公开(公告)号：US08592848B2

公开(公告)日：2013-11-26

申请号：US13423747

申请日：2012-03-19

申请人： Hyun Kyong Cho ,  Sun Kyung Kim ,  Gyeong Geun Park

发明人： Hyun Kyong Cho ,  Sun Kyung Kim ,  Gyeong Geun Park

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/20 ,  H01L2933/0083

摘要： The light emitting device, and corresponding method of manufacture, the light emitting device including a second electrode layer; a second conductive type semiconductor layer formed on the second electrode layer; an active layer formed on the second conductive type semiconductor layer; a first conductive type semiconductor layer formed with a first photonic crystal that includes a mask layer and an air gap formed on the active layer; and a first electrode layer formed on the first conductive type semiconductor layer.

摘要翻译： 发光器件和相应的制造方法，所述发光器件包括第二电极层; 形成在所述第二电极层上的第二导电类型半导体层; 形成在所述第二导电类型半导体层上的有源层; 形成有第一光子晶体的第一导电型半导体层，其包括形成在所述有源层上的掩模层和气隙; 以及形成在所述第一导电类型半导体层上的第一电极层。

公开(公告)号：US20120175632A1

公开(公告)日：2012-07-12

申请号：US13423747

申请日：2012-03-19

申请人： Hyun Kyong CHO ,  Sun Kyung Kim ,  Gyeong Geun Park

发明人： Hyun Kyong CHO ,  Sun Kyung Kim ,  Gyeong Geun Park

IPC分类号： H01L33/32

CPC分类号： H01L33/20 ,  H01L2933/0083

摘要： The light emitting device, and corresponding method of manufacture, the light emitting device including a second electrode layer; a second conductive type semiconductor layer formed on the second electrode layer; an active layer formed on the second conductive type semiconductor layer; a first conductive type semiconductor layer formed with a first photonic crystal that includes a mask layer and an air gap formed on the active layer; and a first electrode layer formed on the first conductive type semiconductor layer.

摘要翻译： 发光器件和相应的制造方法，所述发光器件包括第二电极层; 形成在所述第二电极层上的第二导电类型半导体层; 形成在所述第二导电类型半导体层上的有源层; 形成有第一光子晶体的第一导电型半导体层，其包括形成在所述有源层上的掩模层和气隙; 以及形成在所述第一导电类型半导体层上的第一电极层。

公开(公告)号：US08164107B2

公开(公告)日：2012-04-24

申请号：US12628950

申请日：2009-12-01

申请人： Hyun Kyong Cho ,  Sun Kyung Kim ,  Gyeong Geun Park

发明人： Hyun Kyong Cho ,  Sun Kyung Kim ,  Gyeong Geun Park

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/20 ,  H01L2933/0083

摘要： The light emitting device, and corresponding method of manufacture, the light emitting device including a second electrode layer; a second conductive type semiconductor layer formed on the second electrode layer; an active layer formed on the second conductive type semiconductor layer; a first conductive type semiconductor layer formed with a first photonic crystal that includes a mask layer and an air gap formed on the active layer; and a first electrode layer formed on the first conductive type semiconductor layer.

摘要翻译： 发光器件和相应的制造方法，所述发光器件包括第二电极层; 形成在所述第二电极层上的第二导电类型半导体层; 形成在所述第二导电类型半导体层上的有源层; 形成有第一光子晶体的第一导电型半导体层，其包括形成在所述有源层上的掩模层和气隙; 以及形成在所述第一导电类型半导体层上的第一电极层。

公开(公告)号：US20100140643A1

公开(公告)日：2010-06-10

申请号：US12628950

申请日：2009-12-01

申请人： Hyun Kyong Cho ,  Sun Kyung KIM ,  Gyeong Geun Park

发明人： Hyun Kyong Cho ,  Sun Kyung KIM ,  Gyeong Geun Park

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/20 ,  H01L2933/0083

摘要： The light emitting device, and corresponding method of manufacture, the light emitting device including a second electrode layer; a second conductive type semiconductor layer formed on the second electrode layer; an active layer formed on the second conductive type semiconductor layer; a first conductive type semiconductor layer formed with a first photonic crystal that includes a mask layer and an air gap formed on the active layer; and a first electrode layer formed on the first conductive type semiconductor layer.

