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    Method for conformal plasma immersed ion implantation assisted by atomic layer deposition
    4.
    发明授权
    Method for conformal plasma immersed ion implantation assisted by atomic layer deposition 有权
    通过原子层沉积辅助等离子体沉积离子注入的方法

    公开(公告)号：US08709924B2

    公开(公告)日：2014-04-29

    申请号：US13038199

    申请日：2011-03-01

    申请人： Hiroji Hanawa ,  Seon-Mee Cho ,  Majeed A. Foad

    发明人： Hiroji Hanawa ,  Seon-Mee Cho ,  Majeed A. Foad

    IPC分类号： H01L21/205 ,  H01L21/22

    CPC分类号： H01L21/2236 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/505 ,  C23C16/56

    摘要： Embodiments of the invention provide a novel apparatus and methods for forming a conformal doped layer on the surface of a substrate. A substrate is provided to a process chamber, and a layer of dopant source material is deposited by plasma deposition, atomic layer deposition, or plasma-assisted atomic layer deposition. The substrate is then subjected to thermal processing to activate and diffuse dopants into the substrate surface.

    摘要翻译： 本发明的实施例提供了一种用于在衬底的表面上形成共形掺杂层的新型设备和方法。 将衬底提供到处理室，并且通过等离子体沉积，原子层沉积或等离子体辅助原子层沉积沉积掺杂剂源材料层。 然后对衬底进行热处理以激活并将掺杂剂扩散到衬底表面中。

    NOVEL METHOD FOR CONFORMAL PLASMA IMMERSED ION IMPLANTATION ASSISTED BY ATOMIC LAYER DEPOSITION
    6.
    发明申请
    NOVEL METHOD FOR CONFORMAL PLASMA IMMERSED ION IMPLANTATION ASSISTED BY ATOMIC LAYER DEPOSITION 审中-公开
    由原子层沉积辅助的等离子体等离子体离子注入的新方法

    公开(公告)号：US20090203197A1

    公开(公告)日：2009-08-13

    申请号：US12028423

    申请日：2008-02-08

    申请人： HIROJI HANAWA ,  Seon-Mee Cho ,  Majeed A. Foad

    发明人： HIROJI HANAWA ,  Seon-Mee Cho ,  Majeed A. Foad

    IPC分类号： C23C14/12 ,  H01L21/42

    CPC分类号： H01L21/2236 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/505 ,  C23C16/56

    摘要： Embodiments of the invention provide a novel apparatus and methods for forming a conformal doped layer on the surface of a substrate. A substrate is provided to a process chamber, and a layer of dopant source material is deposited by plasma deposition, atomic layer deposition, or plasma-assisted atomic layer deposition. The substrate is then subjected to thermal processing to activate and diffuse dopants into the substrate surface.

    摘要翻译： 本发明的实施例提供了一种用于在衬底的表面上形成共形掺杂层的新型设备和方法。 将衬底提供到处理室，并且通过等离子体沉积，原子层沉积或等离子体辅助原子层沉积沉积掺杂剂源材料层。 然后对衬底进行热处理以激活并将掺杂剂扩散到衬底表面中。

    NOVEL METHOD FOR CONFORMAL PLASMA IMMERSED ION IMPLANTATION ASSISTED BY ATOMIC LAYER DEPOSITION
    7.
    发明申请
    NOVEL METHOD FOR CONFORMAL PLASMA IMMERSED ION IMPLANTATION ASSISTED BY ATOMIC LAYER DEPOSITION 有权
    由原子层沉积辅助的等离子体等离子体离子注入的新方法

    公开(公告)号：US20110159673A1

    公开(公告)日：2011-06-30

    申请号：US13038199

    申请日：2011-03-01

    申请人： Hiroji Hanawa ,  Seon-Mee Cho ,  Majeed A. Foad

    发明人： Hiroji Hanawa ,  Seon-Mee Cho ,  Majeed A. Foad

    IPC分类号： H01L21/22

    CPC分类号： H01L21/2236 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/505 ,  C23C16/56

    摘要： Embodiments of the invention provide a novel apparatus and methods for forming a conformal doped layer on the surface of a substrate. A substrate is provided to a process chamber, and a layer of dopant source material is deposited by plasma deposition, atomic layer deposition, or plasma-assisted atomic layer deposition. The substrate is then subjected to thermal processing to activate and diffuse dopants into the substrate surface.

    摘要翻译： 本发明的实施例提供了一种用于在衬底的表面上形成共形掺杂层的新型设备和方法。 将衬底提供到处理室，并且通过等离子体沉积，原子层沉积或等离子体辅助原子层沉积沉积掺杂剂源材料层。 然后对衬底进行热处理以激活并将掺杂剂扩散到衬底表面中。

    WET PHOTORESIST STRIPPING PROCESS AND APPARATUS
    9.
    发明申请
    WET PHOTORESIST STRIPPING PROCESS AND APPARATUS 审中-公开
    湿光电极剥离工艺和设备

    公开(公告)号：US20080149135A1

    公开(公告)日：2008-06-26

    申请号：US11954551

    申请日：2007-12-12

    申请人： Seon-Mee Cho ,  Majeed A. Foad

    发明人： Seon-Mee Cho ,  Majeed A. Foad

    IPC分类号： B08B7/04 ,  B08B3/08

    CPC分类号： H01L21/67075 ,  G03F7/42 ,  G03F7/423 ,  G03F7/426 ,  H01L21/31133

    摘要： A process for stripping photoresist from a substrate is provided. A processing system for implanting a dopant into a layer of a film stack, annealing the stripped film stack, and stripping the implanted film stack is also provided. When high dopant concentrations are implanted into a photoresist layer, a crust layer may form on the surface of the photoresist layer that may not be easily removed. The methods described herein are effective for removing a photoresist layer having such a crust on its surface.

    摘要翻译： 提供了从基板剥离光致抗蚀剂的方法。 还提供了一种用于将掺杂剂注入薄膜堆叠层，退火剥离的薄膜堆叠以及剥离植入薄膜叠层的处理系统。 当将高掺杂剂浓度注入到光致抗蚀剂层中时，可能在光致抗蚀剂层的表面上形成可能不容易除去的外壳层。 本文描述的方法对于在其表面上去除具有这样的外壳的光致抗蚀剂层是有效的。