公开(公告)号：US08774459B2

公开(公告)日：2014-07-08

申请号：US13442111

申请日：2012-04-09

申请人： Hyun-Chul Jung ,  Lee-Kwon Choi ,  Seung-Kwon Lee ,  Nam-Jin Kim ,  Sung-Jun Na ,  Jong-Hwan Bae ,  Min-Kyu Kim

发明人： Hyun-Chul Jung ,  Lee-Kwon Choi ,  Seung-Kwon Lee ,  Nam-Jin Kim ,  Sung-Jun Na ,  Jong-Hwan Bae ,  Min-Kyu Kim

IPC分类号： G06K9/00 ,  H04N9/47

CPC分类号： G01S5/0252 ,  G01S5/0009 ,  G01S5/0257

摘要： An indoor user positioning method including storing user information on a user terminal and user feature information detected from a feature detection device in a central server, detecting the position of the user terminal periodically and storing the detected position in a database, detecting by a motion recognition device attribute information on a user at the front thereof and transmitting the detected attribute information to the central server, extracting user terminals corresponding to the position of the user that the motion recognition device recognizes from the user terminals stored in the database in order to select target users, and comparing the user feature information on the target users stored in the database with the user attribute information that the motion recognition device transmits in order to specify a user at the front of the motion recognition device.

摘要翻译： 一种室内用户定位方法，包括存储用户终端的用户信息和从中央服务器中的特征检测装置检测到的用户特征信息，周期性地检测用户终端的位置，并将检测到的位置存储在数据库中，通过运动识别 设备属性信息，并将检测到的属性信息发送到中央服务器，从存储在数据库中的用户终端提取对应于运动识别装置识别的用户的位置的用户终端，以便选择目标 用户，并且将存储在数据库中的目标用户的用户特征信息与运动识别装置发送的用户属性信息进行比较，以便指定运动识别装置的前面的用户。

公开(公告)号：US20130236049A1

公开(公告)日：2013-09-12

申请号：US13442111

申请日：2012-04-09

申请人： Hyun-Chul JUNG ,  Lee-Kwon Choi ,  Seung-Kwon Lee ,  Nam-Jin Kim ,  Sung-Jun Na ,  Jong-Hwan Bae ,  Min-Kyu Kim

发明人： Hyun-Chul JUNG ,  Lee-Kwon Choi ,  Seung-Kwon Lee ,  Nam-Jin Kim ,  Sung-Jun Na ,  Jong-Hwan Bae ,  Min-Kyu Kim

IPC分类号： G06K9/62

CPC分类号： G01S5/0252 ,  G01S5/0009 ,  G01S5/0257

摘要： An indoor user positioning method including storing user information on a user terminal and user feature information detected from a feature detection device in a central server, detecting the position of the user terminal periodically and storing the detected position in a database, detecting by a motion recognition device attribute information on a user at the front thereof and transmitting the detected attribute information to the central server, extracting user terminals corresponding to the position of the user that the motion recognition device recognizes from the user terminals stored in the database in order to select target users, and comparing the user feature information on the target users stored in the database with the user attribute information that the motion recognition device transmits in order to specify a user at the front of the motion recognition device.

摘要翻译： 一种室内用户定位方法，包括存储用户终端的用户信息和从中央服务器中的特征检测装置检测到的用户特征信息，周期性地检测用户终端的位置，并将检测到的位置存储在数据库中，通过运动识别 设备属性信息，并将检测到的属性信息发送到中央服务器，从存储在数据库中的用户终端提取对应于运动识别装置识别的用户的位置的用户终端，以便选择目标 用户，并且将存储在数据库中的目标用户的用户特征信息与运动识别装置发送的用户属性信息进行比较，以便指定运动识别装置的前面的用户。

公开(公告)号：US09035313B2

公开(公告)日：2015-05-19

申请号：US13408825

申请日：2012-02-29

申请人： Jae-Kyeong Jeong ,  Jong-Han Jeong ,  Min-Kyu Kim ,  Tae-Kyung Ahn ,  Yeong-Gon Mo ,  Hui-Won Yang

发明人： Jae-Kyeong Jeong ,  Jong-Han Jeong ,  Min-Kyu Kim ,  Tae-Kyung Ahn ,  Yeong-Gon Mo ,  Hui-Won Yang

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/49

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78696

摘要： A thin film transistor (TFT) using an oxide semiconductor as an active layer, a method of manufacturing the TFT, and a flat panel display device having the TFT include a gate electrode formed on a substrate; an active layer made of an oxide semiconductor and insulated from the gate electrode by a gate insulating layer; source and drain electrodes coupled to the active layer; and an interfacial stability layer formed on one or both surfaces of the active layer. In the TFT, the interfacial stability layer is formed of an oxide having a band gap of 3.0 to 8.0 eV. Since the interfacial stability layer has the same characteristic as a gate insulating layer and a passivation layer, chemically high interface stability is maintained. Since the interfacial stability layer has a band gap equal to or greater than that of the active layer, charge trapping is physically prevented.