摘要翻译： 发光器件和相应的制造方法，所述发光器件包括第二电极层; 形成在所述第二电极层上的第二导电类型半导体层; 形成在所述第二导电类型半导体层上的有源层; 形成有第一光子晶体的第一导电型半导体层，其包括形成在所述有源层上的掩模层和气隙; 以及形成在所述第一导电类型半导体层上的第一电极层。

公开(公告)号：US08008684B2

公开(公告)日：2011-08-30

申请号：US12500988

申请日：2009-07-10

申请人： Sung Min Hwang ,  Hyun Kyong Cho ,  Gyeong Geun Park

发明人： Sung Min Hwang ,  Hyun Kyong Cho ,  Gyeong Geun Park

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/14 ,  H01L33/0033 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/32 ,  H01L33/382 ,  H01L33/40

摘要： A light emitting device according to an embodiment is provided. The light emitting device comprises a second electrode layer, a third conductive semiconductor layer comprising a schottky contact region and an ohmic contact region on the second electrode layer, a second conductive semiconductor layer on the third conductive semiconductor layer, an active layer on the second conductive semiconductor layer, a first conductive semiconductor layer on the active layer, and a first electrode layer on the first conductive semiconductor layer.

摘要翻译： 提供了根据实施例的发光器件。 发光器件包括第二电极层，第三导电半导体层，包括肖特基接触区域和第二电极层上的欧姆接触区域，第三导电半导体层上的第二导电半导体层，第二导电半导体层上的有源层 半导体层，有源层上的第一导电半导体层，以及第一导电半导体层上的第一电极层。

公开(公告)号：US08288786B2

公开(公告)日：2012-10-16

申请号：US12614240

申请日：2009-11-06

申请人： Sung Min Hwang ,  Hyun Kyong Cho ,  Gyeong Geun Park

发明人： Sung Min Hwang ,  Hyun Kyong Cho ,  Gyeong Geun Park

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L33/145 ,  H01L33/60

摘要： A light emitting device according to an embodiment includes a second electrode layer comprising at least one projection part; at least one current blocking layer on the projection part of the second electrode layer; a second conductive type semiconductor layer on the second electrode layer and the current blocking layer; an active layer on the second conductive type semiconductor layer; a first conductive type semiconductor layer on the active layer; and a first electrode layer on the first conductive type semiconductor layer, at least a portion of the first electrode layer corresponding with the current blocking layer in a vertical direction.

摘要翻译： 根据实施例的发光器件包括包括至少一个突出部分的第二电极层; 在所述第二电极层的所述突起部分上的至少一个电流阻挡层; 在第二电极层和电流阻挡层上的第二导电型半导体层; 在第二导电类型半导体层上的有源层; 在所述有源层上的第一导电类型半导体层; 以及在所述第一导电型半导体层上的第一电极层，所述第一电极层的至少一部分在垂直方向对应于所述电流阻挡层。

公开(公告)号：US20100096641A1

公开(公告)日：2010-04-22

申请号：US12500988

申请日：2009-07-10

申请人： Sung Min Hwang ,  Hyun Kyong Cho ,  Gyeong Geun Park

发明人： Sung Min Hwang ,  Hyun Kyong Cho ,  Gyeong Geun Park

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/14 ,  H01L33/0033 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/32 ,  H01L33/382 ,  H01L33/40

摘要： A light emitting device according to an embodiment is provided. The light emitting device comprises a second electrode layer, a third conductive semiconductor layer comprising a schottky contact region and an ohmic contact region on the second electrode layer, a second conductive semiconductor layer on the third conductive semiconductor layer, an active layer on the second conductive semiconductor layer, a first conductive semiconductor layer on the active layer, and a first electrode layer on the first conductive semiconductor layer.

