公开(公告)号：US07723814B2

公开(公告)日：2010-05-25

申请号：US12087149

申请日：2006-12-27

申请人： Ichiro Shibasaki ,  Hirotaka Geka ,  Atsushi Okamoto

发明人： Ichiro Shibasaki ,  Hirotaka Geka ,  Atsushi Okamoto

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： G01R33/06 ,  H01L43/065 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  H01L43/14

摘要： The present invention relates to a thin film lamination to be used in a micro InSb thin film magnetic sensor which can directly detect a magnetic flux density with high sensitivity and has small power consumption and consumption current, and the InSb thin film magnetic sensor. The InSb thin film magnetic sensor uses an InSb thin film as a magnetic sensor section or a magnetic detecting section. The sensor includes an InSb layer that is an InSb thin film formed on a substrate, and an AlxGayIn1-x-ySb mixed crystal layer (0≦x, y≦1) which shows resistance higher than the InSb layer or insulation, or p-type conduction, and has a band gap larger than that of InSb. The mixed crystal layer is provided between the substrate and the InSb layer, and has a content of Al and Ga atoms (x+y) in the range of 5.0 to 17%.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于微型InSb薄膜磁传感器中的薄膜层压体，其可以高灵敏度地直接检测磁通密度并且具有小的功耗和消耗电流，以及InSb薄膜磁传感器。 InSb薄膜磁传感器使用InSb薄膜作为磁传感器部分或磁检测部分。 该传感器包括作为形成在基板上的InSb薄膜的InSb层和显示出高于InSb层或绝缘体的电阻的Al x Ga y In 1-x-y Sb混合晶体层（0＆amp; nlE; x，y＆nlE; 1） 类型导通，并且具有比InSb大的带隙。 混合晶体层设置在基板和InSb层之间，Al和Ga原子的含量（x + y）在5.0〜17％的范围内。

公开(公告)号：US20090001351A1

公开(公告)日：2009-01-01

申请号：US12087149

申请日：2006-12-27

申请人： Ichiro Shibasaki ,  Hirotaka Geka ,  Atsushi Okamoto

发明人： Ichiro Shibasaki ,  Hirotaka Geka ,  Atsushi Okamoto

IPC分类号： H01L27/22 ,  H01L21/20

CPC分类号： G01R33/06 ,  H01L43/065 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  H01L43/14

摘要： The present invention relates to a thin film lamination to be used in a micro InSb thin film magnetic sensor which can directly detect a magnetic flux density with high sensitivity and has small power consumption and consumption current, and the InSb thin film magnetic sensor. The InSb thin film magnetic sensor uses an InSb thin film as a magnetic sensor section or a magnetic detecting section. The sensor includes an InSb layer that is an InSb thin film formed on a substrate, and an AlxGayIn1-x-ySb mixed crystal layer (0≦x, y≦1) which shows resistance higher than the InSb layer or insulation, or p-type conduction, and has a band gap larger than that of InSb. The mixed crystal layer is provided between the substrate and the InSb layer, and has a content of Al and Ga atoms (x+y) in the range of 5.0 to 17%.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于微型InSb薄膜磁传感器中的薄膜层压体，其可以高灵敏度地直接检测磁通密度并且具有小的功耗和消耗电流，以及InSb薄膜磁传感器。 InSb薄膜磁传感器使用InSb薄膜作为磁传感器部分或磁检测部分。 传感器包括作为形成在基板上的InSb薄膜的InSb层和表现出高于InSb层或绝缘体的电阻的Al x Ga y In 1-x-y Sb混合晶体层（0 <= x，y <= 1），或 p型导电，并且具有比InSb大的带隙。 混合晶体层设置在基板和InSb层之间，Al和Ga原子的含量（x + y）在5.0〜17％的范围内。

公开(公告)号：US20100045282A1

公开(公告)日：2010-02-25

申请号：US12516538

申请日：2007-11-29

申请人： Ichiro Shibasaki ,  Hirotaka Geka ,  Atsushi Okamoto

发明人： Ichiro Shibasaki ,  Hirotaka Geka ,  Atsushi Okamoto

IPC分类号： G01R33/02 ,  B32B15/01 ,  H01L21/20 ,  H01L21/30

CPC分类号： H01L29/201 ,  G01R33/07 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02466 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02549 ,  H01L21/0262 ,  H01L43/065 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12 ,  H01L43/14 ,  Y10T428/12681

摘要： Relating to a thin film lamination and a thin film magnetic sensor using the thin film lamination and a method for manufacturing the thin film lamination that realizes a thin film conducting layer having high electron mobility and sheet resistance as an InAsSb operating layer. A thin film lamination is provided which is characterized by having an AlxIn1-xSb mixed crystal layer formed on a substrate, and an InAsxSb1-x (0

摘要翻译： 关于使用该薄膜层叠体的薄膜层叠体和薄膜磁传感器以及实现作为InAsSb操作层的具有高电子迁移率和薄层电阻的薄膜导电层的薄膜层压体的制造方法。 提供了一种薄膜层压体，其特征在于在基板上形成Al x In 1-x Sb混合晶体层，以及直接形成在Al x In 1-x Sb层上的InAs x Sb 1-x（0

