公开(公告)号：US20080070155A1

公开(公告)日：2008-03-20

申请号：US11853075

申请日：2007-09-11

申请人： Hyo-Jin YUN ,  Young-Gil KWON ,  Jae-Ho KIM ,  Boo-Deuk KIM

发明人： Hyo-Jin YUN ,  Young-Gil KWON ,  Jae-Ho KIM ,  Boo-Deuk KIM

IPC分类号： G03F7/031 ,  C08B37/16

CPC分类号： G03F7/0392 ,  C08B37/0012 ,  C08B37/0015 ,  C08L5/16 ,  G03F7/0395

摘要： A photoresist is formed on an object layer of a semiconductor device by coating the object layer with a photoresist composition including about 7 percent to about 14 percent by weight of an inclusion complex having a β-cyclodextrin derivative as a host and an adamantane derivative as a guest, about 0.1 percent to about 0.5 percent by weight of a photoacid generator, and a remainder of an organic solvent.

摘要翻译： 通过用包含按重量计约7％至约14％的具有β-环糊精衍生物作为主体的包合络合物和金刚烷衍生物作为主体的光致抗蚀剂组合物涂覆目标层，在半导体器件的目标层上形成光刻胶。 客体，约0.1％至约0.5％重量的光酸产生剂，剩余的有机溶剂。

公开(公告)号：US20080311527A1

公开(公告)日：2008-12-18

申请号：US12155507

申请日：2008-06-05

申请人： Do-Young KIM ,  Hong LEE ,  Young-Ho KIM ,  Boo-Deuk KIM ,  Hyo-Jin YUN

发明人： Do-Young KIM ,  Hong LEE ,  Young-Ho KIM ,  Boo-Deuk KIM ,  Hyo-Jin YUN

IPC分类号： G03F7/20

CPC分类号： G03F7/2022 ,  G03F7/11 ,  G03F7/38 ,  G03F7/40

摘要： A method of forming a protection layer on a photoresist pattern and a method of forming a fine pattern using the same are provided. A photoresist layer may be formed on a substrate. Exposure regions and non-exposure regions may be defined in the photoresist layer by an exposure process. A reactive material layer may be formed on the photoresist layer having the exposure regions. A protection layer may be formed on the exposure regions by the reactive material layer reacting via a chemical attachment process. The non-exposure regions and the reactive material layer that remains after the reaction may be removed by a development process to form photoresist patterns. The substrate may be etched using the protection layer and the photoresist patterns as etching masks.

摘要翻译： 提供了在光致抗蚀剂图案上形成保护层的方法和使用其形成精细图案的方法。 可以在基板上形成光致抗蚀剂层。 暴露区域和非曝光区域可以通过曝光工艺在光致抗蚀剂层中限定。 可以在具有曝光区域的光致抗蚀剂层上形成反应性材料层。 可以通过经由化学附着过程反应的反应性材料层在曝光区域上形成保护层。 反应后保留的非曝光区域和反应性材料层可以通过显影工艺除去以形成光致抗蚀剂图案。 可以使用保护层和光刻胶图案作为蚀刻掩模蚀刻衬底。