-Joon Jeon ,  Min-Haeng Cho

IPC分类号： G02B5/02 ,  G02C7/10 ,  G03B11/00 ,  C07C255/58

CPC分类号： C07D295/155 ,  C07C255/51 ,  C07C255/53 ,  C07C255/54 ,  C07C255/58

摘要： The present invention relates to 1,3,5-tricyano-2,4,6-tris(vinyl)benzene derivatives and method for preparing the same. The 1,3,5-tricyano-2,4,6-tris(vinyl)benzene derivatives can be prepared by refluxing 1,3,5-tricyanomesitylene with N-formylamine dimethylacetal or substituted benzaldehyde, or by the Wittig reaction of 1,3,5-tricyano-2,4,6-tris[(diethoxyphosphoryl)methyl]benzene with substituted benzaldehyde. The 1,3,5-tricyano-2,4,6-tris(vinyl)benzene derivatives exhibit large first hyperpolarizability in solution and significant second harmonic generation (SHG) in the powder state, and are useful as optical devices such as electro-optic modulators, optical switch, or the like for treating optical signal in optical communication industry.

摘要翻译： 本发明涉及1,3,5-三氰基-2,4,6-三（乙烯基）苯衍生物及其制备方法。 1,3,5-三甲酰基-2,4,6-三（乙烯基）苯衍生物可以通过将1,3,5-三甲基二茂铁与N-甲酰胺二甲基缩醛或取代的苯甲醛回流，或通过Wittig反应1， 苯基与取代的苯甲醛反应，得到5-三氰基-2,4,6-三[（二乙氧基磷酰基）甲基]苯。 1,3,5-三甲基-2,4,6-三（乙烯基）苯衍生物在粉末状态下表现出较大的第一超极化性和明显的二次谐波产生（SHG），并且可用作光电器件， 光学调制器，光学开关等用于光通信工业中的光信号处理。

公开(公告)号：US20120007258A1

公开(公告)日：2012-01-12

申请号：US12939677

申请日：2010-11-04

申请人： Jae-Geun Oh ,  Seung-Joon Jeon ,  Jin-Ku Lee ,  Mi-Ri Lee ,  Bong-Seok Jeon

发明人： Jae-Geun Oh ,  Seung-Joon Jeon ,  Jin-Ku Lee ,  Mi-Ri Lee ,  Bong-Seok Jeon

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L21/3205

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L21/743 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10885 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7827

摘要： A method for fabricating a semiconductor device includes forming a plurality of bodies that are each isolated from another by a trench and each include a diffusion barrier region with a sidewall exposed to the trench, forming a doped layer gap-filling the trench, forming a sidewall junction at the exposed sidewall of the diffusion barrier region by annealing the doped layer, and forming a conductive line coupled with the sidewall junction to fill the trench.

摘要翻译： 一种制造半导体器件的方法包括：形成多个通过沟槽与另一个隔离的主体，并且每个都包括具有暴露于沟槽的侧壁的扩散阻挡区域，形成填充沟槽的掺杂层间隙，形成侧壁 通过退火掺杂层而在扩散阻挡区域的暴露的侧壁处形成连接，并且形成与侧壁接合部连接以填充沟槽的导电线。

公开(公告)号：US08354342B2

公开(公告)日：2013-01-15

申请号：US12939677

申请日：2010-11-04

申请人： Jae-Geun Oh ,  Seung-Joon Jeon ,  Jin-Ku Lee ,  Mi-Ri Lee ,  Bong-Seok Jeon

发明人： Jae-Geun Oh ,  Seung-Joon Jeon ,  Jin-Ku Lee ,  Mi-Ri Lee ,  Bong-Seok Jeon

IPC分类号： H01L23/522

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L21/743 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10885 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7827

摘要： A method for fabricating a semiconductor device includes forming a plurality of bodies that are each isolated from another by a trench and each include a diffusion barrier region with a sidewall exposed to the trench, forming a doped layer gap-filling the trench, forming a sidewall junction at the exposed sidewall of the diffusion barrier region by annealing the doped layer, and forming a conductive line coupled with the sidewall junction to fill the trench.

摘要翻译： 一种制造半导体器件的方法包括：形成多个通过沟槽与另一个隔离的主体，并且每个都包括具有暴露于沟槽的侧壁的扩散阻挡区域，形成填充沟槽的掺杂层间隙，形成侧壁 通过退火掺杂层而在扩散阻挡区域的暴露的侧壁处形成连接，并且形成与侧壁接合部连接以填充沟槽的导电线。