公开(公告)号：US07911848B2

公开(公告)日：2011-03-22

申请号：US12461060

申请日：2009-07-30

申请人： Heeseok Eun ,  Jae Hong Kim ,  Kyoung Lae Cho

发明人： Heeseok Eun ,  Jae Hong Kim ,  Kyoung Lae Cho

IPC分类号： G11C16/04

CPC分类号： G11C16/10 ,  G11C11/5642 ,  G11C16/3418 ,  G11C16/3427

摘要： A memory device and a memory data determination method are provided. The memory device may estimate a threshold voltage shift of a first memory cell based on data before the first memory cell is programmed and a target program threshold voltage of the first memory cell. The memory device may generate a metric of a threshold voltage shift of a second memory cell based on the estimated threshold voltage shift of the first memory cell. Also, the memory device may determine data stored in the second memory cell based on the metric.

摘要翻译： 提供存储器件和存储器数据确定方法。 存储器件可以基于第一存储器单元被编程之前的数据和第一存储器单元的目标程序阈值电压来估计第一存储器单元的阈值电压偏移。 存储器件可以基于第一存储器单元的估计的阈值电压偏移来产生第二存储器单元的阈值电压偏移的度量。 此外，存储器设备可以基于度量来确定存储在第二存储器单元中的数据。

公开(公告)号：US07843727B2

公开(公告)日：2010-11-30

申请号：US12232138

申请日：2008-09-11

申请人： Kyoung Lae Cho ,  Donghun Yu ,  Yoon Dong Park ,  Jun Jin Kong ,  Jae Hong Kim ,  Heeseok Eun

发明人： Kyoung Lae Cho ,  Donghun Yu ,  Yoon Dong Park ,  Jun Jin Kong ,  Jae Hong Kim ,  Heeseok Eun

IPC分类号： G11C16/04

CPC分类号： G11C11/5642 ,  G11C16/3418 ,  G11C29/00

摘要： A memory device and a memory data reading method are provided. The memory device may include: a multi-bit cell array; a programming unit that stores N data pages in a memory page in the multi-bit cell array; and a control unit that divides the N data pages into a first group and second group, reads data of the first group from the memory page, and determines a scheme of reading data of the second group from the memory page based on the read data of the first group.

摘要翻译： 提供存储器件和存储器数据读取方法。 存储器件可以包括：多位单元阵列; 编程单元，其将N个数据页存储在多位单元阵列中的存储器页面中; 以及控制单元，其将N个数据页划分为第一组和第二组，从存储器页面读取第一组的数据，并且基于读取的数据确定从存储器页面读取第二组的数据的方案 第一组。

公开(公告)号：US07738293B2

公开(公告)日：2010-06-15

申请号：US12213944

申请日：2008-06-26

申请人： Kyoung Lae Cho ,  Yoon Dong Park ,  Jun Jin Kong ,  Jong Han Kim ,  Jae Hong Kim ,  Young Hwan Lee ,  Heeseok Eun ,  Seung-Hwan Song

发明人： Kyoung Lae Cho ,  Yoon Dong Park ,  Jun Jin Kong ,  Jong Han Kim ,  Jae Hong Kim ,  Young Hwan Lee ,  Heeseok Eun ,  Seung-Hwan Song

IPC分类号： G11C16/04 ,  G11C29/04

CPC分类号： G11C11/5628 ,  G11C29/00 ,  G11C2216/14

摘要： A memory programming apparatuses and/or methods are provided. The memory programming apparatus may include a data storage unit, a first counting unit, an index storage unit and/or a programming unit. The data storage unit may be configured to store a data page. The first counting unit may be configured to generate index information by counting a number of cells included in at least one reference threshold voltage state based on the data page. The index storage unit may be configured to store the generated index information. The programming unit may be configured to store the data page in the data storage unit and store the generated index information in the index storage unit. The first counting unit may send the generated index information to the programming unit. The memory programming apparatus can monitor distribution states of threshold voltages in memory cells.

