公开(公告)号：US20150206582A1

公开(公告)日：2015-07-23

申请号：US14157605

申请日：2014-01-17

Applicant: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION

Inventor： Chung H. LAM ,  Scott C. LEWIS ,  Thomas M. MAFFITT ,  Jack R. MORRISH

IPC: G11C13/00

CPC classification number: G11C13/0069 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0026 ,  G11C13/004 ,  G11C2013/0054 ,  G11C2013/0066 ,  G11C2013/0078 ,  G11C2013/0092

Abstract: Structures and methods for a multi-bit phase change memory are disclosed herein. A method includes establishing a write-reference voltage that incrementally ramps over a write period. The increments of the write-reference voltage correspond to discrete resistance states of a storage cell of the multi-bit phase change memory.

Abstract translation: 这里公开了用于多位相变存储器的结构和方法。 一种方法包括建立在写入周期上递增地斜坡的写参考电压。 写参考电压的增量对应于多位相变存储器的存储单元的离散电阻状态。