公开(公告)号：US08568944B2

公开(公告)日：2013-10-29

申请号：US13422206

申请日：2012-03-16

申请人： Hoon Kim ,  Young-Su Sung ,  Young-Kuen Kim ,  Dong-Seok Nam

发明人： Hoon Kim ,  Young-Su Sung ,  Young-Kuen Kim ,  Dong-Seok Nam

IPC分类号： G03F1/22 ,  G03F1/24

CPC分类号： G03F1/24 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00

摘要： A reflective EUV mask and a method of manufacturing the same, the reflective EUV mask including a mask substrate having an exposing region and a peripheral region, the mask substrate including a light scattering crystalline portion that scatters light incident to the peripheral region and that decreases reflectivity of the peripheral region; a reflective layer on an upper surface of the mask substrate, the reflective layer having a first opening that exposes the crystalline portion; and an absorbing layer pattern on an upper surface of the reflective layer, the absorbing layer pattern having a second opening in fluidic communication with the first opening.

摘要翻译： 反射型EUV掩模及其制造方法，所述反射型EUV掩模包括具有曝光区域和外围区域的掩模基板，所述掩模基板包括散射入射到所述周边区域的光并且降低反射率的光散射结晶部分 的周边地区; 在所述掩模基板的上表面上的反射层，所述反射层具有暴露所述结晶部分的第一开口; 以及在所述反射层的上表面上的吸收层图案，所述吸收层图案具有与所述第一开口流体连通的第二开口。

公开(公告)号：US20120237860A1

公开(公告)日：2012-09-20

申请号：US13422206

申请日：2012-03-16

申请人： Hoon KIM ,  Young-Su Sung ,  Young-Kuen Kim ,  Dong-Seok Nam

发明人： Hoon KIM ,  Young-Su Sung ,  Young-Kuen Kim ,  Dong-Seok Nam

IPC分类号： G03F1/24

CPC分类号： G03F1/24 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00

摘要： A reflective EUV mask and a method of manufacturing the same, the reflective EUV mask including a mask substrate having an exposing region and a peripheral region, the mask substrate including a light scattering crystalline portion that scatters light incident to the peripheral region and that decreases reflectivity of the peripheral region; a reflective layer on an upper surface of the mask substrate, the reflective layer having a first opening that exposes the crystalline portion; and an absorbing layer pattern on an upper surface of the reflective layer, the absorbing layer pattern having a second opening in fluidic communication with the first opening.

摘要翻译： 反射型EUV掩模及其制造方法，所述反射型EUV掩模包括具有曝光区域和外围区域的掩模基板，所述掩模基板包括散射入射到所述周边区域的光并且降低反射率的光散射结晶部分 的周边地区; 在所述掩模基板的上表面上的反射层，所述反射层具有暴露所述结晶部分的第一开口; 以及在所述反射层的上表面上的吸收层图案，所述吸收层图案具有与所述第一开口流体连通的第二开口。

公开(公告)号：US08361679B2

公开(公告)日：2013-01-29

申请号：US12900691

申请日：2010-10-08

申请人： Se-Gun Moon ,  Dong-Seok Nam ,  Hoon Kim

发明人： Se-Gun Moon ,  Dong-Seok Nam ,  Hoon Kim

IPC分类号： G03F1/26

CPC分类号： G03F1/32 ,  G03F1/54 ,  G03F1/82

摘要： A phase shift mask having a first region and a second region in a transverse direction includes a transparent layer, a phase shift pattern disposed in the first region, a transmittance control layer pattern disposed in the second region, and a shading layer pattern disposed on the transmittance control layer pattern. The phase shift pattern has a first pattern including a transparent material and a second pattern including metal. The phase shift mask may prevent haze effects through a cleaning process using an alkaline cleaning solution.

摘要翻译： 具有第一区域和第二区域的相移掩模包括透明层，设置在第一区域中的相移图案，设置在第二区域中的透射率控制层图案，以及设置在第二区域上的遮光层图案 透光控制层图案。 相移图案具有包括透明材料的第一图案和包括金属的第二图案。 相移掩模可以通过使用碱性清洁溶液的清洁过程来防止雾度效应。

公开(公告)号：US20110104591A1

公开(公告)日：2011-05-05

申请号：US12909395

申请日：2010-10-21

申请人： Il-Yong Jang ,  Hoon Kim ,  Hye-Kyoung Lee ,  Sang-Gyun Woo ,  Dong-Seok Nam

发明人： Il-Yong Jang ,  Hoon Kim ,  Hye-Kyoung Lee ,  Sang-Gyun Woo ,  Dong-Seok Nam

IPC分类号： G03F1/00

CPC分类号： G03F1/26 ,  G03F1/32

摘要： Halftone phase shift photomasks are provided including a substrate configured to transmit light; a shift pattern on the substrate, the shift pattern including a pattern area on a center portion of the substrate and a blind area disposed on a periphery of the substrate, the shift pattern of the blind area having a greater thickness than a thickness that of the pattern area, and being configured to partially transmit the light; and a light shielding pattern formed on the shift pattern in the blind area and being configured to shield the light. Related methods are also provided herein.

