公开(公告)号：US20120247390A1

公开(公告)日：2012-10-04

申请号：US13496794

申请日：2010-08-30

申请人： Ikuo Sawada ,  Song Yun Kang ,  Masaaki Matsukuma ,  Shigeru Kasai ,  Masato Morishima

发明人： Ikuo Sawada ,  Song Yun Kang ,  Masaaki Matsukuma ,  Shigeru Kasai ,  Masato Morishima

IPC分类号： C23C16/50 ,  C23C16/505 ,  C23C16/511

CPC分类号： C23C16/4412 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45502 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/509 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32431 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32633

摘要： Disclosed is a film formation apparatus (1a) that forms a thin film upon a substrate (S), wherein partitions (41) separate the space above the substrate (S) into a plasma generation space (401) and an exhaust space (402) and extend downward from the ceiling of the processing container (10) to form an opening between the substrate (S) and the bottom end of the partitions, in which gas flows from the plasma generation space (401) to the exhaust space (402). An activating mechanism (42, 43) generates plasma by activating a first reactant gas that has been supplied to the plasma generation space (401). A second reactant gas supply section (411, 412) supplies a second reactant gas to the bottom of the plasma generation space (401), and an evacuation opening (23) evacuates the exhaust space (402) from a position that is higher than the bottom end of the partitions (41).

摘要翻译： 公开了一种在基板（S）上形成薄膜的成膜装置（1a），其中隔板（41）将基板（S）上方的空间分离成等离子体产生空间（401）和排气空间（402） 并且从处理容器（10）的天花板向下延伸，以形成基板（S）和分隔壁的底端之间的开口，其中气体从等离子体产生空间（401）流到排气空间（402） 。 激活机构（42,43）通过激活已经供应到等离子体产生空间（401）的第一反应气体产生等离子体。 第二反应气体供给部（411,412）将第二反应气体供给到等离子体产生空间（401）的底部，排气口（23）将排气空间（402）从高于 分区（41）的底端。