摘要翻译： 使用氧化物半导体作为有源层的薄膜晶体管（TFT），制造TFT的方法以及具有该TFT的平板显示装置包括形成在基板上的栅电极; 由氧化物半导体制成的有源层，并通过栅极绝缘层与栅电极绝缘; 源极和漏极耦合到有源层; 以及形成在活性层的一个或两个表面上的界面稳定层。 在TFT中，界面稳定层由带隙为3.0〜8.0eV的氧化物形成。 由于界面稳定层具有与栅极绝缘层和钝化层相同的特性，因此保持化学上高的界面稳定性。 由于界面稳定层具有等于或大于有源层的带隙，所以物理地防止了电荷俘获。

公开(公告)号：US08466462B2

公开(公告)日：2013-06-18

申请号：US12369051

申请日：2009-02-11

申请人： Hyun-Joong Chung ,  Min-Kyu Kim ,  Jong-Han Jeong ,  Yeon-Gon Mo

发明人： Hyun-Joong Chung ,  Min-Kyu Kim ,  Jong-Han Jeong ,  Yeon-Gon Mo

IPC分类号： H01L29/10

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/78618

摘要： A thin film transistor (TFT) including a gate electrode, an active layer, and source and drain electrodes. The active layer includes contact regions that contact the source and drain electrodes, which are thinner than a remaining region of the active layer. The contact regions reduce the contact resistance between the active material layer and the source and drain electrodes.

摘要翻译： 一种薄膜晶体管（TFT），其包括栅电极，有源层以及源极和漏极。 有源层包括与源极和漏极接触的接触区，其比有源层的剩余区域薄。 接触区域减小了活性材料层与源极和漏极之间的接触电阻。

公开(公告)号：US08319217B2

公开(公告)日：2012-11-27

申请号：US12873199

申请日：2010-08-31

申请人： Kwang-Suk Kim ,  Min-Kyu Kim

发明人： Kwang-Suk Kim ,  Min-Kyu Kim

IPC分类号： H01L29/12

CPC分类号： H01L29/7869

摘要： A thin film transistor including: a substrate; a gate electrode formed on the substrate; a gate insulating layer formed on the gate electrode and exposed portions of the substrate; an oxide semiconductor layer formed on the gate insulating layer to correspond to the gate electrode, and comprising an HfInZnO-based oxide semiconductor, wherein the oxide semiconductor layer has a Zn concentration gradient; and source and drain regions respectively formed on both sides of the oxide semiconductor layer and the gate insulating layer.

摘要翻译： 1.一种薄膜晶体管，包括：基板; 形成在所述基板上的栅电极; 形成在所述栅电极上的栅极绝缘层和所述基板的露出部分; 形成在所述栅绝缘层上以对应于所述栅极的氧化物半导体层，并且包括HfInZnO基氧化物半导体，其中所述氧化物半导体层具有Zn浓度梯度; 以及分别形成在氧化物半导体层和栅极绝缘层的两侧上的源极和漏极区域。

公开(公告)号：US08304987B2

公开(公告)日：2012-11-06

申请号：US12926005

申请日：2010-10-20

申请人： Min-Kyu Kim ,  Seong-Kweon Heo

发明人： Min-Kyu Kim ,  Seong-Kweon Heo

IPC分类号： H01L51/50 ,  H01L33/08

CPC分类号： H01L27/124 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3276 ,  H01L29/7869

摘要： An organic light emitting display apparatus and a method of fabricating the same are provided. The organic light emitting display apparatus includes a pixel unit on which an organic light emitting device is formed, a thin film transistor (TFT) electrically connected to the pixel unit and a data line and a scan line electrically connected to the TFT and disposed crossing each other on a substrate. The data line and the scan line are formed in one layer. A bridge that allows one of the data line and the scan line to bypass the other is on an intersection of the data line and the scan line.

摘要翻译： 提供一种有机发光显示装置及其制造方法。 有机发光显示装置包括其上形成有机发光器件的像素单元，电连接到像素单元的薄膜晶体管（TFT），以及电连接到TFT并与TFT连接的数据线和扫描线 另一个在基底上。 数据线和扫描线形成在一层中。 允许数据线和扫描线之一绕过另一条线的桥是在数据线和扫描线的交点上。

公开(公告)号：US20110108831A1

公开(公告)日：2011-05-12

申请号：US12848919

申请日：2010-08-02

申请人： Jong-Han Jeong ,  Eun-Hyun Kim ,  Jae-Wook Kang ,  Min-Kyu Kim ,  Yeon-Gon Mo

发明人： Jong-Han Jeong ,  Eun-Hyun Kim ,  Jae-Wook Kang ,  Min-Kyu Kim ,  Yeon-Gon Mo

IPC分类号： H01L33/28 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L27/3248 ,  H01L27/3246 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3265 ,  H01L51/5215

摘要： An organic light emitting display device and a method of manufacturing the device are disclosed. The method includes forming a layer over an oxide semiconductor layer to protect the oxide semiconductor layer from damage as further layers are formed and etched.

