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    Phase change memory device and method of fabricating the same
    1.
    发明授权
    Phase change memory device and method of fabricating the same 有权
    相变存储器件及其制造方法

    公开(公告)号：US07767568B2

    公开(公告)日：2010-08-03

    申请号：US11905244

    申请日：2007-09-28

    申请人： Hyeong-Geun An ,  Hideki Horii ,  Jong-Chan Shin ,  Dong-Ho Ahn ,  Jun-Soo Bae ,  Jeong-Hee Park

    发明人： Hyeong-Geun An ,  Hideki Horii ,  Jong-Chan Shin ,  Dong-Ho Ahn ,  Jun-Soo Bae ,  Jeong-Hee Park

    IPC分类号： H01L21/3205

    CPC分类号： H01L27/2463 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1683

    摘要： A phase change memory device and method of manufacturing the same is provided. A first electrode having a first surface is provided on a substrate. A second electrode having a second surface at a different level from the first surface is on the substrate. The second electrode may be spaced apart from the first electrode. A third electrode may be formed corresponding to the first electrode. A fourth electrode may be formed corresponding to the second electrode. A first phase change pattern may be interposed between the first surface and the third electrode. A second phase change pattern may be interposed between the second surface and the fourth electrode. Upper surfaces of the first and second phase change patterns may be on the same plane.

    摘要翻译： 提供了一种相变存储器件及其制造方法。 具有第一表面的第一电极设置在基板上。 具有与第一表面不同的第二表面的第二电极在基板上。 第二电极可以与第一电极间隔开。 可以对应于第一电极形成第三电极。 可以对应于第二电极形成第四电极。 可以在第一表面和第三电极之间插入第一相变图案。 可以在第二表面和第四电极之间插入第二相变图案。 第一和第二相变图案的上表面可以在同一平面上。

    MULTI-LAYER PHASE-CHANGEABLE MEMORY DEVICES
    4.
    发明申请
    MULTI-LAYER PHASE-CHANGEABLE MEMORY DEVICES 有权
    多层相变存储器件

    公开(公告)号：US20100019216A1

    公开(公告)日：2010-01-28

    申请号：US12568402

    申请日：2009-09-28

    申请人： Jeong-Hee Park ,  Ju-Chul Park ,  Jun-Soo Bae ,  Bong-Jin Kuh ,  Yong-Ho Ha

    发明人： Jeong-Hee Park ,  Ju-Chul Park ,  Jun-Soo Bae ,  Bong-Jin Kuh ,  Yong-Ho Ha

    IPC分类号： H01L47/00

    CPC分类号： H01L45/06 ,  G11C13/0004 ,  G11C2213/79 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1675

    摘要： A phase-changeable memory device includes a phase-changeable material pattern and first and second electrodes electrically connected to the phase-changeable material pattern. The first and second electrodes are configured to provide an electrical signal to the phase-changeable material pattern. The phase-changeable material pattern includes a first phase-changeable material layer and a second phase-changeable material layer. The first and second phase-changeable material patterns have different chemical, physical, and/or electrical characteristics. For example, the second phase-changeable material layer may have a greater resistivity than the first phase-changeable material layer. For instance, the first phase-changeable material layer may include nitrogen at a first concentration, and the second phase-changeable material layer may include nitrogen at a second concentration that is greater than the first concentration. Related devices and fabrication methods are also discussed.

    摘要翻译： 可变相存储器件包括相变材料图案，以及电连接到相变材料图案的第一和第二电极。 第一和第二电极被配置为向相变材料图案提供电信号。 相变材料图案包括第一相变材料层和第二相变材料层。 第一和第二可相变材料图案具有不同的化学，物理和/或电特性。 例如，第二相变材料层可以具有比第一相变材料层更大的电阻率。 例如，第一相变材料层可以包括第一浓度的氮，第二相变材料层可以包括大于第一浓度的第二浓度的氮。 还讨论了相关设备和制造方法。

    METHODS OF FABRICATING MULTI-LAYER PHASE-CHANGEABLE MEMORY DEVICES
    5.
    发明申请
    METHODS OF FABRICATING MULTI-LAYER PHASE-CHANGEABLE MEMORY DEVICES 有权
    制造多层相变记忆体装置的方法

    公开(公告)号：US20090004773A1

    公开(公告)日：2009-01-01

    申请号：US12189477

    申请日：2008-08-11

    申请人： Jeong-Hee Park ,  Ju-Chul Park ,  Jun-Soo Bae ,  Bong-Jin Kuh ,  Yong-Ho Ha

    发明人： Jeong-Hee Park ,  Ju-Chul Park ,  Jun-Soo Bae ,  Bong-Jin Kuh ,  Yong-Ho Ha

    IPC分类号： H01L45/00

    CPC分类号： H01L45/06 ,  G11C13/0004 ,  G11C2213/79 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1675

    摘要： A phase-changeable memory device includes a phase-changeable material pattern and first and second electrodes electrically connected to the phase-changeable material pattern. The first and second electrodes are configured to provide an electrical signal to the phase-changeable material pattern. The phase-changeable material pattern includes a first phase-changeable material layer and a second phase-changeable material layer. The first and second phase-changeable material patterns have different chemical, physical, and/or electrical characteristics. For example, the second phase-changeable material layer may have a greater resistivity than the first phase-changeable material layer. For instance, the first phase-changeable material layer may include nitrogen at a first concentration, and the second phase-changeable material layer may include nitrogen at a second concentration that is greater than the first concentration. Related devices and fabrication methods are also discussed.