摘要翻译： 提供了存储器编程设备和/或方法。 存储器编程装置可以包括数据存储单元，第一计数单元，索引存储单元和/或编程单元。 数据存储单元可以被配置为存储数据页。 第一计数单元可以被配置为通过基于数据页计数包括在至少一个参考阈值电压状态中的单元的数量来生成索引信息。 索引存储单元可以被配置为存储所生成的索引信息。 编程单元可以被配置为将数据页存储在数据存储单元中，并将生成的索引信息存储在索引存储单元中。 第一计数单元可以将生成的索引信息发送到编程单元。 存储器编程装置可以监视存储器单元中阈值电压的分布状态。

公开(公告)号：US20090190397A1

公开(公告)日：2009-07-30

申请号：US12232138

申请日：2008-09-11

申请人： Kyoung Lae Cho ,  Donghun Yu ,  Yoon Dong Park ,  Jun Jin Kong ,  Jae Hong Kim ,  Heeseok Eun

发明人： Kyoung Lae Cho ,  Donghun Yu ,  Yoon Dong Park ,  Jun Jin Kong ,  Jae Hong Kim ,  Heeseok Eun

IPC分类号： G11C16/06 ,  G11C16/00 ,  G11C7/00

CPC分类号： G11C11/5642 ,  G11C16/3418 ,  G11C29/00

摘要： A memory device and a memory data reading method are provided. The memory device may include: a multi-bit cell array; a programming unit that stores N data pages in a memory page in the multi-bit cell array; and a control unit that divides the N data pages into a first group and second group, reads data of the first group from the memory page, and determines a scheme of reading data of the second group from the memory page based on the read data of the first group.

摘要翻译： 提供存储器件和存储器数据读取方法。 存储器件可以包括：多位单元阵列; 编程单元，其将N个数据页存储在多位单元阵列中的存储器页面中; 以及控制单元，其将N个数据页划分为第一组和第二组，从存储器页面读取第一组的数据，并且基于读取的数据确定从存储器页面读取第二组的数据的方案 第一组。

公开(公告)号：US20090185417A1

公开(公告)日：2009-07-23

申请号：US12213944

申请日：2008-06-26

申请人： Kyoung Lae Cho ,  Yoon Dong Park ,  Jun Jin Kong ,  Jong Han Kim ,  Jae Hong Kim ,  Young Hwan Lee ,  Heeseok Eun ,  Seung-Hwan Song

发明人： Kyoung Lae Cho ,  Yoon Dong Park ,  Jun Jin Kong ,  Jong Han Kim ,  Jae Hong Kim ,  Young Hwan Lee ,  Heeseok Eun ,  Seung-Hwan Song

IPC分类号： G11C16/04

CPC分类号： G11C11/5628 ,  G11C29/00 ,  G11C2216/14

摘要： A memory programming apparatuses and/or methods are provided. The memory programming apparatus may include a data storage unit, a first counting unit, an index storage unit and/or a programming unit. The data storage unit may be configured to store a data page. The first counting unit may be configured to generate index information by counting a number of cells included in at least one reference threshold voltage state based on the data page. The index storage unit may be configured to store the generated index information. The programming unit may be configured to store the data page in the data storage unit and store the generated index information in the index storage unit. The first counting unit may send the generated index information to the programming unit. The memory programming apparatus can monitor distribution states of threshold voltages in memory cells.

摘要翻译： 提供了存储器编程设备和/或方法。 存储器编程装置可以包括数据存储单元，第一计数单元，索引存储单元和/或编程单元。 数据存储单元可以被配置为存储数据页。 第一计数单元可以被配置为通过基于数据页计数包括在至少一个参考阈值电压状态中的单元的数量来生成索引信息。 索引存储单元可以被配置为存储所生成的索引信息。 编程单元可以被配置为将数据页存储在数据存储单元中，并将生成的索引信息存储在索引存储单元中。 第一计数单元可以将生成的索引信息发送到编程单元。 存储器编程装置可以监视存储器单元中阈值电压的分布状态。