摘要翻译： 提供了半色调相移光掩模，其包括被配置为透射光的基板; 基板上的移动图案，包括基板的中心部分上的图案区域和设置在基板的周边上的盲区的移动图案，盲区的移位图案的厚度大于基板的厚度 图案区域，并且被配置为部分地透射光; 以及遮光图案，其形成在所述遮光区域中的所述移动图案上，并且被构造成屏蔽所述光。 本文还提供了相关方法。

公开(公告)号：US08329363B2

公开(公告)日：2012-12-11

申请号：US12909395

申请日：2010-10-21

申请人： Il-Yong Jang ,  Hoon Kim ,  Hye-Kyoung Lee ,  Sang-Gyun Woo ,  Dong-Seok Nam

发明人： Il-Yong Jang ,  Hoon Kim ,  Hye-Kyoung Lee ,  Sang-Gyun Woo ,  Dong-Seok Nam

IPC分类号： G03F1/32

CPC分类号： G03F1/26 ,  G03F1/32

摘要： Halftone phase shift photomasks are provided including a substrate configured to transmit light; a shift pattern on the substrate, the shift pattern including a pattern area on a center portion of the substrate and a blind area disposed on a periphery of the substrate, the shift pattern of the blind area having a greater thickness than a thickness that of the pattern area, and being configured to partially transmit the light; and a light shielding pattern formed on the shift pattern in the blind area and being configured to shield the light. Related methods are also provided herein.

摘要翻译： 提供了半色调相移光掩模，其包括被配置为透射光的基板; 基板上的移动图案，包括基板的中心部分上的图案区域和设置在基板的周边上的盲区的移动图案，盲区的移位图案的厚度大于基板的厚度 图案区域，并且被配置为部分地透射光; 以及遮光图案，其形成在所述遮光区域中的所述移动图案上，并且被构造成屏蔽所述光。 本文还提供了相关方法。

公开(公告)号：US20110086296A1

公开(公告)日：2011-04-14

申请号：US12900691

申请日：2010-10-08

申请人： Se-Gun Moon ,  Dong-Seok Nam ,  Hoon Kim

发明人： Se-Gun Moon ,  Dong-Seok Nam ,  Hoon Kim

IPC分类号： G03F1/00

CPC分类号： G03F1/32 ,  G03F1/54 ,  G03F1/82

摘要： A phase shift mask having a first region and a second region in a transverse direction includes a transparent layer, a phase shift pattern disposed in the first region, a transmittance control layer pattern disposed in the second region, and a shading layer pattern disposed on the transmittance control layer pattern. The phase shift pattern has a first pattern including a transparent material and a second pattern including metal. The phase shift mask may prevent haze effects through a cleaning process using an alkaline cleaning solution.

摘要翻译： 具有第一区域和第二区域的相移掩模包括透明层，设置在第一区域中的相移图案，设置在第二区域中的透射率控制层图案，以及设置在第二区域上的遮光层图案 透光控制层图案。 相移图案具有包括透明材料的第一图案和包括金属的第二图案。 相移掩模可以通过使用碱性清洁溶液的清洁过程来防止雾度效应。

公开(公告)号：US08524426B2

公开(公告)日：2013-09-03

申请号：US13458722

申请日：2012-04-27

申请人： Jin Choi ,  Dong-Seok Nam

发明人： Jin Choi ,  Dong-Seok Nam

IPC分类号： G03F9/00

CPC分类号： G03F9/7049 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F9/7003 ,  G03F9/7011 ,  G03F9/7019 ,  G03F9/7088 ,  H01J37/3045 ,  H01J37/3174 ,  H01J2237/2482 ,  H01J2237/30438 ,  Y10S430/146

摘要： A method for correcting a position error of a lithography apparatus comprises inputting position data of exposure pattern, irradiating laser light onto a position reference mask from a position measurement laser system, calculating actual position data of the laser light irradiated onto the position reference mask, and comparing the position data of the exposure pattern with the actual position data of the laser light irradiated onto the position reference mask. With this method, circuit patterns can be accurately formed at predetermined positions on a photomask, and the circuit patterns on the photomask can be accurately formed at predetermined positions on a wafer.

