公开(公告)号：US20050227275A1

公开(公告)日：2005-10-13

申请号：US11102001

申请日：2005-04-07

申请人： Jaean Jung ,  Young Choi ,  Youngsun Kim

发明人： Jaean Jung ,  Young Choi ,  Youngsun Kim

IPC分类号： C12Q1/68

CPC分类号： C12Q1/701 ,  C12Q1/6816 ,  C12Q1/6834 ,  Y02A50/53 ,  C12Q2565/625 ,  C12Q2563/131 ,  C12Q2537/125 ,  C12Q2565/137 ,  C12Q2545/101

摘要： The present application discloses a system for detecting target nucleic acid comprising: a container comprising a nucleic acid amplification mix comprising a primer labeled with different haptens at its 5′ and 3′ ends, and optionally dNTP labeled with a hapten to form a nucleic acid complex; and a lateral flow test device comprising a reservoir area comprising reagent conditions suitable for binding of a specific binding partner with the nucleic acid complex; a dye area comprising a specific binding partner to the nucleic acid complex, wherein the specific binding partner is linked or conjugated to a reporter dye or another hapten; and a test area comprising a different specific binding partner specific to a different aspect of the nucleic acid complex.

摘要翻译： 本申请公开了一种用于检测靶核酸的系统，包括：容器，其包含核酸扩增混合物，其包含在其5'和3'末端用不同半抗原标记的引物，以及任选地用半抗原标记的dNTP以形成核酸复合物 ; 和侧流测试装置，其包括储存区域，其包含适合于将特异性结合配偶体与核酸复合物结合的试剂条件; 染料区域，其包含与所述核酸复合物的特异性结合配偶体，其中所述特异性结合配偶体与报告染料或其他半抗原连接或缀合; 以及包含对核酸复合物的不同方面特异的不同特异性结合伴侣的测试区域。

公开(公告)号：US20090039415A1

公开(公告)日：2009-02-12

申请号：US12153952

申请日：2008-05-28

申请人： Hoonsang Choi ,  Bongjin Kuh ,  Sunjung Kim ,  Youngsun Kim ,  Seunghwan Lee ,  Sangwook Lim ,  Chunhyung Chung

发明人： Hoonsang Choi ,  Bongjin Kuh ,  Sunjung Kim ,  Youngsun Kim ,  Seunghwan Lee ,  Sangwook Lim ,  Chunhyung Chung

IPC分类号： H01L21/28 ,  H05K3/00 ,  H01L29/792 ,  C23C16/00

CPC分类号： H01L29/513 ,  C23C16/40 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31604 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78

摘要： In one embodiment, the method of forming a dielectric layer includes supplying a first precursor at a temperature less than 400 degrees Celsius to a chamber including a substrate. The first precursor includes dysprosium. A first reaction gas is supplied to the chamber to react with the first precursor. A second precursor is supplied at a temperature less than 400 degrees Celsius to the chamber, and the second precursor includes scandium. A second reaction gas is supplied to the chamber to react with the second precursor.

摘要翻译： 在一个实施例中，形成电介质层的方法包括在小于400摄氏度的温度下向包括衬底的腔室供应第一前体。 第一个前体包括镝。 将第一反应气体供应到室以与第一前体反应。 在小于400摄氏度的温度下将第二前体供应到室，并且第二前体包括钪。 将第二反应气体供应到室以与第二前体反应。

公开(公告)号：US08105930B2

公开(公告)日：2012-01-31

申请号：US12153952

申请日：2008-05-28

申请人： Hoonsang Choi ,  Bongjin Kuh ,  Sunjung Kim ,  Youngsun Kim ,  Seunghwan Lee ,  Sangwook Lim ,  Chunhyung Chung

发明人： Hoonsang Choi ,  Bongjin Kuh ,  Sunjung Kim ,  Youngsun Kim ,  Seunghwan Lee ,  Sangwook Lim ,  Chunhyung Chung

IPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/4763

CPC分类号： H01L29/513 ,  C23C16/40 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31604 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78

摘要： In one embodiment, the method of forming a dielectric layer includes supplying a first precursor at a temperature less than 400 degrees Celsius to a chamber including a substrate. The first precursor includes dysprosium. A first reaction gas is supplied to the chamber to react with the first precursor. A second precursor is supplied at a temperature less than 400 degrees Celsius to the chamber, and the second precursor includes scandium. A second reaction gas is supplied to the chamber to react with the second precursor.

摘要翻译： 在一个实施例中，形成电介质层的方法包括在小于400摄氏度的温度下向包括衬底的腔室供应第一前体。 第一个前体包括镝。 将第一反应气体供应到室以与第一前体反应。 在小于400摄氏度的温度下将第二前体供应到室，并且第二前体包括钪。 将第二反应气体供应到室以与第二前体反应。