    摘要翻译： 可变相存储器件包括相变材料图案，以及电连接到相变材料图案的第一和第二电极。 第一和第二电极被配置为向相变材料图案提供电信号。 相变材料图案包括第一相变材料层和第二相变材料层。 第一和第二可相变材料图案具有不同的化学，物理和/或电特性。 例如，第二相变材料层可以具有比第一相变材料层更大的电阻率。 例如，第一相变材料层可以包括第一浓度的氮，第二相变材料层可以包括大于第一浓度的第二浓度的氮。 还讨论了相关设备和制造方法。

    Methods of fabricating multi-layer phase-changeable memory devices
    6.
    发明授权
    Methods of fabricating multi-layer phase-changeable memory devices 有权
    制造多层可相变存储器件的方法

    公开(公告)号：US07615401B2

    公开(公告)日：2009-11-10

    申请号：US12189477

    申请日：2008-08-11

    申请人： Jeong-Hee Park ,  Ju-Chul Park ,  Jun-Soo Bae ,  Bong-Jin Kuh ,  Yong-Ho Ha

    发明人： Jeong-Hee Park ,  Ju-Chul Park ,  Jun-Soo Bae ,  Bong-Jin Kuh ,  Yong-Ho Ha

    IPC分类号： H01L21/00

    CPC分类号： H01L45/06 ,  G11C13/0004 ,  G11C2213/79 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1675

    摘要： A phase-changeable memory device includes a phase-changeable material pattern and first and second electrodes electrically connected to the phase-changeable material pattern. The first and second electrodes are configured to provide an electrical signal to the phase-changeable material pattern. The phase-changeable material pattern includes a first phase-changeable material layer and a second phase-changeable material layer. The first and second phase-changeable material patterns have different chemical, physical, and/or electrical characteristics. For example, the second phase-changeable material layer may have a greater resistivity than the first phase-changeable material layer. For instance, the first phase-changeable material layer may include nitrogen at a first concentration, and the second phase-changeable material layer may include nitrogen at a second concentration that is greater than the first concentration. Related devices and fabrication methods are also discussed.

    摘要翻译： 可变相存储器件包括相变材料图案，以及电连接到相变材料图案的第一和第二电极。 第一和第二电极被配置为向相变材料图案提供电信号。 相变材料图案包括第一相变材料层和第二相变材料层。 第一和第二可相变材料图案具有不同的化学，物理和/或电特性。 例如，第二相变材料层可以具有比第一相变材料层更大的电阻率。 例如，第一相变材料层可以包括第一浓度的氮，第二相变材料层可以包括大于第一浓度的第二浓度的氮。 还讨论了相关设备和制造方法。

    Multi-layer phase-changeable memory devices
    7.
    发明授权
    Multi-layer phase-changeable memory devices 有权
    多层可相变存储器件

    公开(公告)号：US07425735B2

    公开(公告)日：2008-09-16

    申请号：US11627775

    申请日：2007-01-26

    申请人： Jeong-Hee Park ,  Ju-Chul Park ,  Jun-Soo Bae ,  Bong-Jin Kuh ,  Yong-Ho Ha

    发明人： Jeong-Hee Park ,  Ju-Chul Park ,  Jun-Soo Bae ,  Bong-Jin Kuh ,  Yong-Ho Ha

    IPC分类号： H01L27/148 ,  H01L29/768 ,  H01L27/10 ,  H01L29/73 ,  H01L29/74 ,  H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L29/40

    CPC分类号： H01L45/06 ,  G11C13/0004 ,  G11C2213/79 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1675

    摘要： A phase-changeable memory device includes a phase-changeable material pattern and first and second electrodes electrically connected to the phase-changeable material pattern. The first and second electrodes are configured to provide an electrical signal to the phase-changeable material pattern. The phase-changeable material pattern includes a first phase-changeable material layer and a second phase-changeable material layer. The first and second phase-changeable material patterns have different chemical, physical, and/or electrical characteristics. For example, the second phase-changeable material layer may have a greater resistivity than the first phase-changeable material layer. For instance, the first phase-changeable material layer may include nitrogen at a first concentration, and the second phase-changeable material layer may include nitrogen at a second concentration that is greater than the first concentration. Related devices and fabrication methods are also discussed.