摘要翻译： 一种用于校正光刻设备的位置误差的方法，包括：输入曝光图案的位置数据，从位置测量激光系统将激光照射到位置参考掩模上，计算照射到位置参考掩模上的激光的实际位置数据，以及 将曝光图案的位置数据与照射到位置参考掩模上的激光的实际位置数据进行比较。 利用该方法，可以在光掩模上的预定位置精确地形成电路图案，并且可以在晶片上的预定位置精确地形成光掩模上的电路图案。

公开(公告)号：US06723607B2

公开(公告)日：2004-04-20

申请号：US10440104

申请日：2003-05-19

申请人： Dong-Seok Nam ,  Ji-Soo Kim

发明人： Dong-Seok Nam ,  Ji-Soo Kim

IPC分类号： H01L218234

CPC分类号： H01L21/0337 ,  H01L21/2815 ,  H01L21/32139

摘要： In the method of forming fine patterns of a semiconductor integrated circuit, a mask layer is formed over a semiconductor structure having a first region and a second region. A portion of the mask layer over the first region is removed to expose the semiconductor structure, and sacrificial layer patterns are formed over the exposed semiconductor structure. Then, spacers are formed on sidewalls of the sacrificial layer patterns and the mask layer, and portions of the spacers are removed to create fine mask patterns. The semiconductor structure is then patterned using the fine mask patterns to create fine patterns.

摘要翻译： 在形成半导体集成电路的精细图案的方法中，在具有第一区域和第二区域的半导体结构上形成掩模层。 去除第一区域上的掩模层的一部分以暴露半导体结构，并且在暴露的半导体结构上形成牺牲层图案。 然后，在牺牲层图案和掩模层的侧壁上形成间隔物，并且去除间隔物的部分以产生精细的掩模图案。 然后使用精细掩模图案对半导体结构进行构图以产生精细图案。

公开(公告)号：US08187778B2

公开(公告)日：2012-05-29

申请号：US12656817

申请日：2010-02-17

申请人： Jin Choi ,  Dong-Seok Nam

发明人： Jin Choi ,  Dong-Seok Nam

IPC分类号： G03F9/00

CPC分类号： G03F9/7049 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F9/7003 ,  G03F9/7011 ,  G03F9/7019 ,  G03F9/7088 ,  H01J37/3045 ,  H01J37/3174 ,  H01J2237/2482 ,  H01J2237/30438 ,  Y10S430/146

摘要： A method for correcting a position error of a lithography apparatus comprises inputting position data of exposure pattern, irradiating laser light onto a position reference mask from a position measurement laser system, calculating actual position data of the laser light irradiated onto the position reference mask, and comparing the position data of the exposure pattern with the actual position data of the laser light irradiated onto the position reference mask. With this method, circuit patterns can be accurately formed at predetermined positions on a photomask, and the circuit patterns on the photomask can be accurately formed at predetermined positions on a wafer.

摘要翻译： 一种用于校正光刻设备的位置误差的方法，包括：输入曝光图案的位置数据，从位置测量激光系统将激光照射到位置参考掩模上，计算照射到位置参考掩模上的激光的实际位置数据，以及 将曝光图案的位置数据与照射到位置参考掩模上的激光的实际位置数据进行比较。 利用该方法，可以在光掩模上的预定位置精确地形成电路图案，并且可以在晶片上的预定位置精确地形成光掩模上的电路图案。

公开(公告)号：US20090239158A1

公开(公告)日：2009-09-24

申请号：US12382782

申请日：2009-03-24

申请人： Sang-Gyun Woo ,  Dong-Hun Lee ,  Dong-Seok Nam ,  Hyung-Ho Ko ,  Seong-Yoon Kim

发明人： Sang-Gyun Woo ,  Dong-Hun Lee ,  Dong-Seok Nam ,  Hyung-Ho Ko ,  Seong-Yoon Kim

IPC分类号： G03F1/00

CPC分类号： G03F1/82 ,  G03F1/64

摘要： A method of maintaining a mask for a semiconductor process, the method includes providing a first structure and a second structure being attached to each other via a thermosetting material, detaching the first and second structures from each other, and performing an ashing process on the first structure.

摘要翻译： 一种保持用于半导体工艺的掩模的方法，所述方法包括提供通过热固性材料彼此附接的第一结构和第二结构，将第一和第二结构彼此分离，并且在第一结构和第二结构上执行灰化处理 结构体。