摘要翻译： 公开了一种有机发光显示装置及其制造方法。 该方法包括在氧化物半导体层上形成一层以保护氧化物半导体层免受损害，因为形成和蚀刻另外的层。

公开(公告)号：US07813175B2

公开(公告)日：2010-10-12

申请号：US11945502

申请日：2007-11-27

申请人： Min-Kyu Kim

发明人： Min-Kyu Kim

IPC分类号： G11C11/34

CPC分类号： G06K19/0723

摘要： A smart card is formed of a memory having light-sensing cells to sense externally supplied light and generate a detection signal in response to the externally supplied light being sensed by the light-sensing cells, and a reset control circuit generating a reset signal in response to the detection signal, the reset signal operating to reset the smart card.

摘要翻译： 智能卡由具有光感测单元的存储器形成，用于感测外部供应的光并且响应于由感光单元感测到的外部供应的光产生检测信号;以及复位控制电路，响应于产生复位信号 对于检测信号，复位信号操作以复位智能卡。

公开(公告)号：US20100006833A1

公开(公告)日：2010-01-14

申请号：US12393422

申请日：2009-02-26

申请人： Jae-Heung Ha ,  Young-Woo Song ,  Jong-Hyuk Lee ,  Jong-Han Jeong ,  Min-Kyu Kim ,  Yeon-Gon Mo ,  Jae-Kyeong Jeong ,  Hyun-Joong Chung ,  Kwang-Suk Kim ,  Hui-Won Yang ,  Chaun-Gi Choi

发明人： Jae-Heung Ha ,  Young-Woo Song ,  Jong-Hyuk Lee ,  Jong-Han Jeong ,  Min-Kyu Kim ,  Yeon-Gon Mo ,  Jae-Kyeong Jeong ,  Hyun-Joong Chung ,  Kwang-Suk Kim ,  Hui-Won Yang ,  Chaun-Gi Choi

IPC分类号： H01L29/12 ,  H01L21/04

CPC分类号： H01L29/7869

摘要： A thin film transistor, a method of manufacturing the thin film transistor, and a flat panel display device including the thin film transistor. The thin film transistor includes: a gate electrode formed on a substrate; a gate insulating film formed on the gate electrode; an activation layer formed on the gate insulating film; a passivation layer including a compound semiconductor oxide, formed on the activation layer; and source and drain electrodes that contact the activation layer.

摘要翻译： 薄膜晶体管，薄膜晶体管的制造方法以及包括该薄膜晶体管的平板显示装置。 薄膜晶体管包括：形成在基板上的栅电极; 形成在栅电极上的栅极绝缘膜; 形成在所述栅极绝缘膜上的活化层; 在活化层上形成包含化合物半导体氧化物的钝化层; 以及与激活层接触的源极和漏极。

公开(公告)号：US20090321731A1

公开(公告)日：2009-12-31

申请号：US12352851

申请日：2009-01-13

申请人： Jae-Kyeong JEONG ,  Jong-Han Jeong ,  Min-Kyu Kim ,  Tae-Kyung Ahn ,  Yeon-Gon Mo ,  Hui-Won Yang

发明人： Jae-Kyeong JEONG ,  Jong-Han Jeong ,  Min-Kyu Kim ,  Tae-Kyung Ahn ,  Yeon-Gon Mo ,  Hui-Won Yang

IPC分类号： H01L31/0256 ,  H01L29/12 ,  H01L21/02 ,  H01L31/00

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78696

摘要： A thin film transistor (TFT) using an oxide semiconductor as an active layer, a method of manufacturing the TFT, and a flat panel display device having the TFT include a gate electrode formed on a substrate; an active layer made of an oxide semiconductor and insulated from the gate electrode by a gate insulating layer; source and drain electrodes coupled to the active layer; and an interfacial stability layer formed on one or both surfaces of the active layer. In the TFT, the interfacial stability layer is formed of an oxide having a band gap of 3.0 to 8.0 eV. Since the interfacial stability layer has the same characteristic as a gate insulating layer and a passivation layer, chemically high interface stability is maintained. Since the interfacial stability layer has a band gap equal to or greater than that of the active layer, charge trapping is physically prevented.

摘要翻译： 使用氧化物半导体作为有源层的薄膜晶体管（TFT），制造TFT的方法以及具有该TFT的平板显示装置包括形成在基板上的栅电极; 由氧化物半导体制成的有源层，并通过栅极绝缘层与栅电极绝缘; 源极和漏极耦合到有源层; 以及形成在活性层的一个或两个表面上的界面稳定层。 在TFT中，界面稳定层由带隙为3.0〜8.0eV的氧化物形成。 由于界面稳定层具有与栅极绝缘层和钝化层相同的特性，因此保持化学上高的界面稳定性。 由于界面稳定层具有等于或大于有源层的带隙，所以物理地防止了电荷俘获。