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    Method of forming a pattern and method of manufacturing a capacitor using the same
    1.
    发明授权
    Method of forming a pattern and method of manufacturing a capacitor using the same 有权
    形成图案的方法和使用其形成电容器的方法

    公开(公告)号：US07638388B2

    公开(公告)日：2009-12-29

    申请号：US11945922

    申请日：2007-11-27

    申请人： Kyoung-Min Kim ,  Jae-Ho Kim ,  Young-Ho Kim ,  Boo-Deuk Kim ,  Seok Han

    发明人： Kyoung-Min Kim ,  Jae-Ho Kim ,  Young-Ho Kim ,  Boo-Deuk Kim ,  Seok Han

    IPC分类号： H01L21/8244

    CPC分类号： H01G4/33 ,  H01G4/40 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/91

    摘要： In a method of forming a pattern and a method of manufacturing a capacitor using the same, a conductive layer is formed on a mold layer having an opening. A first buffer layer pattern including a polymer having a repeating unit of anthracene-methyl methacrylate and a repeating unit of alkoxyl-vinyl benzene is formed on the conductive layer in the opening. The first buffer layer pattern is baked to cross-link the polymers and form a second buffer layer pattern that is insoluble in a developing solution. The conductive layer on a top portion of the mold layer is selectively removed by using the second buffer layer pattern as an etching mask. Accordingly, a conductive pattern for a semiconductor device is formed. The method of forming a pattern may simplify manufacturing processes for a capacitor and a semiconductor device, and may improve their efficiencies.

    摘要翻译： 在形成图案的方法和使用其的电容器的制造方法中，在具有开口的模具层上形成导电层。 在开口中的导电层上形成包含具有蒽 - 甲基丙烯酸甲酯的重复单元的聚合物和烷氧基 - 乙烯基苯的重复单元的第一缓冲层图案。 烘烤第一缓冲层图案以交联聚合物并形成不溶于显影溶液的第二缓冲层图案。 通过使用第二缓冲层图案作为蚀刻掩模，选择性地去除模层顶部的导电层。 因此，形成用于半导体器件的导电图案。 形成图案的方法可以简化电容器和半导体器件的制造工艺，并且可以提高它们的效率。

    Methods of forming a pattern of a semiconductor device
    8.
    发明授权
    Methods of forming a pattern of a semiconductor device 失效
    形成半导体器件的图案的方法

    公开(公告)号：US07964332B2

    公开(公告)日：2011-06-21

    申请号：US12339863

    申请日：2008-12-19

    申请人： Hyo-Jin Yun ,  Young-Ho Kim ,  Boo-Deuk Kim ,  Ji-Man Park ,  Jin-A Ryu ,  Jae-Hee Choi

    发明人： Hyo-Jin Yun ,  Young-Ho Kim ,  Boo-Deuk Kim ,  Ji-Man Park ,  Jin-A Ryu ,  Jae-Hee Choi

    IPC分类号： G03F7/00 ,  G03F7/004 ,  G03F7/11 ,  G03F7/26

    CPC分类号： G03F7/091 ,  G03F7/038 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/114 ,  Y10S430/128

    摘要： In polymers for an anti-reflective coating, compositions for an anti-reflective coating and methods of forming a pattern of a semiconductor device using the same, the compositions for an anti-reflective coating include a polymer that includes a first repeating unit having a basic side group, a second repeating unit having a light-absorbing group, and a third repeating unit having a cross-linkable group; a photoacid generator; a cross-linking agent; and a solvent. The polymer for the anti-reflective coating, which may have a basic side group chemically bound to a backbone of the polymer, may properly adjust diffusion of an acid in an anti-reflective coating layer to improve the profile of a pattern.

    摘要翻译： 在用于抗反射涂层的聚合物中，用于抗反射涂层的组合物和使用其形成半导体器件的图案的方法，用于抗反射涂层的组合物包括聚合物，其包括具有碱性 具有光吸收基团的第二重复单元和具有可交联基团的第三重复单元; 光致酸发生器; 交联剂; 和溶剂。 用于抗反射涂层的聚合物可以具有与聚合物的骨架化学结合的碱性侧基，可以适当地调节抗反射涂层中的酸的扩散以改善图案的轮廓。

    METHODS OF FORMING A PATTERN OF A SEMICONDUCTOR DEVICE
    9.
    发明申请
    METHODS OF FORMING A PATTERN OF A SEMICONDUCTOR DEVICE 失效
    形成半导体器件图案的方法

    公开(公告)号：US20090162796A1

    公开(公告)日：2009-06-25

    申请号：US12339863

    申请日：2008-12-19

    申请人： Hyo-Jin YUN ,  Young-Ho Kim ,  Boo-Deuk Kim ,  Ji-Man Park ,  Jin-A Ryu ,  Jae-Hee Choi

    发明人： Hyo-Jin YUN ,  Young-Ho Kim ,  Boo-Deuk Kim ,  Ji-Man Park ,  Jin-A Ryu ,  Jae-Hee Choi

    IPC分类号： G03F7/20

    CPC分类号： G03F7/091 ,  G03F7/038 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/114 ,  Y10S430/128

    摘要： In polymers for an anti-reflective coating, compositions for an anti-reflective coating and methods of forming a pattern of a semiconductor device using the same, the compositions for an anti-reflective coating include a polymer that includes a first repeating unit having a basic side group, a second repeating unit having a light-absorbing group, and a third repeating unit having a cross-linkable group; a photoacid generator; a cross-linking agent; and a solvent. The polymer for the anti-reflective coating, which may have a basic side group chemically bound to a backbone of the polymer, may properly adjust diffusion of an acid in an anti-reflective coating layer to improve the profile of a pattern.

    摘要翻译： 在用于抗反射涂层的聚合物中，用于抗反射涂层的组合物和使用其形成半导体器件的图案的方法，用于抗反射涂层的组合物包括聚合物，其包括具有碱性 具有光吸收基团的第二重复单元和具有可交联基团的第三重复单元; 光致酸发生器; 交联剂; 和溶剂。 用于抗反射涂层的聚合物可以具有与聚合物的骨架化学结合的碱性侧基，可以适当地调节抗反射涂层中的酸的扩散以改善图案的轮廓。