摘要翻译： 提供了根据实施例的发光器件。 发光器件包括第二电极层，第三导电半导体层，包括肖特基接触区域和第二电极层上的欧姆接触区域，第三导电半导体层上的第二导电半导体层，第二导电半导体层上的有源层 半导体层，有源层上的第一导电半导体层，以及第一导电半导体层上的第一电极层。

公开(公告)号：US08569784B2

公开(公告)日：2013-10-29

申请号：US13618952

申请日：2012-09-14

申请人： Sung Min Hwang ,  Hyun Kyong Cho ,  Gyeong Geun Park

发明人： Sung Min Hwang ,  Hyun Kyong Cho ,  Gyeong Geun Park

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L33/145 ,  H01L33/60

摘要： A light emitting device according to an embodiment includes a second electrode layer comprising at least one projection part; at least one current blocking layer on the projection part of the second electrode layer; a second conductive type semiconductor layer on the second electrode layer and the current blocking layer; an active layer on the second conductive type semiconductor layer; a first conductive type semiconductor layer on the active layer; and a first electrode layer on the first conductive type semiconductor layer, at least a portion of the first electrode layer corresponding with the current blocking layer in a vertical direction.

摘要翻译： 根据实施例的发光器件包括包括至少一个突出部分的第二电极层; 在所述第二电极层的所述突起部分上的至少一个电流阻挡层; 在第二电极层和电流阻挡层上的第二导电型半导体层; 在第二导电类型半导体层上的有源层; 在所述有源层上的第一导电类型半导体层; 以及在所述第一导电型半导体层上的第一电极层，所述第一电极层的至少一部分在垂直方向对应于所述电流阻挡层。

公开(公告)号：US20100127303A1

公开(公告)日：2010-05-27

申请号：US12614240

申请日：2009-11-06

申请人： Sung Min Hwang ,  Hyun Kyong Cho ,  Gyeong Geun Park

发明人： Sung Min Hwang ,  Hyun Kyong Cho ,  Gyeong Geun Park

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/145 ,  H01L33/60

摘要： A light emitting device according to an embodiment includes a second electrode layer comprising at least one projection part; at least one current blocking layer on the projection part of the second electrode layer; a second conductive type semiconductor layer on the second electrode layer and the current blocking layer; an active layer on the second conductive type semiconductor layer; a first conductive type semiconductor layer on the active layer; and a first electrode layer on the first conductive type semiconductor layer, at least a portion of the first electrode layer corresponding with the current blocking layer in a vertical direction.

摘要翻译： 根据实施例的发光器件包括包括至少一个突出部分的第二电极层; 在所述第二电极层的所述突起部分上的至少一个电流阻挡层; 在第二电极层和电流阻挡层上的第二导电型半导体层; 在第二导电类型半导体层上的有源层; 在所述有源层上的第一导电类型半导体层; 以及在所述第一导电型半导体层上的第一电极层，所述第一电极层的至少一部分在垂直方向对应于所述电流阻挡层。

公开(公告)号：US20100308339A1

公开(公告)日：2010-12-09

申请号：US12778537

申请日：2010-05-12

申请人： Sung Min Hwang ,  Gyeong Geun Park

发明人： Sung Min Hwang ,  Gyeong Geun Park

IPC分类号： H01L33/30 ,  H01L33/48 ,  H01L33/02 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L33/145 ,  H01L33/025 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014

摘要： Provided are a light emitting device (LED), a light emitting device package and a lighting system including the same. The LED includes a light emitting structure having a second semiconductor layer of a second conductivity type, an active layer on the second semiconductor layer, and a first semiconductor layer of a first conductivity type on the active layer, a current blocking layer below the second semiconductor layer, a second electrode below the second semiconductor layer, and a first electrode on the first semiconductor layer. The current blocking layer includes a non second conductive region.

摘要翻译： 提供了发光器件（LED），发光器件封装以及包括其的照明系统。 LED包括具有第二导电类型的第二半导体层，第二半导体层上的有源层和有源层上的第一导电类型的第一半导体层的发光结构，在第二半导体下面的电流阻挡层 层，第二半导体层下方的第二电极和第一半导体层上的第一电极。 电流阻挡层包括非第二导电区域。