公开(公告)号：US08279668B2

公开(公告)日：2012-10-02

申请号：US12801532

申请日：2010-06-14

申请人： Kyoung Lae Cho ,  Yoon Dong Park ,  Jun Jin Kong ,  Jong Han Kim ,  Jae Hong Kim ,  Young Hwan Lee ,  Heeseok Eun ,  Seung-Hwan Song

发明人： Kyoung Lae Cho ,  Yoon Dong Park ,  Jun Jin Kong ,  Jong Han Kim ,  Jae Hong Kim ,  Young Hwan Lee ,  Heeseok Eun ,  Seung-Hwan Song

IPC分类号： G11C16/04

CPC分类号： G11C11/5628 ,  G11C29/00 ,  G11C2216/14

摘要： A memory programming apparatuses and/or methods are provided. The memory programming apparatus may include a data storage unit, a first counting unit, an index storage unit and/or a programming unit. The data storage unit may be configured to store a data page. The first counting unit may be configured to generate index information by counting a number of cells included in at least one reference threshold voltage state based on the data page. The index storage unit may be configured to store, the generated index information. The programming unit may be configured to store the data page in the data storage unit and store the generated index information in the index storage unit. The first counting unit may send the generated index information to the programming unit. The memory programming apparatus can monitor distribution states of threshold voltages in memory cells.

摘要翻译： 提供了存储器编程设备和/或方法。 存储器编程装置可以包括数据存储单元，第一计数单元，索引存储单元和/或编程单元。 数据存储单元可以被配置为存储数据页。 第一计数单元可以被配置为通过基于数据页计数包括在至少一个参考阈值电压状态中的单元的数量来生成索引信息。 索引存储单元可以被配置为存储所生成的索引信息。 编程单元可以被配置为将数据页存储在数据存储单元中，并将生成的索引信息存储在索引存储单元中。 第一计数单元可以将生成的索引信息发送到编程单元。 存储器编程装置可以监视存储器单元中阈值电压的分布状态。

公开(公告)号：US20100027342A1

公开(公告)日：2010-02-04

申请号：US12461060

申请日：2009-07-30

申请人： Heeseok Eun ,  Jae Hong Kim ,  Kyoung Lae Cho

发明人： Heeseok Eun ,  Jae Hong Kim ,  Kyoung Lae Cho

IPC分类号： G11C16/04

CPC分类号： G11C16/10 ,  G11C11/5642 ,  G11C16/3418 ,  G11C16/3427

摘要： A memory device and a memory data determination method are provided. The memory device may estimate a threshold voltage shift of a first memory cell based on data before the first memory cell is programmed and a target program threshold voltage of the first memory cell. The memory device may generate a metric of a threshold voltage shift of a second memory cell based on the estimated threshold voltage shift of the first memory cell. Also, the memory device may determine data stored in the second memory cell based on the metric.

摘要翻译： 提供存储器件和存储器数据确定方法。 存储器件可以基于第一存储器单元被编程之前的数据和第一存储器单元的目标程序阈值电压来估计第一存储器单元的阈值电压偏移。 存储器件可以基于第一存储器单元的估计的阈值电压偏移来产生第二存储器单元的阈值电压偏移的度量。 此外，存储器设备可以基于度量来确定存储在第二存储器单元中的数据。

公开(公告)号：US20090046510A1

公开(公告)日：2009-02-19

申请号：US12007775

申请日：2008-01-15

申请人： Seung-Hwan Song ,  Jun Jin Kong ,  Sung Chung Park ,  Heeseok Eun ,  Dong Hyuk Chae ,  Kyoung Lae Cho

发明人： Seung-Hwan Song ,  Jun Jin Kong ,  Sung Chung Park ,  Heeseok Eun ,  Dong Hyuk Chae ,  Kyoung Lae Cho

IPC分类号： G11C7/10

CPC分类号： G11C11/5628 ,  G11C16/0483 ,  G11C2211/5641

摘要： Multi-bit programming apparatuses and methods are provided. A multi-bit programming apparatus may include: a first programming unit that stores data corresponding to a number of first bits in at least one first memory cell that may be connected to at least one first bit line; and a second programming unit that stores data corresponding to a number of second bits in at least one second memory cell that may be connected to at least one second bit line. Through this, it may be possible to improve data reliability and increase a number of bits to be stored in the entire memory cell.

