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    Method of forming protection layer on photoresist pattern and method of forming fine pattern using the same
    1.
    发明申请
    Method of forming protection layer on photoresist pattern and method of forming fine pattern using the same 审中-公开
    在光致抗蚀剂图案上形成保护层的方法和使用其形成精细图案的方法

    公开(公告)号：US20080311527A1

    公开(公告)日：2008-12-18

    申请号：US12155507

    申请日：2008-06-05

    申请人： Do-Young KIM ,  Hong LEE ,  Young-Ho KIM ,  Boo-Deuk KIM ,  Hyo-Jin YUN

    发明人： Do-Young KIM ,  Hong LEE ,  Young-Ho KIM ,  Boo-Deuk KIM ,  Hyo-Jin YUN

    IPC分类号： G03F7/20

    CPC分类号： G03F7/2022 ,  G03F7/11 ,  G03F7/38 ,  G03F7/40

    摘要： A method of forming a protection layer on a photoresist pattern and a method of forming a fine pattern using the same are provided. A photoresist layer may be formed on a substrate. Exposure regions and non-exposure regions may be defined in the photoresist layer by an exposure process. A reactive material layer may be formed on the photoresist layer having the exposure regions. A protection layer may be formed on the exposure regions by the reactive material layer reacting via a chemical attachment process. The non-exposure regions and the reactive material layer that remains after the reaction may be removed by a development process to form photoresist patterns. The substrate may be etched using the protection layer and the photoresist patterns as etching masks.

    摘要翻译： 提供了在光致抗蚀剂图案上形成保护层的方法和使用其形成精细图案的方法。 可以在基板上形成光致抗蚀剂层。 暴露区域和非曝光区域可以通过曝光工艺在光致抗蚀剂层中限定。 可以在具有曝光区域的光致抗蚀剂层上形成反应性材料层。 可以通过经由化学附着过程反应的反应性材料层在曝光区域上形成保护层。 反应后保留的非曝光区域和反应性材料层可以通过显影工艺除去以形成光致抗蚀剂图案。 可以使用保护层和光刻胶图案作为蚀刻掩模蚀刻衬底。

    METHODS OF FORMING A PATTERN OF A SEMICONDUCTOR DEVICE
    3.
    发明申请
    METHODS OF FORMING A PATTERN OF A SEMICONDUCTOR DEVICE 失效
    形成半导体器件图案的方法

    公开(公告)号：US20090162796A1

    公开(公告)日：2009-06-25

    申请号：US12339863

    申请日：2008-12-19

    申请人： Hyo-Jin YUN ,  Young-Ho Kim ,  Boo-Deuk Kim ,  Ji-Man Park ,  Jin-A Ryu ,  Jae-Hee Choi

    发明人： Hyo-Jin YUN ,  Young-Ho Kim ,  Boo-Deuk Kim ,  Ji-Man Park ,  Jin-A Ryu ,  Jae-Hee Choi

    IPC分类号： G03F7/20

    CPC分类号： G03F7/091 ,  G03F7/038 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/114 ,  Y10S430/128

    摘要： In polymers for an anti-reflective coating, compositions for an anti-reflective coating and methods of forming a pattern of a semiconductor device using the same, the compositions for an anti-reflective coating include a polymer that includes a first repeating unit having a basic side group, a second repeating unit having a light-absorbing group, and a third repeating unit having a cross-linkable group; a photoacid generator; a cross-linking agent; and a solvent. The polymer for the anti-reflective coating, which may have a basic side group chemically bound to a backbone of the polymer, may properly adjust diffusion of an acid in an anti-reflective coating layer to improve the profile of a pattern.

    摘要翻译： 在用于抗反射涂层的聚合物中，用于抗反射涂层的组合物和使用其形成半导体器件的图案的方法，用于抗反射涂层的组合物包括聚合物，其包括具有碱性 具有光吸收基团的第二重复单元和具有可交联基团的第三重复单元; 光致酸发生器; 交联剂; 和溶剂。 用于抗反射涂层的聚合物可以具有与聚合物的骨架化学结合的碱性侧基，可以适当地调节抗反射涂层中的酸的扩散以改善图案的轮廓。