公开(公告)号：US20090042383A1

公开(公告)日：2009-02-12

申请号：US12181166

申请日：2008-07-28

申请人： JIN GYUN KIM ,  Bon-young Koo ,  Ki-hyun Hwang

发明人： JIN GYUN KIM ,  Bon-young Koo ,  Ki-hyun Hwang

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L29/4991 ,  C23C16/402 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/31629 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/764 ,  H01L21/7682 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/4983

摘要： A method of forming a dielectric layer having an air gap to isolate adjacent wirings or a gate stack of the semiconductor device is provided. A method of fabricating a semiconductor device includes providing a semiconductor substrate on which a plurality of wirings are formed adjacent to one another and forming a dielectric layer filling an upper portion of a space between the adjacent wirings to form air gaps by a thermal chemical vapor deposition method.

摘要翻译： 提供一种形成具有气隙以隔离相邻配线或半导体器件的栅极叠层的电介质层的方法。 一种制造半导体器件的方法包括提供半导体衬底，多个布线彼此相邻地形成有多个布线，并形成填充相邻布线之间的空间的上部的介电层，以通过热化学气相沉积形成空隙 方法。