摘要翻译： 提供了多位编程设备和方法。 一种多位编程设备可以包括：第一编程单元，其存储对应于可连接到至少一个第一位线的至少一个第一存储器单元中的多个第一位的数据; 以及第二编程单元，其将可能连接到至少一个第二位线的至少一个第二存储器单元中的与第二位数相对应的数据存储。 由此，可以提高数据可靠性并增加要存储在整个存储单元中的位数。

公开(公告)号：US08230157B2

公开(公告)日：2012-07-24

申请号：US12155647

申请日：2008-06-06

申请人： Jaehong Kim ,  Kyoung Lae Cho ,  Jun Jin Kong ,  Heeseok Eun ,  Seung-Hwan Song

发明人： Jaehong Kim ,  Kyoung Lae Cho ,  Jun Jin Kong ,  Heeseok Eun ,  Seung-Hwan Song

IPC分类号： G06F12/00 ,  G06F13/00 ,  G06F13/28 ,  G06F11/00 ,  G06F11/10 ,  H03M13/00 ,  G11C29/00

CPC分类号： G11C11/5628 ,  G11C11/5671 ,  G11C29/00

摘要： Memory devices and multi-bit programming methods are provided. A memory device may include a plurality of memory units; a data separator that separates data into a plurality of groups; a selector that rotates each of the plurality of groups and transmits each of the groups to at least one of the plurality of memory units. The plurality of memory units may include page buffers that may program the transmitted group in a plurality of multi-bit cell arrays using a different order of a page programming operation. Through this, evenly reliable data pages may be generated.

摘要翻译： 提供了存储器件和多位编程方法。 存储器件可以包括多个存储器单元; 数据分离器，将数据分离成多个组; 选择器，其使所述多个组中的每一个旋转，并将所述组中的每一个发送到所述多个存储器单元中的至少一个。 多个存储器单元可以包括可以使用页面编程操作的不同顺序对多个多位单元阵列中的发送组进行编程的页缓冲器。 通过此，可能会生成均匀可靠的数据页。

公开(公告)号：US07782666B2

公开(公告)日：2010-08-24

申请号：US12076392

申请日：2008-03-18

申请人： Kyoung Lae Cho ,  Yoon Dong Park ,  Jun Jin Kong ,  Seung Hoon Lee ,  Jung Hun Sung ,  Sung-Jae Byun ,  Seung-Hwan Song ,  Donghun Yu ,  Sung Chung Park ,  Heeseok Eun

发明人： Kyoung Lae Cho ,  Yoon Dong Park ,  Jun Jin Kong ,  Seung Hoon Lee ,  Jung Hun Sung ,  Sung-Jae Byun ,  Seung-Hwan Song ,  Donghun Yu ,  Sung Chung Park ,  Heeseok Eun

IPC分类号： G11C16/04

CPC分类号： G11C11/5628 ,  G11C2211/5621

摘要： Multi-bit programming apparatuses and/or methods are provided. A multi-bit programming apparatus may include: a first control unit that allocates any one of 2N threshold voltage states to the N-bit data; a second control unit that spaces, by any one of a first interval and a second interval, adjacent threshold voltage states of the 2N threshold voltage states; and a programming unit that programs the N-bit data by generating, in each of the at least one multi-bit cell, a distribution state corresponding to the allocated threshold voltage state. The multi-bit programming apparatus can reduce an error rate when reading data.

摘要翻译： 提供了多位编程设备和/或方法。 多比特编程装置可以包括：第一控制单元，其向N比特数据分配2N个阈值电压状态中的任何一个; 第二控制单元，其以第一间隔和第二间隔中的任一个间隔相邻的阈值电压状态的阈值电压状态; 以及编程单元，其通过在所述至少一个多位单元中的每一个中生成与所分配的阈值电压状态相对应的分布状态来对所述N位数据进行编程。 多位编程装置可以在读取数据时降低错误率。