公开(公告)号：US08154280B2

公开(公告)日：2012-04-10

申请号：US12516538

申请日：2007-11-29

申请人： Ichiro Shibasaki ,  Hirotaka Geka ,  Atsushi Okamoto

发明人： Ichiro Shibasaki ,  Hirotaka Geka ,  Atsushi Okamoto

IPC分类号： G01R33/02 ,  H01L31/107

CPC分类号： H01L29/201 ,  G01R33/07 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02466 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02549 ,  H01L21/0262 ,  H01L43/065 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12 ,  H01L43/14 ,  Y10T428/12681

摘要： Relating to a thin film lamination and a thin film magnetic sensor using the thin film lamination and a method for manufacturing the thin film lamination that realizes a thin film conducting layer having high electron mobility and sheet resistance as an InAsSb operating layer. A thin film lamination is provided which is characterized by having an AlxIn1−xSb mixed crystal layer formed on a substrate, and an InAsxSb1−x (0

摘要翻译： 关于使用该薄膜层叠体的薄膜层叠体和薄膜磁传感器以及实现作为InAsSb操作层的具有高电子迁移率和薄层电阻的薄膜导电层的薄膜层压体的制造方法。 提供了一种薄膜层压体，其特征在于在基板上形成Al x In 1-x Sb混合晶体层，以及直接形成在Al x In 1-x Sb层上的InAs x Sb 1-x（0

公开(公告)号：US20120018782A1

公开(公告)日：2012-01-26

申请号：US13262292

申请日：2010-03-31

申请人： Hirotaka Geka

发明人： Hirotaka Geka

IPC分类号： H01L29/205

CPC分类号： H01L29/7785 ,  H01L29/045 ,  H01L29/452 ,  H01L29/475 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

摘要： An objective is to provide a semiconductor device capable of utilizing properties of a high-mobility electron transport layer with a thin film stacked structure having large ΔEc, high electron mobility, and simplified element fabrication process even when the substrate material and the electron transport layer greatly differ in lattice constant. The semiconductor device includes: a semiconductor substrate (1); a first barrier layer (2) on the substrate (1); an electron transport layer (3) on the first barrier layer (2); and a second barrier layer (4) on the electron transport layer (3). The first barrier layer (2) has an InxAl1-xAs layer. At least one of the first barrier layer (2) and the second barrier layer (4) has a stacked structure having an AlyGa1-yAszSb1-z layer in contact with the electron transport layer (3) and an InxAl1-xAs layer in contact with the AlyGa1-yAszSb1-z layer. The stacked structure is doped with a donor impurity.

摘要翻译： 目的是提供一种能够利用具有大的Dgr Ec，高电子迁移率和简化元件制造工艺的薄膜堆叠结构的高迁移率电子传输层的性质的半导体器件，即使当衬底材料和电子传输 晶格常数有很大差异。 半导体器件包括：半导体衬底（1）; 在所述基板（1）上的第一阻挡层（2）; 第一阻挡层（2）上的电子传输层（3）; 和电子传输层（3）上的第二阻挡层（4）。 第一阻挡层（2）具有In x Al 1-x As层。 第一阻挡层（2）和第二阻挡层（4）中的至少一个具有与电子传输层（3）接触的Al y Ga 1-y As z Sb 1-z层和与电子传输层（3）接触的In x Al 1-x As层的层叠结构 AlyGa1-yAszSb1-z层。 堆叠结构掺杂有施主杂质。

公开(公告)号：US08441037B2

公开(公告)日：2013-05-14

申请号：US13262292

申请日：2010-03-31

申请人： Hirotaka Geka

发明人： Hirotaka Geka

IPC分类号： H01L31/06 ,  H01L29/66

CPC分类号： H01L29/7785 ,  H01L29/045 ,  H01L29/452 ,  H01L29/475 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

摘要： An objective is to provide a semiconductor device capable of utilizing properties of a high-mobility electron transport layer with a thin film stacked structure having large ΔEc, high electron mobility, and simplified element fabrication process even when the substrate material and the electron transport layer greatly differ in lattice constant. The semiconductor device includes: a semiconductor substrate (1); a first barrier layer (2) on the substrate (1); an electron transport layer (3) on the first barrier layer (2); and a second barrier layer (4) on the electron transport layer (3). The first barrier layer (2) has an InxAl1-xAs layer. At least one of the first barrier layer (2) and the second barrier layer (4) has a stacked structure having an AlyGa1-yAszSb1-z layer in contact with the electron transport layer (3) and an InxAl1-xAs layer in contact with the AlyGa1-yAszSb1-z layer. The stacked structure is doped with a donor impurity.

摘要翻译： 目的是提供能够利用具有大的DeltaEc，高电子迁移率和简化元件制造工艺的具有大的DeltaEc，高电子迁移率和简化元件制造工艺的薄膜堆叠结构的高迁移率电子传输层的性质的半导体器件，即使当衬底材料和电子传输层大大 晶格常数不同。 半导体器件包括：半导体衬底（1）; 在所述基板（1）上的第一阻挡层（2）; 第一阻挡层（2）上的电子传输层（3）; 和电子传输层（3）上的第二阻挡层（4）。 第一阻挡层（2）具有In x Al 1-x As层。 第一阻挡层（2）和第二阻挡层（4）中的至少一个具有与电子传输层（3）接触的Al y Ga 1-y As z Sb 1-z层和与电子传输层（3）接触的In x Al 1-x As层的层叠结构 AlyGa1-yAszSb1-z层。 堆叠结构掺杂有施主杂质。