公开(公告)号：US20050023554A1

公开(公告)日：2005-02-03

申请号：US10883434

申请日：2004-07-01

申请人： Jack Chu ,  Khalid Ismail ,  Steven Koester ,  Bernd-Ulrich Klepser

发明人： Jack Chu ,  Khalid Ismail ,  Steven Koester ,  Bernd-Ulrich Klepser

IPC分类号： H01L31/10 ,  H01L27/144 ,  H01L31/0312 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/072

CPC分类号： B82Y20/00 ,  H01L27/1443 ,  H01L31/0312 ,  H01L31/035254

摘要： An integrated optoelectronic circuit and process for making is described incorporating a photodetector and a MODFET on a chip. The chip contains a single-crystal semiconductor substrate, a buffer layer of SiGe graded in composition, a relaxed SiGe layer, a quantum well layer, an undoped SiGe spacer layer and a doped SiGe supply layer. The photodetector may be a metal-semiconductor-metal (MSM) or a p-i-n device. The detector may be integrated with an n- or p-type MODFET, or both in a CMOS configuration, and the MODFET can incorporate a Schottky or insulating gate. The invention overcomes the problem of producing Si-manufacturing-compatible monolithic high-speed optoelectronic circuits for 850 nm operation by using epixially-grown Si/SiGe heterostructure layers.

摘要翻译： 描述了一种集成的光电子电路和制造工艺，其中结合了光电探测器和芯片上的MODFET。 该芯片包含单晶半导体衬底，组成SiGe缓冲层，弛豫SiGe层，量子阱层，未掺杂的SiGe间隔层和掺杂的SiGe供应层。 光电检测器可以是金属 - 半导体 - 金属（MSM）或p-i-n器件。 检测器可以与n型或p型MODFET集成，或者以CMOS配置集成，并且该MODFET可以并入肖特基或绝缘栅。 本发明克服了通过使用表面生长的Si / SiGe异质结构层制造用于850nm工作的Si制造兼容的单片高速光电子电路的问题。

公开(公告)号：US20060194422A1

公开(公告)日：2006-08-31

申请号：US11414091

申请日：2006-04-28

申请人： Frank Cardone ,  Jack Chu ,  Khalid Ismail

发明人： Frank Cardone ,  Jack Chu ,  Khalid Ismail

IPC分类号： H01L21/22 ,  H01L21/38

CPC分类号： H01L29/36 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/26506 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/7833

摘要： A structure and method of forming an abrupt doping profile is described incorporating a substrate, a first epitaxial layer of Ge less than the critical thickness having a P or As concentration greater than 5×1019 atoms/cc, and a second epitaxial layer having a change in concentration in its first 40 OE from the first layer of greater than 1×1019 P atoms/cc. Alternatively, a layer of SiGe having a Ge content greater than 0.5 may be selectively amorphized and recrystalized with respect to other layers in a layered structure. The invention overcomes the problem of forming abrupt phosphorus profiles in Si and SiGe layers or films in semiconductor structures such as CMOS, MODFET's, and HBT's.

摘要翻译： 描述了形成突变掺杂分布的结构和方法，其结合基板，Ge的第一外延层Ge小于具有大于5×10 19原子/ cc的P或As浓度的临界厚度，以及 第二外延层在其第一层40 OE中的浓度随着大于1×10 19原子/ cc的第一层而变化。 或者，具有Ge含量大于0.5的SiGe层可以相对于分层结构中的其它层选择性地非晶化并重结晶。 本发明克服了在诸如CMOS，MODFET和HBT等半导体结构中的Si和SiGe层或膜中形成突变磷分布的问题。

公开(公告)号：US5256579A

公开(公告)日：1993-10-26

申请号：US332695

申请日：1989-04-03

申请人： Henri Lezec ,  Khalid Ismail

发明人： Henri Lezec ,  Khalid Ismail

IPC分类号： H01L21/265 ,  H01L47/02

CPC分类号： H01L21/26546 ,  H01L47/02 ,  H01L47/026 ,  Y10S438/90

摘要： A tunable-frequency Gunn diode which is fabricated using focused ion beam inplantation to vary the doping profile of the diode along the drift path between cathode and anode. A gated device is also described. In this variation, a graded or tapered Gunn diode is combined with one or more Schottky barrier gates. At fixed ohmic contact bias, the frequency of oscillation of the device current can be controlled by varying the gate voltage(s).

摘要翻译： 一种可调谐的耿氏二极管，其采用聚焦离子束入射制造，以改变二极管沿着阴极和阳极之间的漂移路径的掺杂分布。 还描述了门控装置。 在这种变化中，渐变或渐缩的耿氏二极管与一个或多个肖特基势垒门组合。 在固定的欧姆接触偏置下，可以通过改变栅极电压来控制器件电流的振荡频率。