公开(公告)号：US07186661B2

公开(公告)日：2007-03-06

申请号：US10607612

申请日：2003-06-27

申请人： Helene Del Puppo ,  Frank Lin ,  Chris Lee ,  Vahid Vahedi ,  Thomas A. Kamp ,  Alan J. Miller ,  Saurabh Ullal ,  Harmeet Singh

发明人： Helene Del Puppo ,  Frank Lin ,  Chris Lee ,  Vahid Vahedi ,  Thomas A. Kamp ,  Alan J. Miller ,  Saurabh Ullal ,  Harmeet Singh

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/28044 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/7833

摘要： A method for etching a polysilicon gate structure in a plasma etch chamber is provided. The method initiates with defining a pattern protecting a polysilicon film to be etched. Then, a plasma is generated. Next, substantially all of the polysilicon film that is unprotected is etched. Then, a silicon containing gas is introduced and a remainder of the polysilicon film is etched while introducing a silicon containing gas. An etch chamber configured to introduce a silicon containing gas during an etch process is also provided.

摘要翻译： 提供了一种在等离子体蚀刻室中蚀刻多晶硅栅极结构的方法。 该方法开始于限定保护待蚀刻的多晶硅膜的图案。 然后，产生等离子体。 接下来，蚀刻大部分未被保护的多晶硅膜。 然后，引入含硅气体，并且在引入含硅气体的同时蚀刻剩余的多晶硅膜。 还提供了一种被配置为在蚀刻工艺期间引入含硅气体的蚀刻室。

公开(公告)号：US07682980B2

公开(公告)日：2010-03-23

申请号：US11627016

申请日：2007-01-25

申请人： Helene Del Puppo ,  Frank Lin ,  Chris Lee ,  Vahid Vahedi ,  Thomas A. Kamp ,  Alan J. Miller ,  Saurabh Ullal ,  Harmeet Singh

发明人： Helene Del Puppo ,  Frank Lin ,  Chris Lee ,  Vahid Vahedi ,  Thomas A. Kamp ,  Alan J. Miller ,  Saurabh Ullal ,  Harmeet Singh

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01L21/32137

摘要： A method for etching a polysilicon gate structure in a plasma etch chamber is provided. The method initiates with defining a pattern protecting a polysilicon film to be etched. Then, a plasma is generated. Next, substantially all of the polysilicon film that is unprotected is etched. Then, a silicon containing gas is introduced and a remainder of the polysilicon film is etched while introducing a silicon containing gas. An etch chamber configured to introduce a silicon containing gas during an etch process is also provided.

摘要翻译： 提供了一种在等离子体蚀刻室中蚀刻多晶硅栅极结构的方法。 该方法开始于限定保护待蚀刻的多晶硅膜的图案。 然后，产生等离子体。 接下来，蚀刻大部分未被保护的多晶硅膜。 然后，引入含硅气体，并且在引入含硅气体的同时蚀刻剩余的多晶硅膜。 还提供了一种被配置为在蚀刻工艺期间引入含硅气体的蚀刻室。

公开(公告)号：US07098141B1

公开(公告)日：2006-08-29

申请号：US10376227

申请日：2003-03-03

申请人： Thomas A. Kamp ,  Alan J. Miller

发明人： Thomas A. Kamp ,  Alan J. Miller

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/28044 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/7833

摘要： A semiconductor manufacturing process provides a shallow trench in a silicon layer using a silicon containing etch gas to provide controlled top and/or bottom rounding of the trench or to enhance profile control and/or critical dimension control by controlled deposition across a semiconductor substrate. A gate structure can be etched on a semiconductor substrate using a silicon containing gas to enhance profile control and/or critical dimension control.

摘要翻译： 半导体制造工艺使用含硅蚀刻气体在硅层中提供浅沟槽，以提供受控的沟槽的顶部和/或底部圆整，或通过半导体衬底上的受控沉积来增强轮廓控制和/或临界尺寸控制。 可以使用含硅气体在半导体衬底上蚀刻栅极结构，以增强轮廓控制和/或临界尺寸控制。