利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

23 条记录 (耗时 0.039 秒)

    Method of heating semiconductor wafer to improve wafer flatness
    1.
    发明申请
    Method of heating semiconductor wafer to improve wafer flatness 有权
    加热半导体晶片以提高晶圆平坦度的方法

    公开(公告)号：US20080014763A1

    公开(公告)日：2008-01-17

    申请号：US11486098

    申请日：2006-07-14

    申请人： Hsiao-Tzu Lu ,  Burn-Jeng Lin ,  Chin-Hsiang Lin ,  Kuei-Shun Chen ,  Tsai-Sheng Gau

    发明人： Hsiao-Tzu Lu ,  Burn-Jeng Lin ,  Chin-Hsiang Lin ,  Kuei-Shun Chen ,  Tsai-Sheng Gau

    IPC分类号： H01L21/00

    CPC分类号： H01L21/67115 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/2686

    摘要： A method of heating-treating a semiconductor wafer is provided. In one embodiment, a first layer is formed over a first side of a substrate. A second layer is formed over the first layer and over a second side of the substrate and the wafer is then flash annealed. In another embodiment, a first layer is formed over a first side of a substrate and over a second side of the substrate. A second layer is formed over the first layers and the wafer is then flash annealed.

    摘要翻译： 提供了一种加热处理半导体晶片的方法。 在一个实施例中，在衬底的第一侧上形成第一层。 第二层形成在衬底的第一层和第二侧上，然后闪光退火晶片。 在另一个实施例中，第一层形成在衬底的第一侧上并且在衬底的第二侧上方。 在第一层上形成第二层，然后闪晶退火晶片。

    Method of heating semiconductor wafer to improve wafer flatness
    2.
    发明授权
    Method of heating semiconductor wafer to improve wafer flatness 有权
    加热半导体晶片以提高晶圆平坦度的方法

    公开(公告)号：US07479466B2

    公开(公告)日：2009-01-20

    申请号：US11486098

    申请日：2006-07-14

    申请人： Hsiao-Tzu Lu ,  Burn-Jeng Lin ,  Chin-Hsiang Lin ,  Kuei-Shun Chen ,  Tsai-Sheng Gau

    发明人： Hsiao-Tzu Lu ,  Burn-Jeng Lin ,  Chin-Hsiang Lin ,  Kuei-Shun Chen ,  Tsai-Sheng Gau

    IPC分类号： H01L21/00

    CPC分类号： H01L21/67115 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/2686

    摘要： A method of heating-treating a semiconductor wafer is provided. In one embodiment, a first layer is formed over a first side of a substrate. A second layer is formed over the first layer and over a second side of the substrate and the wafer is then flash annealed. In another embodiment, a first layer is formed over a first side of a substrate and over a second side of the substrate. A second layer is formed over the first layers and the wafer is then flash annealed.

    摘要翻译： 提供了一种加热处理半导体晶片的方法。 在一个实施例中，在衬底的第一侧上形成第一层。 第二层形成在衬底的第一层和第二侧上，然后闪光退火晶片。 在另一个实施例中，第一层形成在衬底的第一侧上并且在衬底的第二侧上方。 在第一层上形成第二层，然后闪晶退火晶片。

    Method and System For Making Photo-Resist Patterns
    8.
    发明申请
    Method and System For Making Photo-Resist Patterns 审中-公开
    制作防光图案的方法和系统

    公开(公告)号：US20080102648A1

    公开(公告)日：2008-05-01

    申请号：US11555558

    申请日：2006-11-01

    申请人： Chin-Hsiang Lin ,  Hsiao-Tzu Lu ,  Kuei Shun Chen ,  Ching-Yu Chang ,  Vencent Chang

    发明人： Chin-Hsiang Lin ,  Hsiao-Tzu Lu ,  Kuei Shun Chen ,  Ching-Yu Chang ,  Vencent Chang

    IPC分类号： H01L21/302 ,  G03G13/10

    CPC分类号： H01L21/0271 ,  G03F7/095

    摘要： A method of forming a resist pattern in a semiconductor device layer includes forming a buffer layer on a semiconductor device layer and forming a resist layer on the buffer layer. A decomposing agent is released into a portion of the buffer layer by a portion of the resist layer whereupon the portion of the buffer layer and the portion of the resist layer are removed to form a process window substantially free of resist residue that can be subsequently exploited for etching of the semiconductor device layer.

    摘要翻译： 在半导体器件层中形成抗蚀剂图案的方法包括在半导体器件层上形成缓冲层，并在缓冲层上形成抗蚀剂层。 分解剂通过抗蚀剂层的一部分释放到缓冲层的一部分中，随后缓冲层的部分和抗蚀剂层的一部分被去除以形成基本上不含抗蚀剂残留物的工艺窗口，其可以被随后利用 用于蚀刻半导体器件层。