    摘要翻译： 可变相存储器件包括相变材料图案，以及电连接到相变材料图案的第一和第二电极。 第一和第二电极被配置为向相变材料图案提供电信号。 相变材料图案包括第一相变材料层和第二相变材料层。 第一和第二可相变材料图案具有不同的化学，物理和/或电特性。 例如，第二相变材料层可以具有比第一相变材料层更大的电阻率。 例如，第一相变材料层可以包括第一浓度的氮，第二相变材料层可以包括大于第一浓度的第二浓度的氮。 还讨论了相关设备和制造方法。

    MULTI-LAYER PHASE-CHANGEABLE MEMORY DEVICES AND METHODS OF FABRICATING THE SAME
    8.
    发明申请
    MULTI-LAYER PHASE-CHANGEABLE MEMORY DEVICES AND METHODS OF FABRICATING THE SAME 有权
    多层相变记忆体装置及其制造方法

    公开(公告)号：US20070215853A1

    公开(公告)日：2007-09-20

    申请号：US11627775

    申请日：2007-01-26

    申请人： Jeong-Hee Park ,  Ju-Chul Park ,  Jun-Soo Bae ,  Bong-Jin Kuh ,  Yong-Ho Ha

    发明人： Jeong-Hee Park ,  Ju-Chul Park ,  Jun-Soo Bae ,  Bong-Jin Kuh ,  Yong-Ho Ha

    IPC分类号： H01L47/00 ,  H01L21/44

    CPC分类号： H01L45/06 ,  G11C13/0004 ,  G11C2213/79 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1675

    摘要： A phase-changeable memory device includes a phase-changeable material pattern and first and second electrodes electrically connected to the phase-changeable material pattern. The first and second electrodes are configured to provide an electrical signal to the phase-changeable material pattern. The phase-changeable material pattern includes a first phase-changeable material layer and a second phase-changeable material layer. The first and second phase-changeable material patterns have different chemical, physical, and/or electrical characteristics. For example, the second phase-changeable material layer may have a greater resistivity than the first phase-changeable material layer. For instance, the first phase-changeable material layer may include nitrogen at a first concentration, and the second phase-changeable material layer may include nitrogen at a second concentration that is greater than the first concentration. Related devices and fabrication methods are also discussed.

    摘要翻译： 可变相存储器件包括相变材料图案，以及电连接到相变材料图案的第一和第二电极。 第一和第二电极被配置为向相变材料图案提供电信号。 相变材料图案包括第一相变材料层和第二相变材料层。 第一和第二可相变材料图案具有不同的化学，物理和/或电特性。 例如，第二相变材料层可以具有比第一相变材料层更大的电阻率。 例如，第一相变材料层可以包括第一浓度的氮，第二相变材料层可以包括大于第一浓度的第二浓度的氮。 还讨论了相关设备和制造方法。

    Multi-layer phase-changeable memory devices
    9.
    发明授权
    Multi-layer phase-changeable memory devices 有权
    多层可相变存储器件

    公开(公告)号：US07943918B2

    公开(公告)日：2011-05-17

    申请号：US12568402

    申请日：2009-09-28

    申请人： Jeong-Hee Park ,  Ju-Chul Park ,  Jun-Soo Bae ,  Bong-Jin Kuh ,  Yong-Ho Ha

    发明人： Jeong-Hee Park ,  Ju-Chul Park ,  Jun-Soo Bae ,  Bong-Jin Kuh ,  Yong-Ho Ha

    IPC分类号： H01L45/00

    CPC分类号： H01L45/06 ,  G11C13/0004 ,  G11C2213/79 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1675

    摘要： A phase-changeable memory device includes a phase-changeable material pattern and first and second electrodes electrically connected to the phase-changeable material pattern. The first and second electrodes are configured to provide an electrical signal to the phase-changeable material pattern. The phase-changeable material pattern includes a first phase-changeable material layer and a second phase-changeable material layer. The first and second phase-changeable material patterns have different chemical, physical, and/or electrical characteristics. For example, the second phase-changeable material layer may have a greater resistivity than the first phase-changeable material layer. For instance, the first phase-changeable material layer may include nitrogen at a first concentration, and the second phase-changeable material layer may include nitrogen at a second concentration that is greater than the first concentration. Related devices and fabrication methods are also discussed.

    摘要翻译： 可变相存储器件包括相变材料图案，以及电连接到相变材料图案的第一和第二电极。 第一和第二电极被配置为向相变材料图案提供电信号。 相变材料图案包括第一相变材料层和第二相变材料层。 第一和第二可相变材料图案具有不同的化学，物理和/或电特性。 例如，第二可相变材料层的电阻率可以比第一相变材料层更大。 例如，第一相变材料层可以包括第一浓度的氮，第二相变材料层可以包括大于第一浓度的第二浓度的氮。 还讨论了相关设备和制造方法。